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一种纳米陶瓷及其制备方法技术

技术编号:15064926 阅读:100 留言:0更新日期:2017-04-06 13:00
本发明专利技术公开了一种纳米陶瓷及其制备方法:所述的一种纳米陶瓷的重量份数为:氧化铝AL2O3:20-35份;碳化硅SiC:10-25份;硅藻土:5-8份;聚醋酸乙烯酯:0.5-1.5份;碳化钨WC:5-12份;氧化锆ZrO:2-8份。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于陶瓷制备
,尤其涉及一种纳米陶瓷及其制备方法。
技术介绍
纳米陶瓷材料是指由纳米级微粒作为原料所制备的显微结构中物相具有纳米级尺度的陶瓷材料或者陶瓷制品,其晶粒尺寸,晶界宽度,第二相分布,缺陷尺寸等都在纳米级尺度上,由于纳米微粒具有小尺寸效应,表面效应,量子尺寸效应以及宏观隧道效应等特殊功能。纳米陶瓷材料被广泛的应用人们日常生活中,因此对环保型负离子生态陶瓷的研究是十分重要的。传统陶瓷纳米陶瓷材料相比,有着以下的不足:1传统陶瓷的粒径大,比表面积小,因此其吸附能力不强和表面清洁能力不强;2传统陶瓷的白度低,消色能力弱,耐腐蚀性耐热性无法和纳米材料相比;3传统陶瓷不具有净化空气,杀菌,除臭等功能;4传统的陶瓷在制备过程中往往需要加入重金属,容易造成对环境的不利影响。中国专利201410522500.1,专利技术名称为一种高强度纳米陶瓷材料及其制备方法,本专利技术公开了一种高强度纳米陶瓷材料及其制备方法,所述纳米陶瓷由以下质量份数的各个组分构成:(1)碳化硅,18-32份;(2)碳化钨,15-25份;(3)纳米MnO,4-9份;(4)Nb2O5,3-8份;(5)TaSe2,4-8份;(6)纳米氧化锌,5-8份;(7)纳米氧化锆,5-15份;(8)烧结助剂,6-10份。一种高强度纳米陶瓷材料的制备方法是通过高温固化法进行制备。其不足是所述纳米陶瓷材料的耐腐蚀性不好。中国专利201410704653.8,专利技术名称为一种纳米陶瓷材料及其制备方法,本专利技术公开了一种纳米陶瓷材料及其制备方法,该纳米陶瓷材料,由包含以下重量份的组分制成:SiC:70-73份、丙三醇:10-13份、Pb3O4:10-12份、TiO:25-8份、硅藻土:5-8份、Al2O3:3-5份、ZrO:22-5份、IrO2:0.5-2份;聚醋酸乙烯酯:0.5-1.5份。本专利技术还提供了一种纳米陶瓷材料的制备方法,该方法包括以下步骤:(1)称取SiC70-73份、丙三醇10-13份、Pb3O410-12份、硅藻土5-8份、Al2O33-5份、ZrO22-5份、IrO20.5-2份;聚醋酸乙烯酯0.5-1.5份,混合均匀;(2)将步骤1的产物,在惰性气氛下加入充分球磨的TiO25-8份,在1150-1200℃下烧结,保温2-4h,得到纳米陶瓷材料。其不足是所述纳米陶瓷材料强度和韧性不好。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足,本专利技术目的是给出一种纳米陶瓷及其制备方法,为实现本专利技术的上述目的,本专利技术采用如下技术方案:纳米陶瓷的颗粒效应对纳米陶瓷会产生非常大的影响。两个纳米颗粒之间原子作用力最大距离为0.5-5nm之间。弹性模量和强度等力学性能发生突变的最大临界尺寸为100nm,从磁性特性考虑,其临界尺寸为100nm,而强磁性时为100-1000nm,从光学特性考虑,其临界尺寸为50-100nm,从分散相晶核角度考虑,临界尺寸为0.5nm;从量子力学角度计算临界尺寸为5nm。总之,纳米尺寸效应是在0.5-50nm的很小范围之内。当纳米组织的尺寸为1-100nm时,在化学性能方面将会引起很大的变化。这种纳米化学效应表现为催化剂的作用;纳米光学效应则表现在非线性和非对称性方面;组织尺寸达到临界尺寸时,在两个相的作用下产生中间相,有时出现高弹性系数和高强度材料。高强度材料具有高熔点,高弹性,低膨胀的特性。因此要保证纳米陶瓷材料的高强度,其临界尺寸为100nm以下,在高温下这种基体相的滑移也被约束,因此可以提高材料的强度。所述的一种纳米陶瓷的重量份数为:氧化铝AL2O3:20-35份;碳化硅SiC:10-25份;硅藻土:5-8份;聚醋酸乙烯酯:0.5-1.5份;碳化钨WC:5-12份;氧化锆ZrO:2-8份。采用所述的一种纳米陶瓷的制备方法,包括如下步骤:步骤1:原料配比:按照所述的一种纳米陶瓷材料的质量百分数,将原料混合在一起。步骤2:晶粒制成:将步骤1得到的原料,采用共沉淀法得到直径为10nm左右的粉体颗粒。步骤3:静压成型:通过超高压的环境,将步骤2所得到的原料晶粒在密闭的超高压环境下得到成型的坯体。步骤3-1:将原料晶体放入静压设备中,并将静压设备的压力设定为550MPa持续作用3-500ms,将所述直径为10nm的原料晶粒压制成相对密度为62%-83%的素坯。进一步的,通过调整静压设备的压力可以改变素坯的相对密度,控制素坯的气孔率,其关系由如下的表达式:步骤3-2:将步骤3-1得到的素坯采用机械干压的方式来获得100%的坯体。步骤4:烧结:将步骤3得到的坯体放入烧结容器中,在烧结容器中注入惰性气体作为压力传递的介质。然后设定工作温度为700-1200℃,使坯体经受高温和均衡压力的作用,大约经过2-4h,可以得到致密件。步骤5:将步骤4所述的经过浸泡处理的半成品放入窑具中,送到干燥窑中进行干燥处理,干燥温度为200-300℃,干燥时间为1-2h。从干燥窑中取出后即可到达成品。具体实施方式实施例1:氧化铝AL2O3:22份;碳化硅SiC:12份;硅藻土:5份;聚醋酸乙烯酯:0.5份;碳化钨WC:10份;氧化锆ZrO:5份。步骤1:原料配比:按照所述的一种纳米陶瓷材料的质量百分数,将原料混合在一起。步骤2:晶粒制成:将步骤1得到的原料,采用共沉淀法得到直径为10nm左右的粉体颗粒。步骤3:静压成型:通过超高压的环境,将步骤2所得到的原料晶粒在密闭的超高压环境下得到成型的坯体。步骤3-1:将原料晶体放入静压设备中,并将静压设备的压力设定为550MPa持续作用200ms,将所述直径为10nm的原料晶粒压制成相对密度为80%的素坯。进一步的,通过调整静压设备的压力可以改变素坯的相对密度,控制素坯的气孔率,其关系由如下的表达式:步骤3-2:将步骤3-1得到的素坯采用机械干压的方式来获得100%的坯体。步骤4:烧结:将步骤3得到的坯体放入烧结容器中,在烧结容器中注入惰性气体作为压力传递的介质。然后设定工作温度为800℃,使坯体经受高温和均衡压力的作用,大约经过3h,可以得到致密件。步骤5:将步骤4所述的经过浸泡处理的半成品放入窑具中,送到干燥窑中进行干燥处理,干燥温度为250℃,干燥时间为1.5h。从干燥窑中取出后即可到达成品。实施例2:氧化铝AL2O3:30份;碳化硅SiC:15份;硅藻土:8份;聚醋酸乙烯酯:1.5份;碳化钨WC:12份;氧化锆ZrO:6份。步骤1:原料配比:按照所述的一种纳米陶瓷材料的质量百分数,将原料混合在一起。步骤2:晶粒制成:将步骤1得到的原料,采用共沉淀法得到直径为10nm左右的粉体颗粒。步骤3:静压成型:通过超高压的环境,将步骤2所得到的原料晶粒在密闭的超高压环境下得到成型的坯体。步骤3-1:将原料晶体放入静压设备中,并将静压设备的压力设定为550MPa持续作用50ms,将所述直径为10nm的原料晶粒压制成相对密度为75%的素坯。进一步的,通过调整静压设备的压力可以改变素坯的相对密度,控制素坯的气孔率,其关系由如下的表达式:步骤3-2:将步骤3-1得到的素坯采用机械干压的方式来获得100%的坯体。步骤4:烧结:将步骤3得到的坯体放入烧结容器中,在烧结容器中注入惰性气体作为压力传递的介质。然后设定工作温度为1000℃,使坯本文档来自技高网
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【技术保护点】
所述的一种纳米陶瓷及其制备方法,其特征在于包含以下质量份数的元素:氧化铝AL2O3:20‑35份;碳化硅SiC:10‑25份;硅藻土:5‑8份;聚醋酸乙烯酯:0.5‑1.5份;碳化钨WC:5‑12份;氧化锆ZrO:2‑8份。

【技术特征摘要】
1.所述的一种纳米陶瓷及其制备方法,其特征在于包含以下质量份数的元素:氧化铝AL2O3:20-35份;碳化硅SiC:10-25份;硅藻土:5-8份;聚醋酸乙烯酯:0.5-1.5份;碳化钨WC:5-12份;氧化锆ZrO:2-8份。2.所述的一种纳米陶瓷的制备方法,包括如下步骤:步骤1:原料配比:按照所述的一种纳米陶瓷材料的质量百分数,将原料混合在一起;步骤2:晶粒制成:将步骤1得到的原料,采用共沉淀法得到直径为10nm左右的粉体颗粒;步骤3:静压成型:通过超高压的环境,将步骤2所得到的原料晶粒在密闭的超高压环境下得到成型的坯体;步骤3-1:将原料晶体放入静压设备中,并将静压设备的压力设定为550MPa持续...

【专利技术属性】
技术研发人员:李月梅
申请(专利权)人:李月梅
类型:发明
国别省市:辽宁;21

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