The invention discloses a method for promoting the bacterial leaching of a photo catalytic semiconductor sulfide mineral by graphene. Graphene has the advantages of good conductivity, large surface area, good light transmittance, and so on. It can promote the photoinduced electron transfer and increase the utilization rate of the photogenerated electrons. Acidophilic Sulfur Oxidizing Bacteria in iron containing 0.2 3 g/L graphene, light conditions of leaching sulfide mineral semiconductor. Results 6000 12000 leaching intensity Lux add 0.2 3 g/L graphene compared with the darkness without adding graphene leaching, the leaching rate increased by 28.9% 49.7%, compared with the light intensity of 6000 leaching 12000 Lux without the addition of graphene, the leaching rate increased by 3.3% 19.9%. The method of the invention can obviously improve the leaching rate of the semiconductor sulfide minerals, and the semiconductor sulfide minerals have more comprehensive utilization value.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于生物冶金
,具体涉及一种石墨烯促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法。
技术介绍
我国的矿物资源十分匮乏,主要是一些贫矿、低品位的矿物,而且随着经济的高速发展,矿物资源不断消耗,留下了大量的低品位、难处理的矿物,传统的冶金已经很难经济有效地回收利用这些矿物中有价金属了,但是随着经济高速发展,人们对于矿物资源需求却越来越大,使得大量的研究者将精力放在冶金技术改善上来提高冶矿水平。微生物冶金技术具有反应条件温和、设备简单、经济节能、对环境友好等特点,而且微生物冶金技术能够用来处理一些低品位、成分复杂、难处理的矿物,因此在冶金工业上具有很好的应用前景。但是微生物冶金具有浸出速率慢、浸出率低等缺点使得其广泛应用受到了限制。为了提高浸出率、缩短浸出时间,大量研究者从物理、化学、生物等多个方向出发,探究了各种强化微生物浸出的方法。有研究发现光照激发半导体硫化矿物产生的光生电子能够转化为非光合化能自养菌能够利用的化学能,促进其生长。从而能够利用半导体硫化矿这一光催化性能来促进半导体硫化矿物的微生物浸出,但是光生电子极易与光生空穴复合使得光生电子利用率较低。石墨烯具有导电性好、表面积大、透光性好等优点,能够促进光生电子转移,增加光生电子的利用率,促进矿物分散,从而显著增加半导体硫化矿物浸出率。本专利技术通过添加石墨烯能够显著增加了半导体硫化矿物浸出率,因此本专利技术成果具有很好的实用性。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了提高光催化半导体硫化矿物生物浸出的效率,专利技术了一种石墨烯促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法,此方法能够显著促进光催化半导体硫 ...
【技术保护点】
一种石墨烯促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)半导体硫化矿物的制备及培养基的配制;(2)嗜酸铁硫氧化细菌的驯化及培养;(3)将步骤(2)中培养好的嗜酸铁硫氧化细菌进行收集,并将其接入含石墨烯和半导体硫化矿物的9K培养基中,在光照条件下进行浸出。
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)半导体硫化矿物的制备及培养基的配制;(2)嗜酸铁硫氧化细菌的驯化及培养;(3)将步骤(2)中培养好的嗜酸铁硫氧化细菌进行收集,并将其接入含石墨烯和半导体硫化矿物的9K培养基中,在光照条件下进行浸出。2.根据权利要求1所述的石墨烯促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法,其特征在于步骤(1)所述:将半导体硫化矿物破碎成粒径大小为200目以上,培养基按9K培养基配方配制。3.根据权利要求1或2所述的石墨烯促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法,其特征在于步骤(1)所述:浸出体系中所使用的半导体硫化矿物包括黄铜矿、黄铁矿、闪锌矿、辉铜矿、斑铜矿等。4.根据权利要求1所述的石墨烯促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法,其特征在于步骤(2)所述:浸出体系中所使用的嗜酸铁硫氧化细菌包括具有铁和硫氧化能力的各型嗜酸常温菌、中温菌和高温菌以及混合菌组合。5.根据权利要求1或4所述的石墨烯促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法,其特征在于步骤(2)所述:将铁硫氧化细菌菌液以5%-10%的接种量接入含有1%半导体硫化矿9K培养基中,进行第一次驯化,当细菌浓度达到108-109个/ml时,完成第一次驯化,除去虑渣,离心收菌,重复上述步骤,在含有2%、3%...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱建裕,杨宝军,甘敏,宋子博,刘学端,胡岳华,丘冠周,
申请(专利权)人:中南大学,
类型:发明
国别省市:湖南;43
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