The utility model discloses a sectional heating type epitaxial furnace, the reaction chamber of the epitaxial furnace is arranged on the market, for the input source gas into the reaction chamber of the injector arranged above the center of the market, some small cap for placing the wafer base settings around the center of the market, the market bottom is provided with a heating coil for heating market. The heating coil is wound on the spiral type at the bottom of the market and has at least one disconnection point to form at least two segments, each segment independently control the heating degree, the regional center of the high degree of heating source gas into the room temperature to compensate the temperature difference, so that the market size to avoid the homogenization temperature, radial temperature gradient and save the source gas, improves the stability of epitaxial process.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体技术,特别是涉及一种分段加热式外延炉。
技术介绍
外延晶片,例如碳化硅外延晶片通常是采用CVD(化学气相沉积)的方法来生长,具体是将衬底置于外延炉反应室中,将含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入反应室,在一定的温度及压力下借助空间气相化学反应在衬底表面上沉积固体薄膜。CVD可以生长纯度高、缺陷少的外延晶片,是半导体工业中的主流技术。目前商业化的气相沉积用外延炉,大部分为水平行星式反应室外延炉,其反应室内设置有大盘,大盘上设置若干用于放置衬底的小盘基座。大盘中心上方设置有与进气管路相通的注入器,源气由进气管路通过注入器进入反应室内部,并沿大盘的径向输运,尾气由大盘周缘的排气通道排出。大盘的底部设置有用于对反应室内进行加热的加热线圈。现有的加热线圈是一体化的类似蚊香结构环绕于大盘底部并由控制系统控制其加热程度,以使反应室内呈现一个均匀的温度。然后在实际使用中,反应室内温度通常上千度以达到晶体外延生长温度,而由进气管路通入反应室的源气一般为室温,这就导致注入器下方附近的大盘温度由于常温源气的进入而较低,而远离注入器的大盘温度相对较高,即沿大盘的径向形成一个较大的温度梯度,该温度梯度的存在不仅会造成源气的浪费,更会导致注入器附近气体的分解效率低而容易产生一些反应异物,严重情况下会堵塞注入器的出气孔,对外延工艺的稳定性造成较大的干扰和影响。
技术实现思路
本技术提供了一种分段加热式外延炉,其克服了现有技术所存在的不足之处。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种分段加热式外延炉,该外延炉的反应室内设置有大盘,大盘中心上方设置有用于向反应室内输入源气的 ...
【技术保护点】
一种分段加热式外延炉,该外延炉的反应室内设置有大盘,大盘中心上方设置有用于向反应室内输入源气的注入器,大盘上围绕中心设置若干用于放置晶片的小盘基座,大盘底部设置有用于给大盘加热的加热线圈,其特征在于:所述加热线圈呈平面螺旋型绕设于大盘底部且沿大盘径向包括至少两个分段,各分段独立工作以使大盘径向温度均一。
【技术特征摘要】
1.一种分段加热式外延炉,该外延炉的反应室内设置有大盘,大盘中心上方设置有用于向反应室内输入源气的注入器,大盘上围绕中心设置若干用于放置晶片的小盘基座,大盘底部设置有用于给大盘加热的加热线圈,其特征在于:所述加热线圈呈平面螺旋型绕设于大盘底部且沿大盘径向包括至少两个分段,各分段独立工作以使大盘径向温度均一。2.根据权利要求1所述的分段加热式外延炉,其特征在于:加热线圈的平面螺旋型各环等间距设置,且具有至少一断开点,通过断开点形成所述分段。3.根据权利要求1所述的分段加热式外延炉,其特征在于:所述加热线圈通过射频加热,所述各分段分别连接有射频电源,且由大盘中心向周缘方向所述各分段...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱卫宁,冯淦,赵建辉,
申请(专利权)人:瀚天天成电子科技厦门有限公司,
类型:新型
国别省市:福建;35
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