一种具有荷电层的HEMT器件制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
，具体的说涉及一种具有荷电层的HEMT器件。
技术介绍
基于GaN材料的异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高临界击穿电场、高电子迁移率和高浓度的二维电子气(2DEG)沟道，因此具有反向阻断电压高、正向导通电阻低、工作频率高等特性。目前功率开关器件的关键是实现高击穿电压、低导通电阻和高可靠性。HEMT器件的击穿主要是由于栅肖特基结的泄漏电流和通过缓冲层的泄漏电流引起的。要提高器件耐压，纵向上需要增加缓冲层的厚度和质量，这主要由工艺技术水平决定；横向上需要漂移区长度增加，这不仅使器件(或电路)的芯片面积增加、成本增大，更为严重的是，器件的导通电阻增大，进而导致功耗急剧增加，且器件开关速度也随之降低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的，就是针对上述问题，提出一种具有荷电层的HEMT器件。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种具有荷电层的HEMT器件，包括衬底、位于衬底上层的缓冲层、位于缓冲层上层的势垒层和位于势垒层上层的钝化层，所述缓冲层与势垒层的接触面形成异质结；所述势垒层上表面两端分别设置有源电极和漏电极，在源电极和漏电极之间势垒层上表面设置有栅电极；所述势垒层中设置有负荷电埋层；所述负荷电埋层的一端位于栅电极正下方，负荷电埋层的另一端位于栅电极与漏电极之间的钝化层的正下方。本专利技术的有益效果为，能有效提高器件的击穿电压。附图说明图1为本专利技术的结构示意图。具体实施方式如图1所示，本专利技术的一种具有荷电层的HEMT器件，包括衬底1、位于衬底1上层的缓冲层2、位于缓冲层2上层的势垒层3和位于势垒层3上层的钝化层...
【技术保护点】
一种具有荷电层的HEMT器件，包括衬底(1)、位于衬底(1)上层的缓冲层(2)、位于缓冲层(2)上层的势垒层(3)和位于势垒层(3)上层的钝化层(4)，所述缓冲层(2)与势垒层(3)的接触面形成异质结；所述势垒层(3)上表面两端分别设置有源电极(5)和漏电极(6)，在源电极(6)和漏电极(7)之间势垒层(3)上表面设置有栅电极(7)；其特征在于，所述势垒层(2)中设置有负荷电埋层(8)；所述负荷电埋层(8)的一端位于栅电极(8)正下方，负荷电埋层(8)的另一端位于栅电极(7)与漏电极(6)之间的钝化层(4)的正下方。
【技术特征摘要】
1.一种具有荷电层的HEMT器件，包括衬底(1)、位于衬底(1)上层的缓冲层(2)、位于缓冲层(2)上层的势垒层(3)和位于势垒层(3)上层的钝化层(4)，所述缓冲层(2)与势垒层(3)的接触面形成异质结；所述势垒层(3)上表面两端分别设置有源电极(5)和漏电极...
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