电子照相用导电性构件、处理盒和电子照相图像形成设备制造技术

本发明专利技术涉及电子照相用导电性构件、处理盒和电子照相图像形成设备。提供一种具有稳定的带电能力的电子照相用导电性构件。所述导电性构件依次包括，导电性基体、导电性弹性层和表面层。表面层包含具有氨基甲酸酯键的聚合物。所述聚合物在分子中具有包括在选自以下的至少两种结构群中的结构：由特定结构式(1)表示的结构的结构群A；由特定结构式(2)表示的结构和由结构式(3)表示的结构的至少一种的结构群B；和由特定结构式(4)表示的结构的结构群C。表面层的体积电阻率为1.0×1010Ω·cm以上且1.0×1016Ω·cm以下，并且表面层在距离其表面的深度为1μm处的通用硬度为1.0N/mm2以上且7.0N/mm2以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及导电性构件、处理盒和电子照相图像形成设备。
技术介绍
电子照相图像形成设备中，使用如充电构件、显影构件和转印构件等电子照相用导电性构件。在充电辊的情况下，需要充电构件具有使如感光构件等被充电体均匀带电的能力。近几年，已经要求电子照相图像的图像品质的进一步改进，和电子照相图像形成设备更高的处理速度和更高的耐久性。因此，即使在迄今没有问题产生的水平下感光构件的带电不均匀也可以引起图像缺陷。特别是，近几年，从使图像形成设备简化和除去废弃物的观点，提出了在电子照相图像形成设备中采用无清洁器系统(调色剂回收系统)的提议。在该系统中，除去用作转印步骤后的清洁单元的鼓式清洁器，并且转印后在感光构件上的转印残余调色剂通过显影设备在显影的同时而清除，从而从感光构件去除转印残余调色剂并且使显影设备回收转印残余调色剂。涉及在显影的同时清除感光构件上的转印残余调色剂的方法为涉及在进行下一步骤的形成电子照相图像之前的感光构件上的静电潜像显影期间，通过使用除雾偏压，即，作为施加至显影设备的直流电压与图像承载构件的表面电位之间的电位差的除雾电压差(Vback)，回收感光构件上的转印残余调色剂的方法。在该方面，当接触充电系统的充电构件施用于无清洁器系统时，充电构件表面的污染物的附着在一些情况下变得更显著。为了解决此类问题，提出其中在充电构件与感光构件之间设置圆周速度差并且通过充电构件使转印残余调色剂摩擦带电，结果是转印残余调色剂难以静电地迁移至充电构件的表面的系统。然而，充电构件与感光构件之间的圆周速度差的设置可以通过充电构件增加感光构件的注入带电，结果是感光构件上可能容易地发生带电不均匀。在该方面，为了减少由充电构件引起的感光构件的注入带电，在日本专利申请特开No.2010-72405中，提出将疏水性表面活性剂添加至充电辊的表面层。另外，在日本专利申请特开No.H05-323762中，提出由两层，特别是，绝缘层和导电层形成的充电板。根据由本专利技术的专利技术人进行的研究，当如日本专利申请特开No.2010-72405中，将疏水性表面活性剂添加至充电辊的表面层时，在图像输出的初始阶段获得对感光构件的注入带电的效果，但注入带电-抑制效果随着进行图像输出的张数的增加而消失。认为其原因如下所述。疏水性表面活性剂取向至充电辊表面层的最外表面，从而抑制注入带电。然而，随着进行图像输出的张数的增加，充电辊表面层的最外表面的疏水性表面活性剂可能迁移至与其接触的的感光构件，或者疏水性表面活性剂可能通过放电而分解，导致注入带电-抑制效果消失。另外，由于添加至充电辊表面层的少量的疏水性表面活性剂，使得表面层的粘结剂显著影响感光构件的注入带电，因此限制可以用于表面层的粘结剂。另外，根据由本专利技术的专利技术人进行的研究，当使用日本专利申请特开No.H05-323762的充电板时，可以抑制感光构件的注入带电。然而，通过使充电板和感光构件彼此接触形成的其中放电发生的微小间隙区域，由于感光构件的膜厚度不均匀或者例如，感光构件上残留的外部添加剂或调色剂等的粉末而易于变化。因此，当微小间隙区域变化时，放电区域变化，导致电位转移的容易性变化。结果，感光构件易于具有由于放电不均匀导致的电位不均匀。鉴于上述，本专利技术的目的是提供一种能够使被充电体更均匀地带电的电子照相用导电性构件。本专利技术的另一目的是提供能够长期稳定地形成高品质电子照相图像的处理盒和电子照相图像形成设备。
技术实现思路
本专利技术的专利技术人为了实现上述目的进行了广泛的研究。结果，专利技术人发现上述目的可以通过以下来实现：将包含特定结构并且控制为具有特定体积电阻率的聚氨酯树脂引入至导电性构件的表面层中，并且使表面层的硬度优化。根据本专利技术的一个实施方案，提供一种电子照相用导电性构件，其依次包括：导电性基体；导电性弹性层；和表面层，其中表面层具有1.0×1010Ω·cm以上且1.0×1016Ω·cm以下的体积电阻率，具有1.0N/mm2以上且7.0N/mm2以下的在距离其表面的深度为1μm处的通用硬度，和包含具有氨基甲酸酯键的聚合物，该聚合物在分子中具有选自以下结构群(A)、(B)和(C)三种结构群中的至少两种结构群：(A)由以下结构式(1)表示的结构群；(B)选自由以下结构式(2)表示的结构群和由以下结构式(3)表示的结构群组成的组中的至少一种结构群；和(C)由以下结构式(4)表示的结构群：结构式(1)结构式(2)结构式(3)结构式(4)其中：结构式(1)中，R11、R12和R13各自表示具有3个以上且9个以下的碳原子的二价烃基，条件是，R11和R12彼此不同并且R13与选自R11和R12之一相同，以及p和q各自独立地表示1.0以上的数；在结构式(2)中，r和s各自独立地表示1.0以上的数；在结构式(3)中，R31和R32各自独立地表示具有3个以上且8个以下的碳原子的二价烃基，以及m和n各自独立地表示1.0以上的数；和在结构式(4)中，R41表示具有6个以上且9个以下的碳原子的二价烃基，和k表示1.0以上的数。根据本专利技术另一实施方案，提供一种处理盒，其包括：电子照相感光构件；和与电子照相感光构件接触配置的充电构件，处理盒可拆卸地安装至电子照相图像形成设备的主体，其中充电构件为电子照相用导电性构件。根据本专利技术另一实施方案，提供一种电子照相图像形成设备，其包括：电子照相感光构件；和与电子照相感光构件接触配置的充电构件，其中充电构件为电子照相用导电性构件。参考附图从以下示例性实施方案的描述中，本专利技术的进一步特征将变得显而易见。附图说明图1为根据本专利技术电子照相图像形成设备的说明图。图2为根据本专利技术具有辊形状的电子照相用导电性构件的截面图。具体实施方式现在，将根据附图详细描述本专利技术的优选实施方案。图2为根据本专利技术的具有辊形状的电子照相用导电性构件(下文中，有时称为“导电性辊”)沿与其圆周方向垂直的方向的示例性截面图。图2示出的导电性辊200依次包括导电性基体201、导电性弹性层203和表面层205。另外，表面层包含具有氨基甲酸酯键的聚合物。该聚合物在分子中具有选自以下结构群(A)、(B)和(C)三种结构群中的至少两种结构群：(A)由以下结构式(1)表示的结构群；(B)选自由结构式(2)表示的结构群和由结构式(3)表示的结构群组成的组中的至少一种结构群；和(C)由结构式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子照相用导电性构件，其依次包括：导电性基体；导电性弹性层；和表面层，其特征在于，所述表面层具有1.0×1010Ω·cm以上且1.0×1016Ω·cm以下的体积电阻率，具有1.0N/mm2以上且7.0N/mm2以下的在距离所述表面层的表面的深度为1μm处的通用硬度，并且包含具有氨基甲酸酯键的聚合物，所述聚合物在分子中具有选自以下结构群(A)、(B)和(C)三种结构群中的至少两种结构群：(A)由以下结构式(1)表示的结构群；(B)选自由以下结构式(2)表示的结构群和以下结构式(3)表示的结构群组成的组中的至少一种结构群；和(C)由以下结构式(4)表示的结构群：其中：在所述结构式(1)中，R11、R12和R13各自表示具有3个以上且9个以下的碳原子的二价烃基，条件是，R11和R12彼此不同，并且R13与选自R11和R12之一相同，以及p和q各自独立地表示1.0以上的数；在所述结构式(2)中，r和s各自独立地表示1.0以上的数；在所述结构式(3)中，R31和R32各自独立地表示具有3个以上且8个以下的碳原子的二价烃基，以及m和n各自独立地表示1.0以上的数；和在所述结构式(4)中，R41表示具有6个以上且9个以下的碳原子的二价烃基，和k表示1.0以上的数。...

【技术特征摘要】
2014.11.28 JP 2014-2424701.一种电子照相用导电性构件，其依次包括：
导电性基体；导电性弹性层；和表面层，
其特征在于，所述表面层
具有1.0×1010Ω·cm以上且1.0×1016Ω·cm以下的体积电阻率，
具有1.0N/mm2以上且7.0N/mm2以下的在距离所述表面层的表面的深度为1μm处的通用
硬度，并且
包含具有氨基甲酸酯键的聚合物，所述聚合物在分子中具有选自以下结构群(A)、(B)
和(C)三种结构群中的至少两种结构群：
(A)由以下结构式(1)表示的结构群；
(B)选自由以下结构式(2)表示的结构群和以下结构式(3)表示的结构群组成的组中的
至少一种结构群；和
(C)由以下结构式(4)表示的结构群：
其中：
在所述结构式(1)中，R11、R12和R13各自表示具有3个以上且9个以下的碳原子的二价
烃基，条件是，R11和R12彼此不同，并且R13与选自R11和R12之一相同，以及p和q各自独立地
表示1.0以上的数；
在所述结构式(2)中，r和s各自独立地表示1.0以上的数；
在所述结构式(3)中，R31和R32各自独立地表示具有3个以上且8个以下的碳原子的二
价烃基，以及m和n各自独立地表示1.0以上的数；和
在所述结构式(4)中，R41表示具有6个以上且9个以下的碳原子的二价烃基，和k表示
1.0以上的数。
2....

【专利技术属性】
技术研发人员：西冈悟，山内一浩，山内健一，益启贵，铃村典子，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP