The invention provides a diluent composition. The invention of the diluent especially for spin coating hard mask insoluble photoresist have excellent dissolution characteristics and appropriate volatile, can effectively remove the removal process of adhesion at the edge of the photoresist unwanted photoresist in a short period of time, and also can be applied to the semiconductor substrate pre wet the process, with a small amount of photoresist spin coating or hard mask can effectively form a photosensitive film.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种稀释剂组合物,更具体地涉及在半导体制造工艺中可应用于光刻法工艺的多个步骤的稀释剂组合物及利用其的感光膜或旋涂硬掩膜(Spinonhardmask)的形成方法。相关申请的相互引用:本申请主张基于2014年12月18日韩国专利申请第10-2014-0183528的优先权,将该专利申请文件中所公开的所有内容援引至本申请说明书中,作为其一部分使用。
技术介绍
光刻法(photolithography)工艺是指,利用光掩模在半导体基板上的感光膜上转印预先设计好的图案后,根据转印的图案来蚀刻基板或底模的工艺。在光刻法工艺中,将光刻胶(Photoresist)涂覆于半导体基板上以形成感光膜。并且,利用曝光装置投影光掩模的图案而进行曝光后,经过显像工艺制造出所需形状的感光膜图案。接着,将感光膜图案作为掩膜对基板进行蚀刻后,通过剥离工艺等,将不再需要的感光膜图案从基板去除。在此过程中,根据需要形成的图案的线宽,可以使用G-line、I-line、KrF、ArF、紫外线、电子束(e-beam)、X-ray等各种类型的光源。并且,用于感光膜形成的光刻胶根据光源种类、感光膜的性能等包含多种种类的主成分树脂、感光剂等。另外,在光刻法工艺中,稀释剂组合物是指对光刻胶具有溶解性而用于光刻胶的去除或作为稀释剂使用的物质。稀释剂组合物对光刻胶的溶解特性依赖于稀释剂组合物的化学成分的构成和溶解对象光刻胶的化学构成。 ...
【技术保护点】
一种稀释剂组合物,其包含:1‑甲氧基‑2‑丙醇酯;3‑甲氧基丙酸甲酯;γ‑丁内酯;环戊酮;以及,2‑甲氧基‑1‑乙酸丙酯、丙二醇单甲醚及丁基羟基甲苯中的一种以上成分。
【技术特征摘要】
2014.12.18 KR 10-2014-01835281.一种稀释剂组合物,其包含:
1-甲氧基-2-丙醇酯;
3-甲氧基丙酸甲酯;
γ-丁内酯;
环戊酮;以及,
2-甲氧基-1-乙酸丙酯、丙二醇单甲醚及丁基羟基甲苯中的一种以上成分。
2.根据权利要求1所述的稀释剂组合物,其特征在于,
相对于100重量份的1-甲氧基-2-丙醇酯,包含:
1~100重量份的3-甲氧基丙酸甲酯;
0.1~50重量份的γ-丁内酯;
0.1~70重量份的环戊酮;以及,
0.001~30重量份的2-甲氧基-1-乙酸丙酯、0.01~20重量分的丙二醇单甲醚及
0.0001~10重量份的丁基羟基甲苯中的一种以上成分。
3.根据权利要求2所述的稀释剂组合物,其特征在于,
所述2-甲氧基-1-乙酸丙酯的含量通过对1-甲氧基-2-丙醇酯的减压分馏,相对于
100重量份的1-甲氧基-2-丙醇酯调整为0.001~30重量份。
4.根据权利要求1所述的稀释剂组合物,其特征在于,包含:
1-甲氧基-2-丙醇酯;<...
【专利技术属性】
技术研发人员:权五焕,赵泰杓,金炳郁,郑宗铉,尹锡壹,韩莹圭,沈载熙,
申请(专利权)人:东进世美肯株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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