【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体涉及用于高频信号的波导管,以及特别地涉及用于将信号发射到介质波导管(dielectricwaveguide)中的结构。
技术介绍
在电磁和通信工程中,术语波导管可指的是在其端点之间传送电磁波的任何线性结构。原始的和最普遍的意义是用于运载无线电波的空心金属管。出于诸如将微波发射器和接收器连接到它们的天线的目的,这种类型的波导管在诸如微波炉、雷达设备、卫星通信以及微波无线电链路的设备中被用做传输线。介质波导管采用固体介电核心,而不使用空心管。介电质是能够被施加的电场极化的电绝缘体。当介电质被放置在电场中时,电荷不像它们在导体中那样流过材料,而仅从引起介电极化的平均平衡位置轻微地移位。由于介电极化,正电荷被朝向场移动位置并且负电荷在相反的方向上移位。这创建了减小介电质自身内的整体场的内部电场。如果介电质是由弱结合的分子组成,那些分子不仅被极化,而且重定向,以便它们的对称轴与场对齐。而术语“绝缘体”意指低电传导,“介电质”一般用于描述具有高极化率的材料;其用被称为相对电容率(εk)的数表示。术语绝缘体通常用于指示电阻塞,而术语介电质用于指示凭借极化的材料的储能容量。电容率是一种材料性质,其表示材料由于电极化(J/V^2)/(m)的每单位米储能的一种度量。相对电容率是因数,电荷之间的电场通过该因数相对于真空减小或增大。电容率一般用希腊字母ε表示。相对电容率也通常被称为介电常数。电容率是材料响应于施加的磁场而支持自身内磁场形成的能力的一种度量。磁导率一般用希腊字母μ表示。金属管波导管中的电磁波可被认为成以之字形路径沿导管行进,在导管相对的壁之间被反复地 ...
【技术保护点】
一种信号发射系统,其包括:第一基板,所述第一基板具有第一表面和相反的第二表面;第二多层基板,所述第二多层基板具有第一表面和相反的第二表面,其中,在所述第一表面和所述第二表面之间具有近似垂直地布置的边缘表面;发射器电路,其位于所述第二多层基板上,所述发射器具有射频输出端口即RF输出端口,其中所述发射器被配置为生成具有波长的RF信号;天线,其在所述第二多层基板上或在所述第二多层基板内形成,并且邻近所述边缘表面且耦合到所述第一发射器的所述输出端口;其中所述第二多层基板安装在所述第一基板的所述第一表面上;以及导电反射片,其在所述第一基板上或在所述第一基板内形成,以便所述导电反射片大约从邻近所述天线的所述第一多层基板的边缘延伸的距离大于离所述第一多层基板的所述边缘的所述RF信号的大约五个波长的距离。
【技术特征摘要】
2015.09.28 US 14/867,6621.一种信号发射系统,其包括:第一基板,所述第一基板具有第一表面和相反的第二表面;第二多层基板,所述第二多层基板具有第一表面和相反的第二表面,其中,在所述第一表面和所述第二表面之间具有近似垂直地布置的边缘表面;发射器电路,其位于所述第二多层基板上,所述发射器具有射频输出端口即RF输出端口,其中所述发射器被配置为生成具有波长的RF信号;天线,其在所述第二多层基板上或在所述第二多层基板内形成,并且邻近所述边缘表面且耦合到所述第一发射器的所述输出端口;其中所述第二多层基板安装在所述第一基板的所述第一表面上;以及导电反射片,其在所述第一基板上或在所述第一基板内形成,以便所述导电反射片大约从邻近所述天线的所述第一多层基板的边缘延伸的距离大于离所述第一多层基板的所述边缘的所述RF信号的大约五个波长的距离。2.根据权利要求1所述的系统,进一步包括:介质波导管即DWG,其具有由介电包层包围的介电核心部件,其中所述DWG的端部安装在所述反射片上方,以便在所述DWG的端部处的所述核心部件的暴露面邻近所述天线,并且以便在DWG的端部处的所述核心部件与所述第一基板形成倾斜的角度,其中所述角度是在大约10-30度的范围内。3.根据权利要求2所述的系统,其中在所述DWG的端部处的所述介电包层被锥形化以近似地匹配在所述DWG的端部处的所述核心的所述倾斜的角度。4.根据权利要求3所述的系统,其中所述包层的锥形化部分被抛光。5.根据权利要求1所述的系统,其中所述天线是维瓦尔第天线。6.根据权利要求1所述的系统,进一步包括安装在所述第一基板上的介质波导管插座即DWG插座,其中所述DWG插座包括:介质波导管短截线即DWG短截线,其具有由介电包层包围的介电核心部件,所述DWG短截线具有接合端部和相反的配合端部;插座体,其耦合到所述DWG短截线,以便所述插座体的安装表面被配置为将所述插座体安装在所述第一基板上,以便DWG短截线的所述核心部件与所述第一基板形成倾斜的角度;以及其中所述插座体被配置为与DWG线缆的所述端部耦合,以便所述DWG线缆的所述端部保持与所述DWG短截线的所述配合端部对准。7.根据权利要求6所述的系统,其中在所述DWG短截线的所述接合端部处的介电包层的一部分被锥形化以近似地匹配所述DWG短截线的所述核心的倾斜的角度。8.根据权利要求6所述的系统,进一步包括耦合到所述插座体的护圈,所述护圈被配置为当所述DWG线缆的端部插入所述插座体中时保持所述DWG线缆的所述端部。9.根据权利要求6所述的系统,其中所述插座体和所述短截线的包层是单片的。10.根据权利要求6所述的系统,其中所述DWG短截线的配合端部被配置成非平面形状,用于与具有匹配的非平面形状的配合端部的DWG线缆配合。11.根据权利要求10所述的系统,其中所述非平面形状是尖头的形状。12.根据权利要求10所述的系统,进一步包括可形变...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·A·赫本萨梅尔,B·A·克雷默,
申请(专利权)人:德克萨斯仪器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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