一种太阳能电池片制造技术

本实用新型专利技术涉及太阳能发电技术领域，尤其涉及一种太阳能电池片，通过将太阳能电池片的背面表面上的背电极设置为镂空结构，且背电场填充上述的镂空结构并覆盖暴露的部分硅基体的部分背面表面上，进而可增加背电场与背电极之间的接触面积，从而有效的降低背电场与背电极之间接触不良等缺陷产生的概率，同时又能缓和背电场与硅基体之间在高温条件下所产生的应力，进而达到改善铝苞及电池片翘曲等缺陷的产生。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能发电
，尤其涉及一种太阳能电池片。
技术介绍
目前，太阳能电池片的正银图案（即正电极图案）基本上是以细栅（finger）搭配主栅（Busbar）的方式设置的，而其背银图案则是以矩形分段方式为主，并将背银与背铝之间的交接处均为实心结构；然而，由于太阳能电池片的背银图案（即背电极图案）为矩形分段式设计，且背银（背电极）与背铝（背电场）交接处为实心结构，易造成在背银上印刷背铝时导致背银与背铝之间接触不良，使得烧结后太阳能电池片的串联电阻（Rs）增大，进而消弱电极对电流的收集能力，会降低太阳能电池的光电转换效率；同时，由于背电场与背电极交叠区域相对于其他区域具有一定的高度差，进而在后续检查或运输等操作过程中，极易对交叠区的背电场造成一定的摩擦损伤。同时，由于铝硅熔沸点膨胀系数差异性较大，会使得后续对铝背电场烧结工艺的温度受到一定的限制，这是因为过高烧结温度会导致铝苞及电池片翘曲等缺陷的产生。
技术实现思路
鉴于上述问题，本申请提供了一种太阳能电池片（如多晶硅太阳能电池片等），包括：硅基体，具有正面表面及相对于所述正面表面的背面表面；背电极，设置于所述硅基体的背面表面上的所述主栅极区；背电场，覆盖所述背电极及所述硅基体的背面所述主栅极区暴露的部分表面；其中，所述背电极为具有镂空结构的膜层，所述背电场充满所述背电极上镂空结构。优选的，上述的太阳能电池片还包括：若干相互平行设置的副栅线，设置于所述硅基体的正面表面上；主栅线，包括若干主栅单元和若干连接线；其中，沿与所述副栅线延伸方向交叉的方向上，于至少部分根所述副栅线中，每根所述副栅线之上均设置有一所述主栅单元；所述若干连接线连接将相邻的所述主栅单元依次连接，以构成所述主栅线。优选的，上述的太阳能电池片，所述若干相互平行设置的副栅线中的每根所述副栅线均与一所述主栅单元连接，或者所述若干相互平行设置的副栅线中的每根所述副栅线与一所述主栅单元或一所述连接线连接，以使得所述主栅线与所述若干相互平行设置的副栅线中的每根所述副栅线均连接。优选的，上述的太阳能电池片还包括：外部电路，所述主栅线的两端均通过一焊带与所述外部电路电连接。优选的，上述的太阳能电池片，所述连接线为采用所述副栅线制备工艺所形成的连接线。优选的，上述的太阳能电池片，所述主栅线的材质为银，和/或所述副栅线的材质为银，和/或所述连接线的材质为银，和/或所述背电场的材质为铝。优选的，上述的太阳能电池片，所述硅基体的背面表面上设置有主栅极区；其中，所述背电场位于所述主栅极区中的部分为实心结构，位于除所述主栅极区以外的部分为网格状结构。优选的，上述的太阳能电池片，所述背电场上的非印刷区域的主栅宽度大于所述背电极的主栅宽度，以在所述背电场与所述背电极交接处形成若干空隙。上述技术方案具有如下优点或有益效果：本技术通过将太阳能电池片的背面表面上的背电极设置为镂空结构，且背电场填充上述的镂空结构并覆盖暴露的部分硅基体的部分背面表面上，进而可增加背电场与背电极之间的接触面积，从而有效的降低背电场与背电极之间接触不良等缺陷产生的概率，同时又能缓和背电场与硅基体之间在高温条件下所产生的应力，进而达到改善铝苞及电池片翘曲等缺陷的产生。附图说明参考所附附图，以更加充分的描述本技术的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本技术范围的限制。图1为本申请太阳能电池片的正面结构示意图；图2为本申请太阳能电池片的背面结构示意图；图3为图2中背电极主栅在与背电场交接处的结构示意图；图4为本申请太阳能电池片的背电场的结构示意图。具体实施方式目前，由于在同样光照条件下，太阳能电池的光电转化效率与电池片的受光面积成正比，而设置电池片上的主栅则会遮挡一部分照射至电池片上的光线，进而会降低太阳能电池的光电转换效率。为了解决上述的诸多问题，本申请的一实施例中，硅基体，具有正面表面及相对于该正面表面的背面表面；若干相互平行设置的副栅线，设置于所述硅基体的正面表面上；主栅线，包括若干主栅单元和若干连接线；背电极，设置于所述硅基体的背面表面上的所述主栅极区；背电场，覆盖所述背电极及所述硅基体的背面所述主栅极区暴露的部分表面；其中，沿与所述副栅线延伸方向交叉的方向上，于至少部分根所述副栅线中，每根所述副栅线之上均设置有一所述主栅单元；所述若干连接线连接将相邻的所述主栅单元依次连接，以构成所述主栅线；所述背电极为具有镂空结构的膜层，所述背电场充满所述背电极上镂空结构。参见图1~4可知，本申请实施例中的一种太阳能电池片，可包括：一具有正面表面（如可为用于吸收光能的一侧表面）及相对于该正面表面的背面表面的基体11，该基体11可包括叠置的P型硅衬底和N型硅衬底，并在该P型硅衬底与N型硅衬底交接处形成有PN结区域，以用于将光能转换为电能。若干相互平行设置的副栅线（finger）12，设置在上述的基体11的正面表面上（参见图1所示），该若干副栅线12可均匀的分布于基体11的正面表面上，其可为采用诸如印刷等工艺制备的银质膜层结构。至少一根主栅线（Busbar），设置于上述的若干相互平行设置的副栅线（finger）12之上，且任意一根主栅线（材质可为银等）均可包括若干通过连接线（如可采用与副栅线相同工艺制备的连接线结构，即该连接线可与副栅线尺寸、结构、材质等参数均相同）依次连接的主栅线单元13，即形成虚线类型的主栅线，且相邻的主栅线单元13之间相互独立非接触，并通过在该主栅线两端端部可分别通过焊带14与外部电路（图中未标示）电连接。优选的，在沿与上述副栅线12的延伸方向相交叉的方向上，可于部分根上述的副栅线12之上设置上述的主栅线单元13，当然也可于每根上述的副栅线12之上均设置有上述的主栅线单元13；另外，上述的一个主栅线单元13可设置一根或多根副栅线12之上，且同一根主栅线中所包括的不同的主栅线单元13的规格也可不相同，但只要其能满足太阳能电池片的正常工作的需求的同时，形成断续的虚线型结构，能够相对传统的实心线型的结构增大太阳能电池片的受光面积即可。较优的，如图1所示，同一根主栅线的区域中，于每根副栅线12之上均单独设置一个主栅线单元13，且相邻的副栅线12之间，设置其上的主栅线单元12非接触，其仅是通过连接线电连接，以构成与每根副栅线12均电连接的上述主栅线；同时，在主栅线的两端端部可分别通过一个焊带14与外部电路电连接，进而形成太阳能电池片的电路结构。由于相较于传统的实心线型的主栅线，本实施例中的虚线型主栅线其所遮挡的受光面积相对小很多，进而可大大增加太阳能电池片的受光面积，从而提升太阳能电池片的光电转换效率，并且由于仅在主栅线两端部采用焊带进行连接，进而在组件串焊机工艺时只要焊接主栅的两端即可，从而能够大大降低焊带的使用量，降低工艺复杂度的同时，减小了工艺成本。进一步的，上述的太阳能电池片还包括设置在上述硅基体11背面表面上的背电极（材质可为银等）及材质可为铝的背电场，且上述背电极可为镂空结构，而背电场则填充上述的镂空结构并覆盖暴露的部分硅基体11的部分背面表面上，进而可增加背电场与背电极之间的接触面积，从而有效的降低背电场与背电极之间接触不良等缺陷产生的概率，同时又能缓和背电场与硅基体之间在高温条件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池片，其特征在于，包括：硅基体，具有正面表面及相对于所述正面表面的背面表面；背电极，设置于所述硅基体的背面表面上的主栅极区；背电场，覆盖所述背电极及所述硅基体的背面所述主栅极区暴露的部分表面；其中，所述背电极为具有镂空结构的膜层，所述背电场充满所述背电极上镂空结构。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片，其特征在于，包括：硅基体，具有正面表面及相对于所述正面表面的背面表面；背电极，设置于所述硅基体的背面表面上的主栅极区；背电场，覆盖所述背电极及所述硅基体的背面所述主栅极区暴露的部分表面；其中，所述背电极为具有镂空结构的膜层，所述背电场充满所述背电极上镂空结构。2.如权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片还包括：若干相互平行设置的副栅线，设置于所述硅基体的正面表面上；主栅线，包括若干主栅单元和若干连接线；其中，沿与所述副栅线延伸方向交叉的方向上，于至少部分根所述副栅线中，每根所述副栅线之上均设置有一所述主栅单元；所述若干连接线连接将相邻的所述主栅单元依次连接，以构成所述主栅线。3.如权利要求2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述若干相互平行设置的副栅线中的每根所述副栅线均与一所述主栅单元连接，或者所述若干相互平行设置的副栅线中的每根所述副栅线与一所述主栅单元或一...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙永涛，张小刚，童锐，王柏钧，杨大谊，
申请(专利权)人：太极能源科技昆山有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32