脱模膜、以及半导体封装体的制造方法技术

本发明专利技术提供一种在用固化性树脂密封半导体元件时脱模性优良、可抑制脱模膜导致的树脂密封部和模具的污染、并且可形成与墨水层的密合性优良的树脂密封部的脱模膜，以及使用该脱模膜的半导体封装体的制造方法。本发明专利技术的脱模膜是在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜，其中，具备在上述树脂密封部的形成时与上述固化性树脂接触的第1面和与上述内腔面接触的第2面，至少上述第1面由氟树脂构成，在特定的试验法中的F/Al为0.2～4或F/(C+F+O)为0.1～0.3。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜、以及使用该脱模膜的半导体封装体的制造方法。
技术介绍
半导体封装体具有保护半导体元件的树脂密封部。在树脂密封部的形成(半导体元件的密封)中，使用环氧树脂等热固化性树脂等固化性树脂。作为半导体封装体的制造方法，例如已知包括利用所谓压缩成形法或传递成形法的密封工序的方法，所述压缩成形法或传递成形法是将安装有半导体元件的基板以使该半导体元件位于模具的内腔内的规定位置的方式进行配置，在内腔内填充固化性树脂形成树脂密封部。该方法中，为了防止密封工序中密封树脂和模具粘接，提高脱模性，因此实施在固化性树脂中掺合脱模剂、在模具的内腔面上配置脱模膜等对策。在半导体元件的密封工序中，即使配置脱模膜，也存在从固化性树脂产生的气体(放出气体)或低粘度物质穿透脱模膜与高温的模具接触而污染模具的问题。此外，脱模膜随模具的内腔面的配置是用真空使该脱模膜吸附支持在模具面上来进行的，但是脱模膜中的低聚物等挥发性成分可能会迁移至上述被吸附的模具侧，引起模具污染。如果发生模具污染，则为了清洗模具而不得不暂停半导体元件的密封工序，半导体封装体的生产效率下降。针对这样的问题，提出了以下的(1)～(2)的脱模膜(专利文献1～2)。(1)一种气体阻隔性半导体树脂模具用脱模膜，具有脱模性优良的脱模层和对其进行支持的塑料支持层，上述塑料支持层的170℃下的200％拉伸时强度为1～50MPa，且170℃下的二甲苯气体穿透性在5×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。(2)一种气体阻隔性半导体树脂模具用脱模膜，具有脱模性优良的脱模层、对其进行支持的塑料支持层和形成于该脱模层和支持层之间的由金属或金属氧化物构成的气体穿透抑制层，且170℃下的二甲苯气体穿透性在5×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。(1)～(2)的脱模膜通过使二甲苯气体穿透性在5×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下，可减少放出气体或低粘度物质导致的模具污染。(1)～(2)的脱模膜中，脱模层为了对固化后的模具树脂(树脂密封部)赋予足够的脱模性，至少被设于与被注入模具内的模具树脂接触的面。作为脱模层，使用由氟树脂构成的层。此外，在半导体封装体的制造中，为了表示制品编号、制造商等信息，通常在形成的树脂密封部的表面上通过使用墨水的印刷来形成墨水层。但是，在将脱模剂掺合在固化性树脂中的情况下，由于形成的树脂密封部的表面上存在脱模剂，因此树脂密封部和墨水层的密合性低，产生随着时间墨水层从树脂密封部剥落的问题。因此需要实施某些处理来防止密合性的下降(例如专利文献3)，制造工序变多。在固化性树脂中不掺合脱模剂、在模具的内腔面上配置脱模膜的情况下，不会产生脱模剂导致的问题，但树脂密封部和墨水层的密合性不足。为了提高树脂密封部和墨水层的密合性，提出了使用在表面上形成凹凸、增大表面粗度的脱模膜，以将该凹凸朝着固化性树脂侧的方式配置在模具上而形成树脂密封部的方案(例如专利文献4)。在该情况下，脱模膜表面的凹凸被转印在树脂密封部的表面上。通过存在该凹凸，来提高墨水层对树脂密封部的密合性。对于脱模膜，在脱模性之外，还要求可耐受成形时的模具温度的耐热性，可耐受密封树脂的流动和加压力的强度等。由于这些特性优良，提出了将氟树脂膜作为脱模膜使用(例如专利文献5)。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2007/125834号专利文献2：国际公开第2008/020543号专利文献3：日本专利第2803744号公报专利文献4：日本专利第3970464号公报专利文献5：国际公开第2010/079812号
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本专利技术人发现，专利文献1～2中记载的脱模膜中的氟树脂层的氟树脂和专利文献5中记载的氟树脂膜中的氟树脂中大多含有来源于该氟树脂的含氟低聚物和除此以外的低分子量的含氟化合物(以下，将这些称为来源于氟树脂的低聚物等。)，这样的来源于氟树脂的低聚物等有成为污染物质、产生问题之虞。即，根据本专利技术人的研究，在使用专利文献1～2中记载的脱模膜的情况下，在密封工序中发现存在由于脱模膜的脱模层的来源于氟树脂的低聚物等而树脂密封部被污染的问题。此外，虽然专利文献1～2中还提出了将脱模层设于脱模膜的模具侧的方案，但在该情况下，发现存在不仅是树脂密封部、模具也由于脱模层的来源于氟树脂的低聚物等而被污染的问题。根据本专利技术人的研究，还发现在使用氟树脂膜作为脱模膜的情况下，密封工序中存在脱模膜的来源于氟树脂的低聚物等附着在树脂密封部的表面而使树脂密封部和墨水层的密合性下降的问题。本专利技术的目的在于提供一种在用固化性树脂密封半导体元件时脱模性优良、且可抑制脱模膜导致的树脂密封部的污染、可形成与墨水层的密合性优良的树脂密封部的脱模膜，以及使用该脱模膜的半导体封装体的制造方法。解决技术问题所采用的技术方案本专利技术提供具有以下的[1]～[14]的构成的脱模膜、以及半导体封装体的制造方法。[1]一种脱模膜，它是在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜，其中，具备在上述树脂密封部的形成时与上述固化性树脂接触的第1面和与上述内腔面接触的第2面，至少上述第1面由氟树脂构成，下述试验法A中的F/Al为0.2～4，或下述试验法B中的F/(C+F+O)为0.1～0.3。<试验法A>以使上述第1面和上述铝板接触的方式依次将厚度1mm的厚纸、脱模膜、厚度0.1mm的由JISH4160中的A1N30H-H18材料构成的铝板、厚度1mm的厚纸重叠，在180℃、5MPa的条件下加压5分钟，将上述脱模膜从上述铝板剥离，通过X射线光电子能谱分析对上述铝板的与上述脱模膜接触的表面进行分析，求出氟原子和铝原子的比(F/Al)。<试验法B>在厚度3mm、大小15cm×15cm的正方形第一金属板之上，放置厚度100μm、大小15cm×15cm的正方形铝箔，在上述铝箔之上，放置厚度100mm、大小15cm×15cm的正方形的在中央开有10cm×8cm的长方形的孔的间隔物，在该孔的中心附近放置2g的下述环氧树脂，进一步在其上以上述第1面向着上述间隔物侧的方式放置大小15cm×15cm的正方形的脱模本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种脱模膜，它是在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜，其特征在于，具备在上述树脂密封部的形成时与上述固化性树脂接触的第1面和与上述内腔面接触的第2面，至少上述第1面由氟树脂构成，下述试验法A中的F/Al为0.2～4，或下述试验法B中的F/(C+F+O)为0.1～0.3；<试验法A>以使上述第1面和厚度0.1mm的由JIS H4160中的A1N30H‑H18材料构成的铝板接触的方式依次将厚度1mm的厚纸、脱模膜、上述铝板、厚度1mm的厚纸重叠，在180℃、5MPa的条件下加压5分钟，将上述脱模膜从上述铝板剥离，通过X射线光电子能谱分析对上述铝板的与上述脱模膜接触的表面进行分析，求出氟原子和铝原子的比F/Al；<试验法B>在厚度3mm、大小15cm×15cm的正方形第一金属板之上，放置厚度100μm、大小15cm×15cm的正方形铝箔，在上述铝箔之上，放置厚度100mm、大小15cm×15cm的正方形的在中央开有10cm×8cm的长方形的孔的间隔物，在该孔的中心附近放置2g的下述环氧树脂，进一步在其上以上述第1面向着上述间隔物侧的方式放置大小15cm×15cm的正方形的脱模膜，再在该脱模膜上放置厚度3mm、大小15cm×15cm的正方形第二金属板，制造层叠样品，将上述层叠样品以180℃、10MPa的条件加压5分钟，使上述环氧树脂固化，加压后，除去上述第二金属板、上述脱模膜以及上述间隔物，通过X射线光电子能谱分析对上述环氧树脂的固化物的与上述脱模膜接触的表面进行分析，求出氟原子与碳原子、氟原子、氧原子之和的比F/(C+F+O)；环氧树脂：半导体密封用环氧颗粒树脂，商品名：SUMIKON EME G770H型号F ver.GR，住友电木株式会社制。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.07 JP 2013-231364;2013.11.07 JP 2013-231361.一种脱模膜，它是在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂
密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜，其特征在于，
具备在上述树脂密封部的形成时与上述固化性树脂接触的第1面和与上述内腔面接触
的第2面，
至少上述第1面由氟树脂构成，
下述试验法A中的F/Al为0.2～4，或下述试验法B中的F/(C+F+O)为0.1～0.3；
<试验法A>
以使上述第1面和厚度0.1mm的由JISH4160中的A1N30H-H18材料构成的铝板接触的方
式依次将厚度1mm的厚纸、脱模膜、上述铝板、厚度1mm的厚纸重叠，在180℃、5MPa的条件下
加压5分钟，将上述脱模膜从上述铝板剥离，通过X射线光电子能谱分析对上述铝板的与上
述脱模膜接触的表面进行分析，求出氟原子和铝原子的比F/Al；
<试验法B>
在厚度3mm、大小15cm×15cm的正方形第一金属板之上，放置厚度100μm、大小15cm×
15cm的正方形铝箔，在上述铝箔之上，放置厚度100mm、大小15cm×15cm的正方形的在中央
开有10cm×8cm的长方形的孔的间隔物，在该孔的中心附近放置2g的下述环氧树脂，进一步
在其上以上述第1面向着上述间隔物侧的方式放置大小15cm×15cm的正方形的脱模膜，再
在该脱模膜上放置厚度3mm、大小15cm×15cm的正方形第二金属板，制造层叠样品，将上述
层叠样品以180℃、10MPa的条件加压5分钟，使上述环氧树脂固化，加压后，除去上述第二金
属板、上述脱模膜以及上述间隔物，通过X射线光电子能谱分析对上述环氧树脂的固化物的
与上述脱模膜接触的表面进行分析，求出氟原子与碳原子、氟原子、氧原子之和的比F/(C+F
+O)；
环氧树脂：半导体密封用环氧颗粒树脂，商品名：SUMIKONEMEG770H型号Fver.GR，住
友电木株式会社制。
2.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，厚度为16～200μm。
3.如权利要求1或2所述的脱模膜，其特征在于，该脱模膜是由上述氟树脂构成的单层
构造的膜。
4.如权利要求1～3中任一项所述的脱模膜，其特征在于，上述氟树脂为氟代烯烃类聚
合物。
5.如权利要求4所述的脱模膜，其特征在于，上述氟代烯烃类聚合物为乙烯/四氟乙烯
共聚物。
6.如权利要求5所述的脱模膜，其特征在于，上述乙烯/四氟乙烯共聚物由基于四氟乙
烯的单元、和基于乙烯的单元、和基于四氟乙烯以及乙烯以外的第三单体的单...

【专利技术属性】
技术研发人员：笠井涉，铃木政己，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP