一种大功率激光器的驱动电路制造技术

本实用新型专利技术的激光器驱动电路采用了两路功能相同的电路相串联的形式，对于高功率激光器来说，所需驱动电压往往较高，变压器不易设计，次级器件不容易选取，本实用新型专利技术采用前级采用两级独立的电路，次级串联，那么每个次级电压相对较低，有利于变压器设计，有利于次级器件选取。两路电路的输入可以为同一直流电压输入，也可以为不同直流电压输入，输入电压可以相同，也可以不同，方便电源的选取。两路电路单独控制，其控制相位互差180度，有利于次级滤波，后面有三个电压传感器，分别检测各路输出的电压和总体输出电压，若一路损坏，不影响另一路输出。

Driving circuit of high power laser

The utility model of the laser drive circuit uses two circuit function in the same series form for high power laser, the driving voltage is high, the transformer is not easy, not easy to select the secondary device, the utility model adopts the front stage circuit, two independent secondary series, then each secondary voltage low, is conducive to the design of the transformer, is conducive to the selection of secondary devices. The input of the two circuits can be the same DC voltage input, can also be used for different DC voltage input, the input voltage can be the same, can also be different, to facilitate the selection of power supply. Two separate control circuit, the control phase difference of 180 degrees to the secondary filter, three voltage sensors behind the detection voltage and the overall output of each output voltage respectively, if a road damage, does not affect the other output.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种激光器的驱动电路，属于光电子

技术介绍
激光器的种类有很多种，像固体激光器，气体激光器，半导体激光器，光纤激光器等等。在这些激光器当中，除部分半导体激光器属于直接电流泵浦之外，其余激光器基本上都是通过泵浦源进行泵浦的，特别是对于大功率的激光器，需要使用大功率的驱动电路对泵浦源进行驱动，从而产生大功率的泵浦光，但是现有技术中一般是针对不同的激光器设计不同的驱动电路，一般的驱动电路很少通过简单改变即可适用到其它激光器上。并且，对于大功率激光器的驱动电路来说，高功率激光器一般需要的驱动电压也比较高，此时，变压器不易设计，主要体现在绝缘不好，寄生电容大，漏感大等问题，再者这样电路中变压器的次级器件不容易选取。本技术正是针对上述问题而提出来的。
技术实现思路
根据本技术的一实施例，提供了一种激光器驱动电路，包括第一和第二输入端，其中第一输入端包括正输入端vin1+和负输入端vin1-，第二输入端包括正输入端vin2+和负输入端vin2-，正输入端vin1+连接变压器T1的初级两个绕组的中点，该中点为初级第一和第二绕组的异名端连接点，初级第一绕组和第二绕组的另外一端分别连接场效应管mos1和mos2的漏极，电阻R6和电容C3串联后并联在MOS1的漏极和源极两端作为mos1的吸收回路，电阻R7和电容C4串联后并联在MOS2的漏极和源极两端作为mos2的吸收回路，mos1和mos2的源极都连接到负输入端vin1-，mos1和mos2的门极分别通过电阻R10和R11连接到微处理器MCU。变压器T1的次级具有两个输出端，其中一个输出端连接二极管D1的阳极和二级管D3阴极，另外一端连接二极管D2的阳极和二极管D4的阴极，二极管D1和D2的阴极共同连接到电感L1的一端，二极管D3和D4的阳极共同连接到电容C1的一端以及电阻R3的一端，电感L1的另外一端与电容C1的另外一端连接后再共同连接到电阻R2的一端、隔离电压传感器VSEN1的一个输入端以及晶闸管THY1的阳极，晶闸管THY1的阴极连接负载，电阻R2的另外一端与电阻R3的另外一端连接，隔离电压传感器VSEN2与电阻R3并联，隔离电压传感器VSEN1和VSEN2的输出端分别连接微处理器MCU；正输入端vin2+连接变压器T2的初级两个绕组的中点，该中点为初级第一和第二绕组的异名端连接点，初级第一绕组和第二绕组的另外一端分别连接场效应管mos3和mos4的漏极，电阻R8和电容C5串联后并联在MOS3的漏极和源极两端作为mos3的吸收回路，电阻R9和电容C6串联后并联在MOS4的漏极和源极两端作为mos4的吸收回路，mos3和mos4的源极都连接到负输入端vin2-，mos3和mos4的门极分别通过电阻R12和R13连接到微处理器MCU。变压器T2的次级具有两个输出端，其中一个输出端连接二极管D5的阳极和二级管D7阴极，另外一端连接二极管D6的阳极和二极管D8的阴极，二极管D5和D7的阴极共同连接到电感L2的一端，二极管D6和D8的阳极共同连接到电容C2的一端以及电阻R4的一端，电感L2的另外一端与电容C2的另外一端连接后再共同连接到电阻R4的一端、隔离电压传感器VSEN1的另外一个输入端以及负载，电阻R4的另外一端与电阻R5的另外一端连接，隔离电压传感器VSEN3与电阻R5并联，隔离电压传感器VSEN3的输出端连接微处理器MCU，同时，电容C1和C2串联连接。附图说明附图1是本技术的激光器驱动电路的示意图。具体实施方式下面将在结合附图的基础上详细描述本技术的激光器驱动电路。本技术的激光器驱动电路具体组成如下：包括第一和第二输入端，其中第一输入端包括正输入端vin1+和负输入端vin1-，第二输入端包括正输入端vin2+和负输入端vin2-，正输入端vin1+连接变压器T1的初级两个绕组的中点，该中点为初级第一和第二绕组的异名端连接点，初级第一绕组和第二绕组的另外一端分别连接场效应管mos1和mos2的漏极，电阻R6和电容C3串联后并联在MOS1的漏极和源极两端作为mos1的吸收回路，电阻R7和电容C4串联后并联在MOS2的漏极和源极两端作为mos2的吸收回路，mos1和mos2的源极都连接到负输入端vin1-，mos1和mos2的门极分别通过电阻R10和R11连接到微处理器MCU。变压器T1的次级具有两个输出端，其中一个输出端连接二极管D1的阳极和二级管D3阴极，另外一端连接二极管D2的阳极和二极管D4的阴极，二极管D1和D2的阴极共同连接到电感L1的一端，二极管D3和D4的阳极共同连接到电容C1的一端以及电阻R3的一端，电感L1的另外一端与电容C1的另外一端连接后再共同连接到电阻R2的一端、隔离电压传感器VSEN1的一个输入端以及晶闸管THY1的阳极，晶闸管THY1的阴极连接负载，电阻R2的另外一端与电阻R3的另外一端连接，隔离电压传感器VSEN2与电阻R3并联，隔离电压传感器VSEN1和VSEN2的输出端分别连接微处理器MCU。正输入端vin2+连接变压器T2的初级两个绕组的中点，该中点为初级第一和第二绕组的异名端连接点，初级第一绕组和第二绕组的另外一端分别连接场效应管mos3和mos4的漏极，电阻R8和电容C5串联后并联在MOS3的漏极和源极两端作为mos3的吸收回路，电阻R9和电容C6串联后并联在MOS4的漏极和源极两端作为mos4的吸收回路，mos3和mos4的源极都连接到负输入端vin2-，mos3和mos4的门极分别通过电阻R12和R13连接到微处理器MCU。变压器T2的次级具有两个输出端，其中一个输出端连接二极管D5的阳极和二级管D7阴极，另外一端连接二极管D6的阳极和二极管D8的阴极，二极管D5和D7的阴极共同连接到电感L2的一端，二极管D6和D8的阳极共同连接到电容C2的一端以及电阻R4的一端，电感L2的另外一端与电容C2的另外一端连接后再共同连接到电阻R4的一端、隔离电压传感器VSEN1的另外一个输入端以及负载，电阻R4的另外一端与电阻R5的另外一端连接，隔离电压传感器VSEN3与电阻R5并联，隔离电压传感器VSEN3的输出端连接微处理器MCU，同时，电容C1和C2串联连接。根据上述的电路设计，可以看出，本技术的激光器驱动电路采用了两路功能相同的电路相串联的形式，对于高功率激光器来说，所需驱动电压往往较高，变压器不易设计，次级器件不容易选取，本技术采用前级采用两级独立的电路，次级串联，那么每个次级电压相对较低，有利于变压器设计，有利于次级器件选取。两路电路的输入可以为同一直流电压输入，也可以为不同直流电压输入，输入电压可以相同，也可以不同，方便电源的选取。两路电路单独控制，其控制相位互差180度，有利于次级滤波，后面有三个电压传感器，分别检测各路输出的电压和总体输出电压，若一路损坏，不影响另一路输出。其工作过程大致如下：对于其中一个电路而言，mos3和mos4交替导通，MCU检测输出电压，然后根据检测电压调节mos管的驱动脉冲宽度，从而达到调节输出电压的目的，构成反馈电路。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光器驱动电路，包括第一和第二输入端，其中第一输入端包括正输入端vin1+和负输入端vin1‑，第二输入端包括正输入端vin2+和负输入端vin2‑，正输入端vin1+连接变压器T1的初级两个绕组，初级第一绕组和第二绕组的另外一端分别连接场效应管mos1和mos2的漏极，电阻R6和电容C3串联后并联在MOS1的漏极和源极两端作为mos1的吸收回路，电阻R7和电容C4串联后并联在MOS2的漏极和源极两端作为mos2的吸收回路，mos1和mos2的源极都连接到负输入端vin1‑，mos1和mos2的门极分别通过电阻R10和R11连接到微处理器MCU，变压器T1的次级具有两个输出端，其中一个输出端连接二极管D1的阳极和二级管D3阴极，另外一端连接二极管D2的阳极和二极管D4的阴极，二极管D1和D2的阴极共同连接到电感L1的一端，二极管D3和D4的阳极共同连接到电容C1的一端以及电阻R3的一端，电感L1的另外一端与电容C1的另外一端连接后再共同连接到电阻R2的一端、隔离电压传感器VSEN1的一个输入端以及晶闸管THY1的阳极，晶闸管THY1的阴极连接负载，电阻R2的另外一端与电阻R3的另外一端连接，隔离电压传感器VSEN2与电阻R3并联，隔离电压传感器VSEN1和VSEN2的输出端分别连接微处理器MCU；正输入端vin2+连接变压器T2的初级两个绕组，初级第一绕组和第二绕组的另外一端分别连接场效应管mos3和mos4的漏极，电阻R8和电容C5串联后并联在MOS3的漏极和源极两端作为mos3的吸收回路，电阻R9和电容C6串联后并联在MOS4的漏极和源极两端作为mos4的吸收回路，mos3和mos4的源极都连接到负输入端vin2‑，mos3和mos4的门极分别通过电阻R12和R13连接到微处理器MCU，变压器T2的次级具有两个输出端，其中一个输出端连接二极管D5的阳极和二级管D7阴极，另外一端连接二极管D6的阳极和二极管D8的阴极，二极管D5和D7的阴极共同连接到电感L2的一端，二极管D6和D8的阳极共同连接到电容C2的一端以及电阻R4的一端，电感L2的另外一端与电容C2的另外一端连接后再共同连接到电阻R4的一端、隔离电压传感器VSEN1的另外一个输入端以及负载，电阻R4的另外一端与电阻R5的另外一端连接，隔离电压传感器VSEN3与电阻R5并联，隔离电压传感器VSEN3的输出端连接微处理器MCU，同时，电容C1和C2串联连接。...

【技术特征摘要】
1.一种激光器驱动电路，包括第一和第二输入端，其中第一输入端包括正输入端vin1+和负输入端vin1-，第二输入端包括正输入端vin2+和负输入端vin2-，正输入端vin1+连接变压器T1的初级两个绕组，初级第一绕组和第二绕组的另外一端分别连接场效应管mos1和mos2的漏极，电阻R6和电容C3串联后并联在MOS1的漏极和源极两端作为mos1的吸收回路，电阻R7和电容C4串联后并联在MOS2的漏极和源极两端作为mos2的吸收回路，mos1和mos2的源极都连接到负输入端vin1-，mos1和mos2的门极分别通过电阻R10和R11连接到微处理器MCU，变压器T1的次级具有两个输出端，其中一个输出端连接二极管D1的阳极和二级管D3阴极，另外一端连接二极管D2的阳极和二极管D4的阴极，二极管D1和D2的阴极共同连接到电感L1的一端，二极管D3和D4的阳极共同连接到电容C1的一端以及电阻R3的一端，电感L1的另外一端与电容C1的另外一端连接后再共同连接到电阻R2的一端、隔离电压传感器VSEN1的一个输入端以及晶闸管THY1的阳极，晶闸管THY1的阴极连接负载，电阻R2的另外一端与电阻R3的另外一端连接，隔离电压传感器...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵一名，李松涛，
申请(专利权)人：华北电力大学保定，
类型：新型
国别省市：河北;13