一种高温铂电阻封装结构及其制备方法技术

一种高温铂电阻封装结构及其制备方法，它涉及一种电阻封装结构及其制备方法。它要解决目前铂电阻无法在高温环境中使用的问题。高温铂电阻封装结构包括基片、铂电阻和高温保护层。方法：一、在陶瓷片上一侧采用铂浆烧结，获得铂导线、铂电阻安装焊盘和正面焊盘；二、在另一侧采用铂浆烧结，获得背面焊盘；三、铂浆烧结连接电阻与基片；四、采用高温玻璃浆料烧结，获得高温保护层；五、倒角处理，即完成。本发明专利技术高温铂电阻封装结构，测量精度高、稳定性好，能够用于高温环境的温度测量；制备工艺简单。增加了焊盘焊接的可靠性，节约成本。将铂电阻的测量温度提高到600℃以上，测量范围为-70℃～1000℃，测量精度能够达到±0.5％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电阻封装结构及其制备方法。
技术介绍
目前，在高温环境下测量温度，通常是使用热电偶，热电偶是通过热点效应对温度进行测量的，它的缺点是稳定性和精度较差；铂电阻，它的阻值会随着温度的变化而改变，精度较高，在医疗、电机、工业、温度计算、卫星、气象等领域广泛应用，但是采用铂电阻来测量，虽然精度较高，但稳定性差，难于应用于高温环境中，目前铂电阻的最高使用温度为600℃。
技术实现思路
本专利技术目的是为了解决目前铂电阻无法在高温环境中使用的问题，而提供的一种高温铂电阻封装结构及其制备方法。一种高温铂电阻封装结构，它包括基片、铂电阻和高温保护层；所述基片包含有陶瓷片、铂导线、铂电阻安装焊盘、正面焊盘、背面焊盘；所述铂电阻安装于基片一端，铂电阻与基片上的铂电阻安装焊盘依靠铂浆烧结连接。制备上述高温铂电阻封装结构的方法，按以下步骤实现：一、在陶瓷片1的一侧上印刷或涂覆铂浆，经烧结后形成铂导线4与铂电阻安装焊盘5，再依次印刷或涂覆铂含量为10～30Wt.％、40～60Wt.％、70～90Wt.％的铂浆，并分别烧结后形成正面焊盘2；二、在上述陶瓷片1的另一侧上依次印刷或涂覆铂含量为10～30Wt.％、40～60Wt.％、70～90Wt.％的铂浆，并分别烧结后形成背面焊盘3；三、将铂电阻8安装于基片6的一端，铂电阻8与基片上的铂电阻安装焊盘5连接，是通过铂浆烧结连接；四、在铂电阻8与铂导线4均涂覆高温玻璃浆料，经烧结后形成高温保护层7；五、在倒角机上对基片6进行倒角处理，形成高温铂电阻封装结构。本专利技术的有益效果：本专利技术高温铂电阻封装结构，测量精度高、稳定性好，能够用于高温环境的温度测量。本专利技术高温铂电阻封装结构的制备工艺简单，可靠性高。高温铂电阻封装结构可以实现铂电阻在高温环境下的温度测量，此封装结构包含基片、铂电阻、高温保护层几个部分，基片包含有陶瓷片、铂导线、铂电阻安装焊盘、正面焊盘、背面焊盘，铂电阻安装于基片一端，铂电阻与基片上的铂电阻安装焊盘依靠铂浆烧结连接。正面焊盘与背面焊盘采用梯度结构设计，使这种厚膜焊盘与基片间附着力由5N提高到24N，增加了焊盘焊接的可靠性，既保证基片与焊盘间的结合强度，又达到节约成本的目的。在铂导线与铂电阻处涂有高温保护层，本专利技术可以应用于发电、化工、航空、汽车等领域复杂环境的高温测量，可以将铂电阻的测量温度提高到600℃以上，测量范围为-70℃～1000℃，测量精度能够达到±0.5％。附图说明图1为本专利技术中基片的结构示意图，其中1表示陶瓷片，2表示正面焊盘，3表示背面焊盘，4表示铂导线，5表示铂电阻安装焊盘；图2为本专利技术中高温铂电阻封装结构的示意图，其中6表示基片；7表示高温保护层；8表示铂电阻；图3为本专利技术中正面焊盘与背面焊盘的剖面示意图。具体实施方式本专利技术技术方案不局限于以下所列举具体实施方式，还包括各具体实施方式间的任意组合。具体实施方式一：结合图1、图2所示，本实施方式高温铂电阻封装结构，它包括基片6、铂电阻8和高温保护层7；所述基片6包含有陶瓷片1、铂导线4、铂电阻安装焊盘5、正面焊盘2、背面焊盘3；所述铂电阻8安装于基片6一端，铂电阻8与基片6上的铂电阻安装焊盘5依靠铂浆烧结连接。具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是，所述陶瓷片1为氧化铝陶瓷或氧化锆陶瓷。其它与具体实施方式一相同。具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一不同的是，所述高温保护层7是由高温玻璃浆料经烧结后形成。其它与具体实施方式一相同。具体实施方式四：结合图3所示，本实施方式与具体实施方式一不同的是，所述正面焊盘2与背面焊盘3均为梯度结构。其它与具体实施方式一相同。具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式四不同的是，所述梯度结构是由铂含量为10～30Wt.％、40～60Wt.％、70～90Wt.％的铂浆经烧结后形成。其它与具体实施方式一相同。具体实施方式六：本实施方式高温铂电阻封装结构的制备方法，按以下步骤实现：一、在陶瓷片1的一侧上印刷或涂覆铂浆，经烧结后形成铂导线4与铂电阻安装焊盘5，再依次印刷或涂覆铂含量为10～30Wt.％、40～60Wt.％、70～90Wt.％的铂浆，并分别烧结后形成正面焊盘2；二、在上述陶瓷片1的另一侧上依次印刷或涂覆铂含量为10～30Wt.％、40～60Wt.％、70～90Wt.％的铂浆，并分别烧结后形成背面焊盘3；三、将铂电阻8安装于基片6的一端，铂电阻8与基片6上的铂电阻安装焊盘5连接，是通过铂浆烧结连接；四、在铂电阻8与铂导线4均涂覆高温玻璃浆料，经烧结后形成高温保护层7；五、在倒角机上对基片6进行倒角处理，形成高温铂电阻封装结构。本实施方式中所述铂浆和高温玻璃浆料均为市售产品。本实施方式中所述倒角处理，是根据高温铂电阻封装结构的具体应用环境进行相应的处理。具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式六不同的是，步骤一、二、三和四中烧结温度均为850～1350℃。其它步骤及参数与具体实施方式六相同。具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式六不同的是，步骤一中印刷或涂覆铂浆的厚度为10～30μm。其它步骤及参数与具体实施方式六相同。具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式六不同的是，步骤一中印刷或涂覆铂含量为10～30Wt.％、40～60Wt.％、70～90Wt.％的铂浆的总厚度为20～60μm。其它步骤及参数与具体实施方式六相同。具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式六不同的是，步骤二中印刷或涂覆铂含量为10～30Wt.％、40～60Wt.％、70～90Wt.％的铂浆的总厚度为20～60μm。其它步骤及参数与具体实施方式六相同。具体实施方式十一：本实施方式与具体实施方式六不同的是，步骤四中涂覆高温玻璃浆料的厚度为100～500μm。其它步骤及参数与具体实施方式六相同。采用以下实施例验证本专利技术的有益效果：实施例：结合图1、图2和图3所示，高温铂电阻封装结构的制备方法，按以下步骤实现：一、在陶瓷片1的一侧上印刷或涂覆铂浆，经烧结后形成铂导线4与铂电阻安装焊盘5，再依次印刷或涂覆铂含量为10～30Wt.％、40～60Wt.％、70～90Wt.％的铂浆，并分别烧结后形成正面焊盘2；二、在上述陶瓷片1的另一侧上依次印刷或涂覆铂含量为10～30Wt.％、40～60Wt.％、70～90Wt.％的铂浆，并分别烧结后形成背面焊盘3；三、将铂电阻8安装于基片6的一端，铂电阻8与基片6上的铂电阻安装焊盘5连接，是通过铂浆烧结连接；四、在铂电阻8与铂导线4均涂覆高温玻璃浆料，经烧结后形成高温保护层7；五、在倒角机上对基片6进行倒角处理，形成高温铂电阻封装结构。本实施例中制备所得高温铂电阻封装结构，经测试，焊盘与基片间附着力为24N，测量温度达到600℃以上，测量范围为-7本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高温铂电阻封装结构，其特征在于它包括基片(6)、铂电阻(8)和高温保护层(7)；所述基片(6)包含有陶瓷片(1)、铂导线(4)、铂电阻安装焊盘(5)、正面焊盘(2)、背面焊盘(3)；所述铂电阻(8)安装于基片(6)一端，铂电阻(8)与基片(6)上的铂电阻安装焊盘(5)依靠铂浆烧结连接。

【技术特征摘要】
1.一种高温铂电阻封装结构，其特征在于它包括基片(6)、铂电阻(8)和高温保护
层(7)；所述基片(6)包含有陶瓷片(1)、铂导线(4)、铂电阻安装焊盘(5)、正面焊盘
(2)、背面焊盘(3)；所述铂电阻(8)安装于基片(6)一端，铂电阻(8)与基片(6)
上的铂电阻安装焊盘(5)依靠铂浆烧结连接。
2.根据权利要求1所述的一种高温铂电阻封装结构，其特征在于所述陶瓷片(1)为
氧化铝陶瓷或氧化锆陶瓷。
3.根据权利要求1所述的一种高温铂电阻封装结构，其特征在于所述高温保护层(7)
是由高温玻璃浆料经烧结后形成。
4.根据权利要求1所述的一种高温铂电阻封装结构，其特征在于所述正面焊盘(2)
与背面焊盘(3)均为梯度结构。
5.根据权利要求1所述的一种高温铂电阻封装结构，其特征在于所述梯度结构是由铂
含量为10～30Wt.％、40～60Wt.％、70～90Wt.％的铂浆经烧结后形成。
6.制备如权利要求1所述一种高温铂电阻封装结构的方法，其特征在于它按以下步骤
实现：
一、在陶瓷片(1)的一侧上印刷或涂覆铂浆，经烧结后形成铂导线(4)与铂电阻安
装焊盘(5)，再依次印刷或涂覆铂含量为10～30Wt.％、40～60Wt.％、70～...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玺，程振乾，刘洋，文吉延，姜国光，周明军，王世清，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十九研究所，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23