组合物、电子器件和薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术涉及组合物、电子器件和薄膜晶体管。组合物包括热交联剂与由化学式1表示的化合物的水解和缩合聚合的产物之间的缩合反应产物。在化学式1中，取代基的定义与在具体实施方式中相同。此外，电子器件和薄膜晶体管包括所述组合物的经固化材料。化学式1。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求在2014年12月1日于韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0169673的优先权和权益，将其全部内容通过参考并入本文中。
示例实施方式涉及组合物、包括所述组合物的电子器件和薄膜晶体管。
技术介绍
平板显示器(例如，液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、和/或电泳显示器)包括一对产生电场的电极和介于其间的电光学活性层。液晶显示器(LCD)包括液晶层作为电光学活性层，和有机发光二极管(OLED)显示器包括有机发射层作为电光学活性层。一对产生电场的电极之一通常连接于开关器件(切换器件)并且接收电信号，和电光学活性层将电信号转换成光学信号并且由此显示图像。平板显示器包括具有薄膜晶体管(TFT)(其为作为开关器件的三端子元件)的薄膜晶体管面板、传输用于控制薄膜晶体管的扫描信号的栅极线、和传输施加至像素电极的信号的数据线。薄膜晶体管可具有由多种因素决定的特性例如迁移率、漏(漏泄)电流、和I开/I关比、和/或栅极绝缘体的性能，在它们当中接触半导体的栅极绝缘体的性能是重要的。
技术实现思路
示例实施方式提供能够作为具有高透明性、高耐热性和因此的高可靠性的栅极绝缘体应用、以及能够通过热和光交联以可图案化的组合物。示例实施方式提供包括所述组合物的经固化材料的电子器件。示例实施方式提供包括所述组合物的经固化材料的薄膜晶体管。根据一种示例实施方式，组合物可包括热交联剂与由化学式1表示的化合物的水解和缩合聚合的产物之间的缩合反应产物：化学式1在化学式1中，R1、R2和R3独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C7-C20芳烷基、取代或未取代的C1-C20杂烷基、取代或未取代的C2-C20杂环烷基、取代或未取代的C2-C20炔基、C1-C20烷氧基、羟基、卤素、羧基、或其组合，条件是R1、R2和R3的至少一个为C1-C20烷氧基、羟基、卤素或羧基，R4为氢或C1-C20烷基，L1和L3独立地为取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C6-C20亚芳基、取代或未取代的C3-C20亚环烷基、取代或未取代的C2-C20亚烯基、取代或未取代的C2-C20亚炔基、-R-O-R'-、-R-NH-R'-、-R-(C＝O)-R'-(其中，R和R'独立地为C1-C10烃基、或其组合，和L2为-O-(C＝O)-NR\-、-(C＝O)-NR\-(其中，R\为氢、或C1-C6烃基)、-O-、-COO-、或-S-。在化学式1中，R1、R2和R3可独立地为C1-C6烷氧基。在化学式1中，L1和L3可独立地为C1-C20亚烷基。在化学式1中，L2可为-(C＝O)-NR\-(其中，R\为氢、或C1-C6烃基)。在化学式1中，R4可为氢或甲基。所述热交联剂为至少一种选自铝(Al)、锆(Zr)、钛(Ti)、镁(Mg)、铪(Hf)和锡(Sn)的金属的乙酸盐化合物。所述热交联剂为选自乙酰乙酸铝、乙酰乙酸锆、乙酰乙酸钛、乙酰乙酸镁、乙酰乙酸铪和乙酰乙酸锡的至少一种。可以小于或等于约40重量份的量包含所述热交联剂，基于100重量份所述由化学式1表示的化合物的水解和缩合聚合的产物。可以约0.01-约30重量份的量包含所述热交联剂，基于100重量份所述由化学式1表示的化合物的水解和缩合聚合的产物。所述组合物可进一步包括通过化学键合连接于所述由化学式1表示的化合物的水解和缩合聚合的产物的纳米颗粒。所述纳米颗粒可为溶胶态纳米颗粒，其包括选自二氧化硅、二氧化钛、钛酸钡、氧化锆、硫酸钡、氧化铝、氧化铪及其组合的至少一种。所述纳米颗粒和所述由化学式1表示的化合物的水解和缩合聚合的产物可通过化学键合形成三维网络结构。所述纳米颗粒和所述由化学式1表示的化合物的水解和缩合聚合的产物可形成核-壳结构。可以小于或等于约40重量份的量包含所述纳米颗粒，基于100重量份所述由化学式1表示的化合物的水解和缩合聚合的产物。所述组合物可进一步包括选自光引发剂、光致产酸剂和分散剂的至少一种。根据另一示例实施方式，电子器件可包括根据一种示例实施方式的组合物的经固化材料。所述电子器件可为选自固体照明器件、显示器件及其组合的至少一种。所述固体照明器件可包括选自半导体发光二极管、有机发光二极管、和聚合物发光二极管的至少一种。所述显示器件可包括选自电子纸、液晶显示器、有机发光二极管显示器和量子点显示器的至少一种。根据又一示例实施方式，薄膜晶体管可包括栅电极、与所述栅电极重叠的半导体、在所述栅电极和所述半导体之间的绝缘体、以及电连接于所述半导体的漏电极和源电极，其中所述绝缘体可包括根据以上示例实施方式的组合物的经固化材料。所述半导体可为有机半导体。附图说明图1是显示根据示例实施方式的纳米颗粒-聚有机硅氧烷复合物的示意图，图2是放大图1中的区域“A”的示意图，图3是显示根据示例性实施方式的薄膜晶体管面板的横截面图，图4是显示根据制备实施例1的薄膜晶体管的绝缘强度的图，图5是显示根据制备实施例2的薄膜晶体管的绝缘强度的图，图6是显示根据制备实施例1的薄膜晶体管的电荷迁移率的图，和图7是显示根据制备实施例2的薄膜晶体管的电荷迁移率的图。具体实施方式在下文中将参照其中示出示例实施方式的附图更充分地描述本公开内容。然而，本公开内容可以许多不同的形式体现并且不解释为限于本文中阐述的示例实施方式。在图中，为清楚起见放大层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记始终表示相同的元件。将理解，当一个元件如层、膜、区域或基底被称为“在”另外的元件“上”时，其可直接在所述另外的元件上，或者也可存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接在”另外的元件“上”时，则不存在中间元件。应理解，尽管术语第一、第二、第三等可在本文中用来描述各种元件、组分、区域、层和/或部分，但这些元件、组分、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用来使一个元件、组分、区域、层或部分区别于另一元件、组分、区域、层或部分。因此，在不背离示例实施方式的教导的情况下，可将以下讨论的第一元件、组分、区域、层或部分称为第二元件、组分、区域、层或部分。为了便于描述，在本文中可使用空间相对术语本文档来自技高网...

【技术保护点】
组合物，其包括热交联剂与由化学式1表示的化合物的水解和缩合聚合的产物之间的缩合反应产物：化学式1在化学式1中，R1、R2和R3独立地为氢、取代或未取代的C1‑C20烷基、取代或未取代的C3‑C20环烷基、取代或未取代的C6‑C20芳基、取代或未取代的C7‑C20芳烷基、取代或未取代的C1‑C20杂烷基、取代或未取代的C2‑C20杂环烷基、取代或未取代的C2‑C20炔基、C1‑C20烷氧基、羟基、卤素、羧基、或其组合，条件是R1、R2和R3的至少一个为C1‑C20烷氧基、羟基、卤素或羧基，优选R1、R2和R3独立地为C1‑C6烷氧基，R4为氢或C1‑C20烷基，优选R4为氢或甲基，L1和L3独立地为取代或未取代的C1‑C20亚烷基、取代或未取代的C6‑C20亚芳基、取代或未取代的C3‑C20亚环烷基、取代或未取代的C2‑C20亚烯基、取代或未取代的C2‑C20亚炔基、‑R‑O‑R'‑、‑R‑NH‑R'‑、‑R‑(C＝O)‑R'‑、或其组合，其中，R和R'独立地为C1‑C10烃基，优选L1和L3独立地为C1‑C20亚烷基，和L2为‑O‑(C＝O)‑NR‑、‑(C＝O)‑NR‑、‑O‑、‑COO‑、或‑S‑，其中，R为氢、或C1‑C6烃基，优选L2为‑(C＝O)‑NR‑，其中，R为氢、或C1‑C6烃基。...

【技术特征摘要】
2014.12.01 KR 10-2014-01696731.组合物，其包括热交联剂与由化学式1表示的化合物的水解和缩合
聚合的产物之间的缩合反应产物：
化学式1
在化学式1中，
R1、R2和R3独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取
代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C7-C20
芳烷基、取代或未取代的C1-C20杂烷基、取代或未取代的C2-C20杂环烷
基、取代或未取代的C2-C20炔基、C1-C20烷氧基、羟基、卤素、羧基、或
其组合，条件是R1、R2和R3的至少一个为C1-C20烷氧基、羟基、卤素或
羧基，优选R1、R2和R3独立地为C1-C6烷氧基，
R4为氢或C1-C20烷基，优选R4为氢或甲基，
L1和L3独立地为取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的
C6-C20亚芳基、取代或未取代的C3-C20亚环烷基、取代或未取代的C2-C20
亚烯基、取代或未取代的C2-C20亚炔基、-R-O-R'-、-R-NH-R'-、-R-(C＝O)-R'-、
或其组合，其中，R和R'独立地为C1-C10烃基，优选L1和L3独立地为C1-C20
亚烷基，和
L2为-O-(C＝O)-NR\-、-(C＝O)-NR\-、-O-、-COO-、或-S-，其中，R\为
氢、或C1-C6烃基，优选L2为-(C＝O)-NR\-，其中，R\为氢、或C1-C6烃基。
2.根据权利要求1的组合物，其中所述热交联剂为至少一种选自铝、
锆、钛、镁、铪和锡的金属的乙酸盐化合物。
3.根据权利要求1的组合物，其中所述热交联剂为选自乙酰乙酸铝、
乙酰乙酸锆、乙酰乙酸钛、乙酰乙酸镁、乙酰乙酸铪和乙酰乙酸锡的至少一
种。
4.根据权利要求1的组合物，其中以小于或等于40重量份...

【专利技术属性】
技术研发人员：李恩庆，郑知永，朴正一，崔雅净，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR