发光器件封装件制造技术

技术编号:15045155 阅读:18 留言:0更新日期:2017-04-05 17:43
本发明专利技术提供了一种发光器件封装件,该发光器件封装件可包括:发光结构,其包括分别发射光的多个发光区;多个光调整层,它们形成在发光区上方,以分别改变从发光区发射的光的特征;多个电极,它们分别控制发光区以发射光;以及隔离绝缘层,其布置在发光区之间,以使各发光区彼此绝缘,隔离绝缘层相对于发光区形成连续结构。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求在韩国知识产权局于2016年7月7日提交的韩国专利申请No.10-2016-0086022和于2015年9月30日提交的韩国专利申请No.10-2015-0137334的优先权,所述申请的公开以引用方式并入本文中。
与示例性实施例一致的设备涉及一种发光器件封装件。
技术介绍
半导体发光器件被广泛看作是具有诸如相对长的寿命、低功耗等级、快响应速度和环保等许多优点的下一代光源,并且作为用于诸如通用照明装置和显示装置的背光的各种产品中的重要类型的光源而得到关注。具体地说,基于III族氮化物(诸如氮化镓(GaN)、铝镓氮化物(AlGaN)、铟镓氮化物(InGaN)和铟铝镓氮化物(InAlGaN))的基于氮化物的发光器件作为输出蓝光或紫外光的半导体发光器件起着重要作用。因此,随着发光器件(LED)扩展至用于照明的各个领域,需要小型化的封装件以确保适合各种用途的设计自由度。
技术实现思路
一方面可提供一种能够实现各种颜色的小型化发光器件封装件。一方面可提供一种包括扩大的键合焊盘的小型化发光器件封装件。根据示例实施例,提供了一种发光器件封装件,可包括:发光结构,其包括分别发射光的多个发光区;多个光调整层,它们形成在发光区上方,以分别改变从发光区发射的光的特征;多个电极,它们分别控制各发光区发射光;以及隔离绝缘层,其布置在发光区之间,以使各发光区彼此绝缘,隔离绝缘层相对于发光区形成连续结构。根据示例实施例,提供了一种发光器件封装件,可包括:发光结构,其划分为分别发射光的多个发光区;多个光调整层,它们形成在发光区上方,以分别转换从各发光区发射的光的特征;以及多个电极,它们关于发光结构与光调整层相对布置,并且分别控制各发光区发射光,其中,发光结构形成单个芯片。根据示例实施例,提供了一种制造发光器件封装件的方法。该方法可包括以下步骤:制备衬底;在衬底上生长包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层的外延层;在外延层中形成包括多个发光区并且对应于单个芯片的发光结构;在发光结构的一侧上形成控制发光区的多个电极;形成包括布置在发光区之间的侧绝缘部分的隔离绝缘层;以及形成分别位于各发光区上方的多个光调整层,其中,光调整层关于发光结构与电极相对布置。附图说明通过以下结合附图的详细描述,将更加清楚地理解本专利技术构思的以上和其它方面、特征和优点,其中:图1A和图1B是示意性地示出根据示例实施例的发光器件封装件的平面图和后视图;图2A和图2B是沿着线I-I'和II-II'截取的图1A所示的发光器件封装件的剖视图;图3A至图9B是示出制造根据示例实施例的发光器件封装件的方法的主要处理的剖视图;图10A和图10B是示意性地示出根据示例实施例的发光器件封装件的平面图和后视图;图11A和图11B是示意性地示出根据示例实施例的发光器件封装件的平面图和后视图;图12A和图12B是沿着线III-III'和IV-IV'截取的图11A所示的发光器件封装件的剖视图;图13A和图13B是示意性地示出根据示例实施例的发光器件封装件的平面图和后视图;图14A和图14B是示意性地示出根据示例实施例的发光器件封装件的平面图和后视图;图15A和图15B是根据示例实施例的发光器件封装件的剖视图;图16A和图16B是根据示例实施例的发光器件封装件的剖视图;图17A和图17B是根据示例实施例的发光器件封装件的剖视图;图18A和图18B是示意性地示出根据示例实施例的发光器件封装件的平面图和后视图;图19A和图19B是沿着线V-V'和VI-VI'截取的图18A所示的发光器件封装件的剖视图;图20A和图20B是示意性地示出根据示例实施例的发光器件封装件的平面图和后视图;图21A和图21B是沿着线VII-VII'和VIII-VIII'截取的图20A所示的发光器件封装件的剖视图;图22A至图25B是示出制造根据示例实施例的发光器件封装件的方法的处理的示图;图26A和图26B是示意性地示出根据示例实施例的发光器件封装件的平面图和后视图;图27A和图27B是示意性地示出根据示例实施例的发光器件封装件的平面图和后视图;图28A和图28B是沿着线X-X'和XI-XI'截取的图27A所示的发光器件封装件的剖视图;以及图29是示意性地示出包括根据示例实施例的发光器件封装件的显示面板的透视图。具体实施方式下文中,将参照附图如下描述本专利技术构思的示例实施例。然而,本专利技术构思可按照许多不同形式例示,并且不应理解为限于本文阐述的特定实施例。相反,提供这些实施例是为了使得本公开将是彻底和完整的,并且将把本公开的范围完全传递给本领域技术人员。在整个说明书中,应该理解,当诸如层、区或晶圆(衬底)的一个元件被称作“在”另一元件“上方”、“在”另一元件“上”、“连接至”或“耦接至”另一元件时,所述一个元件可直接“在”另一元件“上方”、“在”另一元件“上”、“连接至”或“耦接至”另一元件,或者可存在介于它们之间的其它一个或多个元件。相反,当一个元件被称作“直接在”另一元件“上方”、“直接在”另一元件“上”、“直接连接至”或“直接耦接至”另一元件时,则不存在介于它们之间的元件或层。相同附图标记始终指代相同元件。如本文所用,术语“和/或”包括相关所列项之一或多个的任何和所有组合。应该清楚的是,虽然本文中可使用术语第一、第二、第三等来描述各个构件、组件、区、层和/或部分,但是这些构件、组件、区、层和/或部分不应该被这些术语限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区、层或部分与另一个区、层或部分区分开。因此,下面讨论的第一构件、第一组件、第一区、第一层或第一部分可被称作第二构件、第二组件、第二区、第二层或第二部分,而不脱离示例实施例的教导。为了方便描述,本文中可使用诸如“在……之上”、“上”、“在……之下”和“下”等的空间相对术语,以描述附图中所示的一个元件与另一元件的关系。应该理解,空间相对术语旨在涵盖使用或操作中的装置的除图中所示的取向之外的不同取向。例如,如果图中的装置颠倒,则描述为“在其它元件之上”或“在其它元件上”的元件将因此取向为“在其它元件或特征之下”或“在其它元件或特征下”。因此,示例性术语“在……之上”可根据图的特定方向涵盖“在……之上”和“在……之下”这两个取向。装置可按照其它方式取向(旋转90度或位于其它取向),并且将相应地解释本文所用的空间相对描述语。本文所用的术语仅是为了描述特定实施例,并且不旨在限制。如本文所用,除非上下文清楚地指明不是这样,否则单数形式“一”、“一个”或“该”也旨在包括复数形式。还应该理解,术语“包括”和/或“包括……的”当用于本说明书中时,指明存在所列特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组,但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、构件、元件、组件和/或它们的组。下文中,将参照示出实施例的示意图来描述实施例。在图中,例如,由于制造技术和/或公差,所示形状的改变是预期的。因此,实施例不应限于本文示出的区的具体形状,而是例如可包括在制造中导致的形状的改变。下面的实施例也可单独构造或者通过它们的组合构造。下面描述的内容可具有多种构造,并且本文中仅提出所需的构造,但是不限于此。图1A和图1B是示意性地示出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件封装件,包括:发光结构,其包括分别发射光的多个发光区;多个光调整层,它们形成在发光区上方,以分别改变从发光区发射的光的特征;多个电极,它们分别控制各发光区发射光;以及隔离绝缘层,其布置在发光区之间,以使各发光区彼此绝缘,隔离绝缘层相对于发光区形成连续结构。

【技术特征摘要】
2015.09.30 KR 10-2015-0137334;2016.07.07 KR 10-2011.一种发光器件封装件,包括:发光结构,其包括分别发射光的多个发光区;多个光调整层,它们形成在发光区上方,以分别改变从发光区发射的光的特征;多个电极,它们分别控制各发光区发射光;以及隔离绝缘层,其布置在发光区之间,以使各发光区彼此绝缘,隔离绝缘层相对于发光区形成连续结构。2.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中,隔离绝缘层在每个发光区的底部下方延伸。3.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中,每个光调整层包括波长转换层,其对从各发光区当中的对应的发光区发射的光的波长进行转换。4.根据权利要求3所述的发光器件封装件,其中,从各发光区发射的光具有相同的波长,并且其中,各波长转换层不同地对光的波长进行转换。5.根据权利要求3所述的发光器件封装件,其中,每个光调整层还包括滤波器层,其布置在波长转换层上方,并且选择性地阻挡在波长转换层处对其波长进行转换的光。6.根据权利要求5所述的发光器件封装件,还包括布置在光调整层上方的玻璃层。7.根据权利要求6所述的发光器件封装件,其中,玻璃层包括布置在玻璃层的上表面上的凹凸结构。8.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中,每个发光区包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层,并且其中,电极包括:多个第一连接电极,它们分别连接至各发光区的第一导电类型半导体层;以及第二连接电极,其共同地连接至各发光区的第二导电类型半导体层。9.根据权利要求8所述的发光器件封装件,其中,电极还包括:多个第一电极焊盘,它们分别连接至各第一连接电极;以及第二电极焊盘,其连接至第二连接电极,其中,第一电极焊盘的数量等于发光区的数量,并且其中,至少两个第一电极焊盘布置在各发光区当中的同一发光区下方。10.根据权利要求9所述的发光器件封装件,其中,所述多个第一电极焊盘中的一个第一电极焊盘和第二电极焊盘布置在各发光区当中的同一发光区下方。11.根据权利要求9所述的发光器件封装件,其中,连接至各发光区中的一个发光区的第一导电类型半导体层的第一连接电极在另一发光区下方延伸,并且连接至所述至少两个第一电极焊盘中的一个。12.根据权利要求11所述的发光器件封...

【专利技术属性】
技术研发人员:金容一元炯植林完泰车南煹
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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