半导体激光光源制造技术

技术编号:15051770 阅读:139 留言:0更新日期:2017-04-05 22:53
现有的半导体激光光源存在生产工序中由于要改变发光体的波导的间隔、或控制施加于激光器阵列的芯片的应力,因此生产率降低的问题。搭载有半导体激光器阵列(2)的散热装置(3a)的形状构成为,多个半导体激光器中的带的宽度方向上的中央侧的区域与除此以外的区域中的散热效率不同,其中,所述半导体激光器阵列(2)由多个半导体激光器的带在所述带的宽度方向上等间隔地排列而成。具体而言,形成为如下结构:当换算成每个半导体激光器对应的面积时,散热装置的第2面中的第2区域的面积比在多个半导体激光器中的带的宽度方向上除中央侧的半导体激光器以外的半导体激光器的散热部所接触的第2面中的第4区域的面积小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体激光光源
技术介绍
作为照明装置及/或显示装置的光源,正在使用半导体激光器或者发光二极管等半导体发光元件来取代寿命较短的灯。特别是,对于大输出光源而言,发光面积较小、能够容易地合成输出、并且由于其单色性而能够较大地获得再现色域的激光源被认为具有前景。但是,在将激光作为光源时,会出现被称为斑点噪声(specklenoise)的看起来好像是闪烁的斑点图案的激光特有的现象。因此,现有的半导体激光光源使构成半导体激光器阵列的多个波导中排列在中央的波导彼此的间隔比多个波导中排列在端部的波导彼此的间隔窄(例如,参照专利文献1)。另外,在另一现有的半导体激光光源中,在半导体激光器阵列中,通过构成为在激光的出射端面部的排列方向上成为不同的应力分布,由此使从半导体激光光源振荡出的波长具有宽度,从而降低了斑点噪声(例如,参照专利文献2)。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008-4743号公报专利文献2:日本特开2009-111230号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题可是,现有的半导体激光光源存在如下这样的问题:在生产工序中,由于要改变波导的间隔、或控制施加于激光阵列的芯片的应力,因此生产率降低。本专利技术是为了解决上述那样的课题而完成的,其目的在于获得一种在抑制生产率降低的同时能够降低斑点噪声的半导体激光光源。用于解决问题的手段本专利技术的半导体激光光源的特征在于具备:半导体激光器阵列,其具有多个半导体激光器,在多个半导体激光器的带的宽度方向上等间隔地排列有多个半导体激光器的带;以及散热装置,其具有搭载半导体激光器阵列的第1面以及与第1面相对且与冷却部接触的第2面,当换算成每个所述半导体激光器对应的面积时,第2区域的面积小于第4区域的面积,该第2区域是与多个半导体激光器中带的宽度方向上的中央侧的半导体激光器的散热部所接触的第1面中的第1区域相对的第2面中的区域,该第4区域是与多个半导体激光器中带的宽度方向上的除中央侧的半导体激光器以外的半导体激光器的散热部所接触的第1面中的第3区域相对的第2面中的区域。另外,本专利技术的半导体激光光源具备:半导体激光器阵列,其具有多个半导体激光器,在多个半导体激光器的带的宽度方向上等间隔地排列有多个半导体激光器的带;以及散热装置,其具有搭载有半导体激光器阵列的第3面以及与第3面相对且与冷却部接触的第4面,与第6区域对应的第2部分的材质的热传导率比与第5区域对应的第1部分的材质的热传导率高,该第5区域是所述多导体激光器中的带的宽度方向上的中央侧的半导体激光器的散热部所接触的区域,该第6区域是除所述中央侧的半激光器以外的半导体激光器的散热部所接触的区域。专利技术效果根据本专利技术,能够获得在抑制生产率降低的同时能够降低斑点噪声的半导体激光光源。附图说明图1是示出本专利技术的实施方式1的半导体激光光源的结构的图。图2是示出本专利技术的实施方式1的半导体激光光源的结构的变形例的图。图3是示出本专利技术的实施方式2的半导体激光光源的结构的图。图4是示出本专利技术的实施方式2的半导体激光光源的结构的第1变形例的图。图5是示出本专利技术的实施方式2的半导体激光光源的结构的第2变形例的图。具体实施方式实施方式1.图1是本专利技术的实施方式1的半导体激光光源100的结构图。半导体激光器阵列2具有多个半导体激光器,并且,多个半导体激光器的带(stripe)(未图示)在带的宽度方向上等间隔地排列,在半导体激光器阵列2的端面,与各半导体激光器对应地具有激光的出射端面部1。散热装置3a具有:搭载有半导体激光器阵列2的第1面和与第1面相对的第2面。半导体激光器阵列2通过使各半导体激光器的散热部与散热装置3a的第1面接触,由此将在各半导体激光器中产生的热散热。对散热装置3a进行冷却的冷却部4与散热装置3a的第2面接合。