晶体振荡器和包括该晶体振荡器的晶体振荡器封装件制造技术

提供了一种晶体振荡器和包括该晶体振荡器的晶体振荡器封装件。所述晶体振荡器包括晶体构件、分别形成在晶体构件的两个表面上的激发电极和形成在激发电极上的至少一个弯曲振动抑制部。多个弯曲振动抑制部按照图案的形式或台阶的形式形成，并被设置为按照与晶体构件中产生的弯曲振动的波长距离相等的距离彼此间隔开或者被设置为非周期性地彼此间隔开。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2014年9月23日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0126830号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的公开内容通过引用包含于此。
本公开涉及一种晶体振荡器和包括该晶体振荡器的晶体振荡器封装件。
技术介绍
通常，晶体振荡器具有诸如频率振荡器、频率调节器和频率转换器等的各种应用。这样的晶体振荡器通常使用具有良好压电特性的晶体作为压电材料。这里，晶体用作稳定的机械振动发生器。这样的晶体在高压釜中人工生长，并基于晶体轴进行切割，晶体的尺寸和形状可以被加工成提供期望的特性，从而以晶圆形式来制造晶体。这里，晶体应该形成为具有低相位噪声、高品质(Q)值并相对于时间和环境变化具有低频率变化率。这里，Q值表示谐振器、滤波器或振荡器等中的波段选择特性，Q值越高，振荡器的频率选择特性越好。同时，晶体振荡器会存在可能发生弯曲振动等的不必要的振动的问题。在这种情况下，Q值会减小，晶体阻抗(CI)增大，从而会劣化振荡器的特性。
技术实现思路
本公开的一个方面可以提供一种通过显著地减小弯曲振动或者将弯曲振动谐振频率从工作频率范围变换到工作频率范围之外而具有改善的振动特性的晶体振荡器和包括该晶体振荡器的晶体振荡器封装件。根据本公开的一方面，一种晶体振荡器可以包括晶体构件、分别形成在晶体构件的两个表面上的激发电极和形成在激发电极上的至少一个弯曲振动抑制部。弯曲振动抑制部可以被设置为多个弯曲振动抑制部，所述多个弯曲振动抑制部被设置为按照与晶体构件中产生的弯曲振动的波长距离相等的距离彼此间隔开。根据本公开的另一方面，一种晶体振荡器可以包括晶体构件、形成在晶体构件上的激发电极以及按照预定距离彼此间隔开地形成在激发电极上的弯曲振动抑制部。根据本公开的另一方面，一种晶体振荡器可以包括晶体构件以及分别形成在晶体构件的两个表面上的激发电极，激发电极的至少一部分由于台阶而具有与其他部分的厚度不同的厚度。根据本公开的另一方面，一种晶体振荡器封装件可以包括：基础基板；晶体构件，具有分别形成在晶体构件的两个表面上的激发电极，并且晶体构件的一侧接合到基础基板；至少一个弯曲振动抑制部，形成在激发电极上；支撑部，形成在基础基板的边缘上；盖，设置在支撑部上，以密封将晶体构件容纳在其中的空间。弯曲振动抑制部可以被设置为按照与晶体构件中产生的弯曲振动的波长距离相等的距离彼此间隔开。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其它方面、特征和其它优点将会被更清楚地理解，在附图中：图1是根据本公开的示例性实施例的晶体振荡器封装件的侧剖视图；图2是沿图1中的线A-A′截取的平面图；图3和图4是用于描述图2中示出的晶体振荡器的弯曲振动的剖视图；图5是根据本公开的另一示例性实施例的晶体振荡器的侧剖视图；图6是图5的平面图；图7是根据本公开的另一示例性实施例的晶体振荡器的侧剖视图；图8是图7的平面图；图9是根据本公开的另一示例性实施例的晶体振荡器的侧剖视图；图10是图9的平面图；图11是根据本公开的另一示例性实施例的晶体振荡器的侧剖视图；图12是图11的平面图；图13是根据本公开的另一示例性实施例的晶体振荡器的侧剖视图；图14是图13的平面图；图15至图17是根据本公开的另一示例性实施例的晶体振荡器的平面图；以及图18是示意性地示出根据现有技术的晶体振荡器的侧剖视图。具体实施方式现在将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。然而，本公开可以以多种不同的形式来体现，并不应该被解释为局限于在此阐述的实施例。确切地说，提供这些实施例，使得本公开将是彻底的和完整的，并将把本公开的范围充分地传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清晰起见，可夸大元件的形状和尺寸，并将始终使用相同的附图标记来表示相同或相似的元件。图1是根据本公开的示例性实施例的晶体振荡器封装件的侧剖视图，其示出了沿着使用矩形AT切割晶体基板的台面形晶体振荡器的长度方向截取的台面形晶体振荡器剖视图。另外，图2是沿图1的线A-A′截取的平面图。参照图1和图2，根据本公开的示例性实施例的晶体振荡器封装件可以包括：基础基板26a；第一电极焊盘24a和第二电极焊盘24b，形成在基础基板26a的上表面上；晶体构件21，其一侧固定地安装在第一电极焊盘24a和第二电极焊盘24b上，并且其上表面和下表面上分别形成激发电极22a和22b，以通过电信号使晶体构件21振动，激发电极22a和22b电连接到第一电极焊盘24a和第二电极焊盘24b；支撑部26b，形成在基础基板26a的边缘上，并形成将晶体构件21容纳在其中的内部空间；盖27，设置在支撑部26b上以密封所述内部空间。基础基板26a可以形成晶体振荡器封装件100的底部，基础基板26a可以由绝缘陶瓷材料形成。例如，通过对陶瓷生片进行成型、堆叠、然后烧结形成的烧结体(例如，氧化铝等)可以用作基础基板26a。第一电极焊盘24a和第二电极焊盘24b可以形成在基础基板26a的上表面上的一侧处。另外，支撑部26b可以沿着基础基板26a的边缘形成。基础基板26a可以包括形成在其下表面上的多个外电极焊盘24c和24d，以接收来自外部的电信号，其中，多个外电极焊盘24c和24d中的一个可以电连接到第一电极焊盘24a，多个外电极焊盘24c和24d中的另一个可以电连接到第二电极焊盘24b。第一电极焊盘24a和第二电极焊盘24b以及外电极焊盘24c和24d可以通过形成在基础基板26a中的导电过孔(未示出)彼此连接。另外，多个外电极焊盘24c和24d中的一些可以用作接地电极。第一电极焊盘24a和第二电极焊盘24b可以电连接到分别形成在晶体构件21的上表面和下表面上的激发电极22a和22b，从而可被用作将电信号提供给晶体构件21的路径。通过上述电信号可以在晶体构件21中产生压电效应。第一电极焊盘24a和第二电极焊盘24b可以由例如从由金(Au)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)和钼(Mo)组成的组中选择的至少一种的导电金属形成。支撑部26b可以沿基础基板26a的边缘形成，支撑部26b可以与基础基板26a一起形成将要容纳根据本示例性实施例的晶体振荡器的内部空间。支撑部26b可以由与基础基板26a的材料相同材料的绝缘陶瓷材料形成或者由与盖27的材料相同材料的导电金属合金形成。可以通过使用光刻技术等切割并加工晶体晶圆来制造晶体构件21，其中，晶体构件21是根据振动频率等以预定厚度进行研磨的压电基板。晶体构件21可以大体上具有矩形形状，并可以按照其中包括设置在其中心部分的振动部21a以及设置在振动部21a的边缘部并以比振动部21a的厚度薄的厚度形成的外缘部21b的台面形状形成。根据本示例性实施例的晶体构件21可按照AT切割来进行切割，使得厚度滑动振动被激发为主振动。由于根据在室温附近的温度变化的频率变化小，因此AT切割晶体片已被广泛用作具有厚度滑动振动作为主振动的晶体振荡器。已知当处于厚度切变振动模式的晶体构件(或压电振动片)被形成为使得它的厚度从其中部朝其端部逐渐变薄时，振动位移在端部的阻尼量增大，从而提高了将振动能量捕获在压电振动片的中部的效果并改善了诸如CI值和Q值等的频率特性。因此，即使增大压电振动片的厚度来减小频率，也可以通过小的能量有效地执行振荡。相反，即使在相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体振荡器，包括：晶体构件；激发电极，分别形成在晶体构件的两个表面上；以及至少一个弯曲振动抑制部，形成在激发电极上。

【技术特征摘要】
2014.09.23 KR 10-2014-01268301.一种晶体振荡器，包括：晶体构件；激发电极，分别形成在晶体构件的两个表面上；以及至少一个弯曲振动抑制部，形成在激发电极上。2.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其中，弯曲振动抑制部被设置为按照图案的形式或台阶的形式形成的多个弯曲振动抑制部，所述多个弯曲振动抑制部被设置为按照与晶体构件中产生的一个弯曲振动的波长距离相等的距离彼此间隔开，或被设置为按照与晶体构件中产生的多个弯曲振动的多个不同的波长距离相等的多个距离彼此间隔开。3.根据权利要求2所述的晶体振荡器，其中，弯曲振动抑制部按照格子的形式从激发电极突出或者通过对激发电极进行阴刻而按照格子形状形成。4.根据权利要求2所述的晶体振荡器，其中，弯曲振动抑制部周期性地或者非周期性地以多个点的形式从激发电极突出。5.根据权利要求4所述的晶体振荡器，其中，以多个点的形式形成的弯曲振动抑制部被设置为大体上形成格子图案。6.根据权利要求2所述的晶体振荡器，其中，弯曲振动抑制部由具有条纹的形式的图案形成，并被周期性地或非周期性地设置为彼此间隔开。7.根据权利要求2所述的晶体振荡器，其中，弯曲振动抑制部由与激发电极的材料相同的材料形成。8.根据权利要求2所述的晶体振荡器，其中，弯曲振动抑制部由与激发电极的材料不同的材料形成。9.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其中，晶体构件具有作为主振动的厚度滑动振动，并且晶体构件的中部的厚度比晶体构件的外周区域的厚度厚。10.一种晶体振荡器，包括：晶体构件；激...

【专利技术属性】
技术研发人员：李承燮，李在祥，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR