The invention relates to a reference voltage generation circuit with temperature compensation function, which relates to the technical field of reference voltage source. The invention comprises a positive temperature coefficient voltage generating circuit and a LDO circuit which are connected in turn. The positive temperature coefficient voltage generating circuit is composed of a single stage or multi-stage unit circuit, and each unit circuit comprises a bias current source P and two NMOS tubes which adopt a MOS tube. All levels of unit circuit order cascade, each unit circuit of NMOS tube in the gate of the A and NMOS tube B gate are connected are respectively connected to the drain and drain bias current source P NMOS A pipe, drain electrode connection as the output node NMOS A source and NMOS B. The current generated by the bias current source P is connected to the source of the NMOS tube A and the drain of the NMOS tube B through the source of the NMOS tube B through the NMOS tube A and the NMOS tube B. The class LDO circuit comprises an operational amplifier and an output unit. The invention can effectively reduce the power consumption of the system without increasing the area, and has the function of temperature compensation.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及参考电压源
,特别是具有温度补偿功能的基准电压产生电路。
技术介绍
电压参考源是诸多电路系统中不可或缺的组成单元之一,常用于为高性能的模拟电路或数字电路模块提供一个低温度系数的参考电压,以提高电路的性能。现有技术中,集成电路领域,传统的电压参考源电路通常使用由经典双极型晶体管构成的带隙基准电路,其基本原理是由于双极型晶体的基极-发射极结具有负温度特性;另一方面,当双极型晶体管的集电极电流不同时,其基极-发射极结的温度曲线存在差别,当不同的电流流过两个不同的双极型晶体管时,两个晶体管上的基极-发射极结两端电压的差值却具有正的温度系数。通过将这个具有正温度系数的电压放大适大的比例同具有负温度系数的结电压相加,就可以获得一个温度系数得到一定抑制的电压参考源。然而,传统的双极型晶体管构成的带隙基准电路并不适用于低功耗设计。原因如下:首先,传统的双极型晶体管的电流放大倍数BETA值并非恒定,当集电极电流小于某个阈值时,BETA值会随着电流的不同而单调明显变化,这使得当偏置电流很小时,采用不同大小电流进行偏置的两个双极型晶体管的BETA值可能存在着显著不同,使得匹配性变得很差;其次,传统的双极型晶体管构成的带隙基准电路通常使用运算放大器将结电压的差值ΔVBE取出,并置于采样电阻两端,而流经采样电阻的电流亦构成了带隙基准电路中的静态电流,故在低功耗设计中,要获取极小的静态电流,必须采用极大的采样电阻值以及更为巨大的放大电阻的阻值,占用了巨大的面积同时造成了采工艺梯度与应力的影响加大;其三,传统带隙基准电路只能产生1.25V左右的电压,并不满足实际使 ...
【技术保护点】
一种具有温度补偿功能的基准电压产生电路,其特征在于,它包括依次连接的正温度系数电压产生电路(11)和类LDO电路(22),正温度系数电压产生电路(11)输出的具有正温度系数的电压通过类LDO电路(22)与具有负温度系数的电压进行叠加后,在类LDO电路(22)的输出端输出低温度系数的基准参考电压(Vref);所述正温度系数电压产生电路(11)由单级或多级单元电路组成,每级单元电路包括采用MOS管的偏置电流源P和两个NMOS管,各级单元电路顺序级联,每级单元电路中的NMOS管A的栅极与NMOS管B的栅极相连接后分别接至NMOS管A的漏极与偏置电流源P的漏极,NMOS管A的源极与NMOS管B的漏极相连接,偏置电流源P产生的电流经过该级NMOS管A与NMOS管B后由NMOS管B的源极连接至下一级单元电路中NMOS管A的源极和NMOS管B的漏极,最后一级单元电路中NMOS管B的源极接地,第一级单元电路中NMOS管A源极与NMOS管B漏极的连接点作为输出节点;所述类LDO电路(22)包括运算放大器和输出单元,运算放大器包括晶体管零(M0)、晶体管一(M1)、晶体管二(M2)、晶体管三(M3)和晶体 ...
【技术特征摘要】
1.一种具有温度补偿功能的基准电压产生电路,其特征在于,它包括依次连接的正温度系数电压产生电路(11)和类LDO电路(22),正温度系数电压产生电路(11)输出的具有正温度系数的电压通过类LDO电路(22)与具有负温度系数的电压进行叠加后,在类LDO电路(22)的输出端输出低温度系数的基准参考电压(Vref);所述正温度系数电压产生电路(11)由单级或多级单元电路组成,每级单元电路包括采用MOS管的偏置电流源P和两个NMOS管,各级单元电路顺序级联,每级单元电路中的NMOS管A的栅极与NMOS管B的栅极相连接后分别接至NMOS管A的漏极与偏置电流源P的漏极,NMOS管A的源极与NMOS管B的漏极相连接,偏置电流源P产生的电流经过该级NMOS管A与NMOS管B后由NMOS管B的源极连接至下一级单元电路中NMOS管A的源极和NMOS管B的漏极,最后一级单元电路中NMOS管B的源极接地,第一级单元电路中NMOS管A源极与NMOS管B漏极的连接点作为输出节点;所述类LDO电路(22)包括运算放大器和输出单元,运算放大器包括晶体管零(M0)、晶体管一(M1)、晶体管二(M2)、晶体管三(M3)和晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕航,王斌,田冀楠,盛敬刚,李妥,王晓晖,代云龙,陈艳梅,
申请(专利权)人:北京同方微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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