封装结构制造技术

技术编号:15038744 阅读:75 留言:0更新日期:2017-04-05 12:51
一种封装结构包含封装体、主动元件、第一导线架及第二导线架。主动元件封装于封装体内。主动元件包含第一电极以及第二电极。第一电极设置于第一导线架上并电性连接第一导线架。第一导线架具有第一裸露面。第一裸露面与第一电极分别位于第一导线架的相反侧。第一裸露面裸露于封装体外。第二电极设置于第二导线架上并电性连接第二导线架。第二导线架具有第二裸露面。第二裸露面与第二电极分别位于第二导线架的相反侧。第二裸露面裸露于封装体外。第一电极至第二电极的最短距离小于第一裸露面至第二裸露面的最短距离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装结构。
技术介绍
随着信息科技迅速且蓬勃的发展,电子装置的小型化趋势蔚为潮流。因此,在电路板上,电子元件的积集度日益增加,使得电子元件的散热问题更加重要。进一步来说,功率晶体管在电源供应装置、控制设备、量测仪器、电器设备、电脑周边设备等电子装置中所常见的基础元件,而由于其主要功能为信号处理或功率驱动,且通常是处理较大功率的信号,因此所发出的热量较大,故散热的需求特别重要。一般来说,功率晶体管的散热通常由导线架的形状设计来实现。除了散热问题外,由于经过大功率晶体管的信号功率较大,故连接于不同电极的导线架相对容易发生短路现象。因此,导线架的设计也必须满足防短路的需求。因此,如何兼顾功率晶体管的散热与防短路需求为相关领域的重要课题之一。
技术实现思路
在本专利技术的一实施方式中,提供一种主动元件的散热与防短路需求可被兼顾的封装结构。依据本专利技术的一实施方式,一种封装结构包含一封装体、一主动元件、一第一导线架以及一第二导线架。主动元件封装于封装体内。主动元件包含一第一电极以及一第二电极。第一电极设置于第一导线架上,并电性连接第一导线架。第一导线架具有一第一裸露面。第一裸露面与第一电极分别位于第一导线架的相反侧。第一裸露面裸露于封装体外。第二电极设置于第二导线架上,并电性连接第二导线架。第二导线架具有一第二裸露面。第二裸露面与第二电极分别位于第二导线架的相反侧。第二裸露面裸露于封装体外。第一电极至第二电极的最短距离小于第一裸露面至第二裸露面的最短距离。于上述实施方式中,由于第一导线架与第二导线架分别具有裸露与封装体外的第一裸露面与第二裸露面,故可将主动元件的热量传导至封装体外。另外,由于第一裸露面至第二裸露面的最短距离比第一电极至第二电极的最短距离更长,因此,第一裸露面可不致于过度靠近第二裸露面。如此一来,即使主动元件的第一电极及/或第二电极传递高功率信号,而可能造成裸露于空气中的第一裸露面与第二裸露面产生电弧,但第一裸露面与第二裸露面保持够长的距离,故可防止第一裸露面与第二裸露面产生电弧,从而进一步防止该电弧造成第一电极与第二电极的短路状况。因此,于上述实施方式中,主动元件的散热与防短路需求可被兼顾。以上所述仅用以阐述本专利技术所欲解决的问题、解决问题的技术手段及其产生的功效,等等,本专利技术的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。附图说明为让本专利技术的实施例能更明显易懂,所附附图的说明如下:图1绘示依据本专利技术一实施方式的封装结构的立体示意图;图2绘示图1中沿着2-2’线的剖面示意图;图3绘示依据本专利技术另一实施方式的封装结构的剖面示意图;图4绘示依据本专利技术另一实施方式的封装结构的剖面示意图;图5绘示依据本专利技术另一实施方式的封装结构的立体示意图;图6绘示图5中沿着6-6’线的剖面图;以及图7绘示依据本专利技术另一实施方式的封装结构的剖面示意图。其中,附图标记说明如下:100:封装体200:主动元件201:第一表面202:第二表面210:第一电极211:第一内边缘221:第二内边缘220:第二电极230:第三电极300、300a:第一导线架301、301a:第一裸露面3011:第一裸露边缘310a:第一埋入部311a:内端面320a:第一裸露部400、400a:第二导线架401、401a:第二裸露面4011:第二裸露边缘410、410a:第二埋入部411:内端面420、420a:第二裸露部500:第三导线架501:第三裸露面600、600a:散热件601:第一导热面602、602a:第二导热面710、720:粘接层A:排列方向D1、D2:最短距离L1:第一埋入长度L2:第二埋入长度L3:第一重叠长度L4:第二重叠长度O1:第一重叠区域O2:第二重叠区域P1、P2:正投影具体实施方式以下将以附图揭露本专利技术的多个实施方式,为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,熟悉本领域的技术人员应当了解到,在本专利技术部分实施方式中,这些实务上的细节并非必要的,因此不应用以限制本专利技术。此外,为简化附图起见,一些习知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。图1绘示依据本专利技术一实施方式的封装结构的立体示意图。图2绘示图1中沿着2-2’线的剖面示意图。如图1及图2所示,于本实施方式中,封装结构包含封装体100、主动元件200、第一导线架300以及第二导线架400。主动元件200封装于封装体100内,而可被封装体100所保护。主动元件200包含第一电极210以及第二电极220。第一电极210设置于第一导线架300上并电性连接第一导线架300。第二电极220设置于第二导线架400上并电性连接第二导线架400。第一导线架300具有第一裸露面301。第一裸露面301与第一电极210的分别位于第一导线架300的相反侧。换句话说,第一裸露面301背向第一电极210的。第二导线架400具有第二裸露面401。第二裸露面401与第二电极220的分别位于第二导线架400的相反侧。换句话说,第二裸露面401背向第二电极220的。第一裸露面301与第二裸露面401均裸露于封装体100外。如此一来,当主动元件200在工作时,第一电极210所产生的热量可借由第一导线架300传导至第一裸露面301,而借由第一裸露面301散逸至外界环境(如空气)中;相似地,第二电极220所产生的热量可借由第二导线架400传导至第二裸露面401,而借由第二裸露面401散逸至外界环境(如空气)中。如图2所示,第一电极210至第二电极220定义最短距离D1,而第一裸露面301至第二裸露面401定义最短距离D2,其中最短距离D1小于最短距离D2的。如此一来,当第一电极210及/或第二电极220在传递高功率信号时,即使第一裸露面301与第二裸露面401可能因为裸露于封装体100外而产生电弧,但由于第一裸露面301至第二裸露面401的最短距离D2够长,故可有效防止电弧的产生,从而进一步避免第一电极210与第二电极220短路。因此,于本实施方式中,散热与防短路的效果可被兼顾。于部分实施方式中,主动元件200包含相对的第一表面201以及第二表面202。换句话说,第一表面201与第二表面202位于主动元件200的相反侧。第一电极210与第二电极220位于第一表面201上。换句话说,第一电极210与第二电极220位于主动元件200的相同表面上。第一电极210具有最靠近第二电极220的第一内边缘211。第二电极220具有最靠近第一电极210的第二内边缘221。第一电极210与第二电极220沿着排列方向A排列于第一表面201上。最短距离D1可为第一内边缘211至第二内边缘221沿着排列方向A所量测到的距离。第一裸露面301具有最靠近第二裸露面401的第一裸露边缘3011。第二裸露面401具有最靠近第一裸露面301的第二裸露边缘4011。最短距离D2可为第一裸露边缘3011至第二裸露边缘4011沿着排列方向A所量测到的距离。于部分实施方式中,如图2所示,第一电极210朝第一导线架300的正投影P1会重叠第一裸露面301。换句话说,如图2所示,部分第一裸露面301位于第一电极210的正下方。如此一来,第一电极210至第一裸露面301的热传导路径可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构,包含:一封装体;一主动元件,封装于该封装体内,该主动元件包含一第一电极以及一第二电极;一第一导线架,该第一电极设置于该第一导线架上,并电性连接该第一导线架,该第一导线架具有一第一裸露面,该第一裸露面与该第一电极分别位于该第一导线架的相反侧,该第一裸露面裸露于该封装体外;以及一第二导线架,该第二电极设置于该第二导线架上,并电性连接该第二导线架,该第二导线架具有一第二裸露面,该第二裸露面与该第二电极分别位于该第二导线架的相反侧,该第二裸露面裸露于该封装体外;其中该第一电极至该第二电极的最短距离小于该第一裸露面至该第二裸露面的最短距离。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构,包含:一封装体;一主动元件,封装于该封装体内,该主动元件包含一第一电极以及一第二电极;一第一导线架,该第一电极设置于该第一导线架上,并电性连接该第一导线架,该第一导线架具有一第一裸露面,该第一裸露面与该第一电极分别位于该第一导线架的相反侧,该第一裸露面裸露于该封装体外;以及一第二导线架,该第二电极设置于该第二导线架上,并电性连接该第二导线架,该第二导线架具有一第二裸露面,该第二裸露面与该第二电极分别位于该第二导线架的相反侧,该第二裸露面裸露于该封装体外;其中该第一电极至该第二电极的最短距离小于该第一裸露面至该第二裸露面的最短距离。2.如权利要求1所述的封装结构,其中该第一电极朝该第一导线架的正投影重叠该第一裸露面。3.如权利要求1所述的封装结构,其中该第二电极朝该第二导线架的正投影不重叠该第二裸露面。4.如权利要求1所述的封装结构,其中该第一电极朝该第一导线架的正投影与该第一裸露面定义一第一重叠区域,该第二电极朝该第二导线架的正投影与该第二裸露面定义一第二重叠区域,该第一电极与该第二电极沿着一排列方向所排列,该第一重叠区域具有平行于该排列方向的一第一重叠长度,该第二重叠区域具有平行于该排列方向的一第二重叠长度,该第一重叠长度大于该第二重叠长度。5.如权利要求1所述的封装结构,其中该第一电极具有最靠近该第二电极的一第一内边缘,该第二电极具有最靠近该第一电极的一第二内边缘,该第一电极与该第二电极沿着一排列方向所排列,该第一裸露面至该第一内边缘沿着该排列方向的最短距离,小于该...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡欣昌李芃昕
申请(专利权)人:台达电子工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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