一种吸收式射频开关制造技术

本实用新型专利技术适用于电子领域，提供了一种吸收式射频开关，所述吸收式射频开关包括第一RF传输线，分别位于第一RF传输线两端的输入端口和输出端口，依次连接的第一PIN二极管、RF短路结构、第一滤波器和第一直流偏置电压，其中，第一PIN二极管接输入端口，所述吸收式射频开关还包括依次连接的第二PIN二极管、第二RF传输线、RF负载、第三RF传输线和第二直流偏置电压，其中，第二PIN二极管接输出端口，从而形成吸收式单刀单掷射频开关。本实用新型专利技术的吸收式射频开关提高了吸收式射频开关的隔离度和开关的速度。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子领域，尤其涉及一种吸收式射频开关。
技术介绍
请参阅图1，现有技术的吸收式单刀单掷射频开关包括输入端口51和输出端口52，输出端口52接有负载53。当开关置于“开”状态时，RF信号可以自输入端口51至输出端口52以最小开关损耗传送。当开关置于“关”状态时，由于输出端口52具有吸收性，在输出端口52的RF信号可有效地被负载53所吸收。换句话说，无论开关是在“开”还是“关”的状态，输出端口52具有良好的回波损耗。回波损耗对于许多天线的应用是至关重要的，当开关处于“关”状态时，与其它RF系统耦合的能量就可以有效的被吸收从而减少与相邻RF系统之间的互耦。然而，现有技术的吸收式单刀单掷射频开关隔离度较低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种吸收式射频开关，旨在解决现有技术的吸收式射频开关隔离度较低的问题。本技术提供了一种吸收式射频开关，所述吸收式射频开关包括第一RF传输线，分别位于第一RF传输线两端的输入端口和输出端口，依次连接的第一PIN二极管、RF短路结构、第一滤波器和第一直流偏置电压，其中，第一PIN二极管接输入端口，所述吸收式射频开关还包括依次连接的第二PIN二极管、第二RF传输线、RF负载、第三RF传输线和第二直流偏置电压，其中，第二PIN二极管接输出端口，从而形成吸收式单刀单掷射频开关。进一步地，所述第三RF传输线和第二直流偏置电压之间连接有第二滤波器。进一步地，所述吸收式单刀单掷射频开关是通过印刷电路来实现的，所述第一RF传输线和RF短路结构之间具有缝隙，第一PIN二极管位于缝隙上方，焊接于第一RF传输线和RF短路结构之间；第一RF传输线和第二RF传输线之间具有缝隙，第二PIN二极管位于缝隙上方，焊接于第一RF传输线和第二RF传输线之间；第二RF传输线和第三RF传输线之间具有缝隙，RF负载位于缝隙上方，焊接于第二RF传输线和第三RF传输线之间；RF短路结构和第一滤波器之间通过高阻抗传输线连接，第一直流偏置电压的一端接在高阻抗传输线和第一滤波器之间，第二直流偏置电压的一端接在第三RF传输线和第二滤波器之间。进一步地，所述RF短路结构和第一滤波器呈扇形，所述高阻抗传输线和第三RF传输线以类似于高斯曲线的方式弯曲。进一步地，所述吸收式射频开关包括两个所述吸收式单刀单掷射频开关，其中，两个吸收式单刀单掷射频开关的输入端口通过传输线合并成一个输入端口，从而形成吸收式单刀双掷射频开关。进一步地，所述吸收式单刀双掷射频开关在合并后的输入端口依次接第一PIN二极管、RF短路结构、高阻抗传输线和第一滤波器，高阻抗传输线和第一滤波器之间接第一直流偏置电压的一端。进一步地，所述吸收式射频开关包括两个所述吸收式单刀双掷射频开关，其中，两个吸收式单刀双掷射频开关的输入端口通过传输线合并成一个输入端口，从而形成吸收式单刀四掷射频开关。进一步地，所述吸收式单刀四掷射频开关在合并后的输入端口依次接第一PIN二极管、RF短路结构、高阻抗传输线和第一滤波器，高阻抗传输线和第一滤波器之间接第一直流偏置电压的一端。进一步地，所述吸收式射频开关包括四个所述吸收式单刀四掷射频开关，其中，每两个吸收式单刀四掷射频开关的输入端口通过传输线合并成一个输入端口，从而形成吸收式单刀八掷射频开关，两个吸收式单刀八掷射频开关的输入端口通过传输线合并成一个输入端口，从而形成吸收式单刀十六掷射频开关。进一步地，在每个所述吸收式单刀八掷射频开关的合并后的输入端口依次接第一PIN二极管、RF短路结构、高阻抗传输线和第一滤波器，高阻抗传输线和第一滤波器之间接第一直流偏置电压的一端。在本技术中，由于吸收式射频开关包括RF短路结构和第一滤波器，因此最小化第一直流偏置电压的RF溢出，从而提高了吸收式射频开关的隔离度和开关的速度；由于吸收式射频开关包括第二滤波器，因此可以最小化漏进第二直流偏置电压的射频干扰带来的耦合到其它开关端口的能量；由于RF短路结构和第一滤波器呈扇形，所述高阻抗传输线和第三RF传输线以类似于高斯曲线的方式弯曲，因此使得设计自由度相对降低，而且占用空间小，有利于工程师调整参数以找到最佳的性能点；又由于所述吸收式单刀双掷射频开关在合并后的输入端口依次接第一PIN二极管、RF短路结构、高阻抗传输线和第一滤波器，高阻抗传输线和第一滤波器之间接第一直流偏置电压的一端，因此能获得更高的隔离度。附图说明图1是现有技术的吸收式单刀单掷射频开关的示意图。图2是本技术实施例一提供的吸收式单刀单掷射频开关的电路原理图。图3是本技术实施例一提供的吸收式单刀单掷射频开关的印刷电路示意图。图4是本技术实施例二提供的吸收式单刀双掷射频开关的印刷电路示意图。图5是本技术实施例二提供的2.6GHz的吸收式单刀双掷射频开关的两个输出端口之间隔离度示意图。图6是本技术实施例三提供的吸收式单刀四掷射频开关的印刷电路示意图。图7是本技术实施例四提供的吸收式单刀十六掷射频开关的印刷电路示意图。图8至图11是本技术实施例四提供的吸收式单刀十六掷射频开关的性能图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。为了说明本技术所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。实施例一：请参阅图2，本技术实施例一提供的吸收式射频开关，具体为吸收式单刀单掷射频开关包括第一RF传输线23，分别位于第一RF传输线23两端的输入端口21和输出端口22，依次连接的第一PIN二极管24、RF短路结构25、第一滤波器26和第一直流偏置电压27，其中，第一PIN二极管24接输入端口21；吸收式单刀单掷射频开关还包括依次连接的第二PIN二极管28、第二RF传输线29、RF负载30、第三RF传输线31、第二滤波器32和第二直流偏置电压33，其中，第二PIN二极管28接输出端口22。RF短路结构25对于吸收式射频开关获得“关”状态而言是非常必要的。当开关需要阻断射频信号时,RF短路结构25所产生的短路效应使得射频信号产生反向位全反射效应,进而反射信号与发射信号抵消产生”关”状态。第一滤波器26用于最小化第一直流偏置电压27的RF溢出，从而提高了吸收式射频开关的隔离度和开关的速度。第二PIN二极管28作为RF负载30的门限，当第二PIN二极管28开启时，RF能量可以匹配进入第二RF传输线29(一般为50欧姆传输线)，然后由RF负载30吸收。第二滤波器32可以最小化漏进第二直流偏置电压33的射频干扰带来的耦合到其它开关端口的能量，第二滤波器32是在工作RF频率上的抑制频带的滤波器。在本技术实施例一中，吸收式单刀单掷射频开关也可以省略第二滤波器32，第三RF传输线31和第二直流偏置电压33直接连接。请参阅图3，是本技术实施例一提供的吸收式单刀单掷射频开关的印刷电路示意图。本技术实施例一提供的吸收式单刀单掷射频开关是通过印刷电路来实现的。第一RF传输线23和RF短路结构25之间具有缝隙，第一PIN二极管24位于缝隙上方，焊接于第一RF传输线23和RF短路结构25之间；第一RF传输线23和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种吸收式射频开关，其特征在于，所述吸收式射频开关包括第一RF传输线，分别位于第一RF传输线两端的输入端口和输出端口，依次连接的第一PIN二极管、RF短路结构、第一滤波器和第一直流偏置电压，其中，第一PIN二极管接输入端口，所述吸收式射频开关还包括依次连接的第二PIN二极管、第二RF传输线、RF负载、第三RF传输线和第二直流偏置电压，其中，第二PIN二极管接输出端口，从而形成吸收式单刀单掷射频开关。

【技术特征摘要】
1.一种吸收式射频开关，其特征在于，所述吸收式射频开关包括第一RF传输线，分别位于第一RF传输线两端的输入端口和输出端口，依次连接的第一PIN二极管、RF短路结构、第一滤波器和第一直流偏置电压，其中，第一PIN二极管接输入端口，所述吸收式射频开关还包括依次连接的第二PIN二极管、第二RF传输线、RF负载、第三RF传输线和第二直流偏置电压，其中，第二PIN二极管接输出端口，从而形成吸收式单刀单掷射频开关。2.如权利要求1所述的吸收式射频开关，其特征在于，所述第三RF传输线和第二直流偏置电压之间连接有第二滤波器。3.如权利要求2所述的吸收式射频开关，其特征在于，所述吸收式单刀单掷射频开关是通过印刷电路来实现的，所述第一RF传输线和RF短路结构之间具有缝隙，第一PIN二极管位于缝隙上方，焊接于第一RF传输线和RF短路结构之间；第一RF传输线和第二RF传输线之间具有缝隙，第二PIN二极管位于缝隙上方，焊接于第一RF传输线和第二RF传输线之间；第二RF传输线和第三RF传输线之间具有缝隙，RF负载位于缝隙上方，焊接于第二RF传输线和第三RF传输线之间；RF短路结构和第一滤波器之间通过高阻抗传输线连接，第一直流偏置电压的一端接在高阻抗传输线和第一滤波器之间，第二直流偏置电压的一端接在第三RF传输线和第二滤波器之间。4.如权利要求3所述的吸收式射频开关，其特征在于，所述RF短路结构和第一滤波器呈扇形，所述高阻抗传输线和第三RF传输线以类似于高斯曲线的方式弯曲。5.如权利要求3所述的吸收式射频开关，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：东君伟，秦三团，
申请(专利权)人：中山香山微波科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44