并且,虽然对半导体激光器阵列2提供电流时就会发光的带以及用于对带提供电流的带状电极未图示,但是,图1中的左右方向为带的长度方向,图1中的前后方向为带的宽度方向。当提供电流时,构成半导体激光器阵列2的各半导体激光器从出射端面部1射出激光,同时,各半导体激光器的温度上升。如果构成半导体激光器阵列2的各半导体激光器的温度过度上升,则发光效率下降,半导体激光光源100的输出下降,因此,要利用散热装置3a进行散热。散热装置3a由热传导性好的例如铜等材料制成。冷却部4使用珀尔帖元件和冷却器(chiller)等构成。如图1所示,在以下内容中,将构成半导体激光器阵列2的多个半导体激光器中、在图1所示的带的宽度方向上的中央侧的半导体激光器称作半导体激光器组2a1,将除半导体激光器组2a1以外的两端侧的半导体激光器称作半导体激光器组2a2。另外,将散热装置3a的中央侧称作第1部分3a1,将两端侧称作第2部分3a2。在本实施方式的散热装置3a中,半导体激光器组2a1的散热部与中央侧的第1部分3a1面接触,半导体激光器组2a2的散热部与两端侧的第2部分3a2面接触。并且,散热装置3a的第1部分3a1和第2部分3a2与冷却部4面接触。在此,在散热装置3a中,将第1部分3a1的表面且包含在第1面中的区域称作第1区域,将第2部分3a2的表面且包含在第1面中的区域称作第3区域。此外,将在第1部分3a1的表面且包含在第2面中的区域称作第2区域,将在第2部分3a2的表面且包含在第2面中的区域称作第4区域。半导体激光器组2a1中产生的热通过与散热装置3a的第1部分3a1的第1区域面接触而被散热,通过第1部分3a1的第2区域与冷却部4的面接触而被冷却。半导体激光器组2a2中产生的热通过与散热装置3a的第2部分3a2的第3区域面接触而被散热,通过第2部分3a2的第4区域与冷却部4的面接触而被冷却。在此,根据图1可知,在散热装置3a中,如果换算成每个半导体激光器对应的面积的话,则第2区域的面积比第4区域的面积小。在此,换算意味着,面积除以所对应的半导体激光器的个数。换言之,散热装置3a构成为,如果换算成每个半导体激光器对应的面积的话,则与半导体激光器组2a1的散热部所接触的第1区域相对的第2区域的面积比与半导体激光器组2a2的散热部所接触的第3区域相对的第4区域的面积小。另外,虽然半导体激光器阵列2中产生的热从散热部在与半导体激光器阵列2和散热装置3a的接合面垂直的方向上传导,但在散热装置3a中还向水平方向传导。如果散热装置3a的形状相对于热的扩展方向足够大,则本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光光源,其中,该半导体激光光源具备:半导体激光器阵列,其具有多个半导体激光器,在所述多个半导体激光器的带的宽度方向上等间隔地排列有所述多个半导体激光器的所述带;以及散热装置,其具有搭载所述半导体激光器阵列的第1面以及与所述第1面相对且与冷却部接触的第2面,当换算成每个所述半导体激光器对应的面积时,第2区域的面积小于第4区域的面积,该第2区域是与所述多个半导体激光器中所述带的宽度方向上的中央侧的半导体激光器的散热部所接触的所述第1面中的第1区域相对的所述第2面中的区域,该第4区域是与所述多个半导体激光器中所述带的宽度方向上的除所述中央侧的半导体激光器以外的半导体激光器的散热部所接触的所述第1面中的第3区域相对的所述第2面中的区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.01 JP 2013-2283871.一种半导体激光光源,其中,该半导体激光光源具备:
半导体激光器阵列,其具有多个半导体激光器,在所述多个半导体激光器的带的
宽度方向上等间隔地排列有所述多个半导体激光器的所述带;以及
散热装置,其具有搭载所述半导体激光器阵列的第1面以及与所述第1面相对且
与冷却部接触的第2面,当换算成每个所述半导体激光器对应的面积时,第2区域的
面积小于第4区域的面积,该第2区域是与所述多个半导体激光器中所述带的宽度方
向上的中央侧的半导体激光器的散热部所接触的所述第1面中的第1区域相对的所述
第2面中的区域,该第4区域是与所述多个半导体激光器中所述带的宽度方向上的除
所述中央侧的半导体激光器以外的半导体激光器的散热部所接触的所述第1面中的
第3区域相对的所述第2面中的区域。
2.一种半导体激光光源,其中,该半导体激光光源具备:
半导体激光器阵列,其具有多个半导体激光器,在所述多个半导体激光器的带的
宽度方向上等间隔地排列有所述多个半导体激光器的所述带;以及
散热装置,其具有搭载所...

【专利技术属性】
技术研发人员:渡部裕之
申请(专利权)人:三菱电机株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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