像素电路及其驱动方法、显示面板以及显示装置制造方法及图纸

技术编号:15041522 阅读:79 留言:0更新日期:2017-04-05 14:03
本发明专利技术的实施例提供像素电路及其驱动方法、显示面板以及显示装置。像素电路包括复位模块、数据写入模块、存储模块、补偿和保持模块、驱动模块以及发光器件。复位模块与存储模块以及发光器件连接,被配置为复位存储模块以及发光器件。数据写入模块与驱动模块连接,被配置为用于提供数据电流。补偿和保持模块与驱动模块以及存储模块连接,被配置为产生用于驱动模块的控制电压,其中控制电压是基于数据电流的函数。存储模块与驱动模块连接,被配置为存储控制电压。驱动模块与发光器件连接,被配置为根据控制电压产生驱动电流。发光器件被配置为由驱动电流驱动而发光。像素电路可以在不增加发光器件功耗的情况下,提高发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示技术,尤其涉及像素电路及其驱动方法、显示面板以及显示装置
技术介绍
目前典型的量子点发光二极管(QLED)结构包括电子传输层、空穴传输层以及量子点发光层。空穴传输层以及电子传输层可以由有机小分子、有机聚合物或者无机金属氧化物构成。空穴传输层与电子传输层的设置能够使量子点发光二极管的发光效率从最初的低于0.1%提升到约10%,但是空穴传输层与量子点发光层之间最高占据分子轨道(HighestOccupiedMolecularOrbital,HOMO)能级的不匹配使得量子点电荷注入效率仍然普遍偏低,并且量子点注入电荷不平衡,量子点呈现非电中性。与传统的有机电致发光二极管(OLED)比较,量子点电致发光二极管(QLED)的电荷注入不平衡的缺点,限制了其发光寿命和效率。现有技术中,主要采用以下三种方式对于该问题进行改善。第一种方式是提高空穴传输层的HOMO能级以与量子点发光材料的HOMO能级尽可能匹配。第二种方式是通过设置空穴增强层来增加空穴的迁移率与注入效率。第三种方式是通过设置电子阻挡层来减缓电子的注入速率,提升电子与空穴的复合效率。在第一种方式中,难以合成或找到构成该空穴传输层所需的材料。在第二种方式中,需要设置多层空穴传输层,增加了工艺制作的难度。在第三种方式中,并不能增加被激发的光子,因此难以提升发光效率。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了像素电路及其驱动方法、显示面板以及显示装置,用于提高发光器件的发光效率。根据本专利技术的第一个方面,提供了一种像素电路,包括:复位模块、数据写入模块、存储模块、补偿和保持模块、驱动模块以及发光器件。复位模块与存储模块以及发光器件连接。数据写入模块与驱动模块连接。补偿和保持模块与驱动模块以及存储模块连接。存储模块与驱动模块连接,被配置为存储控制电压。驱动模块与发光器件连接。在本专利技术的实施例中,复位模块被配置为复位存储模块以及发光器件。数据写入模块被配置为用于提供数据电流。补偿和保持模块被配置为产生用于驱动模块的控制电压,其中控制电压是基于数据电流的函数。并且,补偿和保持模块还被配置为用于保持控制电压。存储模块被配置为存储控制电压。驱动模块被配置为根据控制电压产生驱动电流。发光器件被配置为由驱动电流驱动而发光。在本专利技术的实施例中,补偿和保持模块包括第三晶体管,第三晶体管的控制极与第二电压线连接,第一极与第一电压线连接,第二极与驱动模块以及存储模块连接。在本专利技术的实施例中,复位模块包括第四晶体管,第四晶体管的控制极与第二电压线连接,第一极与存储模块以及发光器件连接,第二极与第三电压线连接。在本专利技术的实施例中,驱动模块包括第二晶体管,第二晶体管的第一极与第一电压线连接,并且存储模块被连接在第二晶体管的控制极和第二极之间。在本专利技术的实施例中,数据写入模块包括第一晶体管,第一晶体管的控制极与第二电压线连接,第一极与驱动模块连接,第二极与数据电流线连接。在本专利技术的实施例中,存储模块包括电容,并且,驱动模块被连接在电容的第一端和第二端之间。在本专利技术的实施例中,晶体管是N型MOS管。在本专利技术的实施例中,晶体管是P型MOS管。根据本专利技术的第二个方面,提供了一种用于驱动上述像素电路的方法,包括第一阶段以及第二阶段。在第一阶段中,通过数据写入模块提供数据电流,并且使驱动模块、数据写入模块、补偿和保持模块和复位模块导通,以使得补偿和保持模块产生控制电压,存储模块存储控制电压,其中控制电压是基于数据电流的函数。在第二阶段,使驱动模块导通,并且使数据写入模块、补偿和保持模块、和复位模块截止,以使得驱动模块根据存储模块存储的控制电压产生驱动电流,发光器件在驱动电流的驱动下发光。根据本专利技术的第三个方面,提供了一种显示面板,包括上述像素电路。根据本专利技术的第四个方面,提供了一种显示装置,包括上述显示面板。根据本专利技术的实施例的像素电路及其驱动方法、显示面板以及显示装置,能够使得驱动模块在驱动发光器件时提供与数据电流相等的驱动电流,在不增加发光器件功耗的情况下,提高了驱动电流。驱动电流的提高增加了注入到发光器件的电荷,提高了发光效率,克服了传统的电压补偿电路为了增加流入发光二极管的驱动电流需要增加发光器件功耗的弊端。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的实施例的技术方案,下面将对实施例的附图进行简要说明,应当知道,以下描述的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例,而非对本专利技术的限制,其中:图1是根据本专利技术的第一实施例的像素电路1的框图;图2是根据本专利技术的第二实施例的用于驱动像素电路1的方法;图3是图1所示实施例的像素电路1的示意性的电路图;图4是图3所示像素电路1的信号时序图。具体实施方式为了使本专利技术的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图,对本专利技术的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然,所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例,本领域技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,也都属于本专利技术保护的范围。图1是根据本专利技术的第一实施例的像素电路1的框图。如图1所示,像素电路1包括:复位模块2、数据写入模块3、存储模块4、补偿和保持模块5、驱动模块6以及发光器件Di。复位模块2与存储模块4以及发光器件Di连接。数据写入模块3与驱动模块6连接。补偿和保持模块5与驱动模块6以及存储模块4连接。存储模块4与驱动模块6连接。驱动模块6与发光器件Di连接。复位模块2被配置为复位存储模块4以及发光器件Di。数据写入模块3被配置为用于提供数据电流。补偿和保持模块5被配置产生用于驱动模块的控制电压,其中控制电压是基于数据电流的函数。并且,补偿和保持模块5还被配置为保持控制电压。存储模块4被配置为存储控制电压。驱动模块6被配置为根据控制电压产生驱动电流。发光器件Di被配置为由驱动电流驱动而发光。图2是根据本专利技术的第二实施例的用于驱动像素电路1的方法。如图2所示,本专利技术的第二实施例提供了驱动上述像素电路1的方法,包括第一阶段以及第二阶段。在第一阶段中,通过数据写入模块3提供数据电流,并且使驱动模块6、数据写入模块3、补偿和保持模块5和复位模块2导通,以使得补偿和保持模块5产生控制电压,存储模块4存储控制电压,其中控制电压是基于数据电流的函数。在第二阶段,使驱动模块6导通,并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电路,包括:复位模块、数据写入模块、存储模块、补偿和保持模块、驱动模块以及发光器件;所述复位模块与所述存储模块以及所述发光器件连接;所述数据写入模块与所述驱动模块连接;所述补偿和保持模块与所述驱动模块以及所述存储模块连接;所述存储模块与所述驱动模块连接;所述驱动模块与所述发光器件连接。

【技术特征摘要】
1.一种像素电路,包括:复位模块、数据写入模块、存储模块、补偿
和保持模块、驱动模块以及发光器件;
所述复位模块与所述存储模块以及所述发光器件连接;
所述数据写入模块与所述驱动模块连接;
所述补偿和保持模块与所述驱动模块以及所述存储模块连接;
所述存储模块与所述驱动模块连接;
所述驱动模块与所述发光器件连接。
2.如权利要求1所述的像素电路,其中,
所述复位模块被配置为复位所述存储模块以及所述发光器件;
所述数据写入模块被配置为用于提供数据电流;
所述补偿和保持模块被配置为产生用于所述驱动模块的控制电压,其
中所述控制电压是基于所述数据电流的函数;并且,所述补偿和保持模块
还被配置为用于保持所述控制电压;
所述存储模块被配置为存储所述控制电压;
所述驱动模块被配置为根据所述控制电压产生驱动电流;
所述发光器件被配置为由所述驱动电流驱动而发光。
3.如权利要求2所述的像素电路,其中,所述补偿和保持模块包括第
三晶体管,所述第三晶体管的控制极与第二电压线连接,第一极与第一电
压线连接,第二极与所述驱动模块以及所述存储模块连接。
4.如权利要求2所述的像素电路,其中,所述复位模块包括第四晶体
管,所述第四晶体管的控制极与第二电压线连接,第一极与所述存储模块
以及所述发光器件连接,第二极与第三电压线连接。
5.如权利要求2所述的像素电路,其中,所述驱动模块包括第二晶体
管...

【专利技术属性】
技术研发人员:郝学光程鸿飞马占洁乔勇吴新银
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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