半导体场效应晶体管结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体场效应晶体管结构，包括载芯板、芯片、栅极引脚、源极引脚及导电片，所述载芯板设有漏极引脚，所述芯片设有漏极、栅极及源极，所述芯片固设于所述载芯板、且所述芯片的漏极通过所述载芯板与所述漏极引脚电连接，所述芯片的栅极与所述栅极引脚电连接，所述导电片的两端分别与所述芯片的源极及所述源极引脚粘接固定，使所述芯片的源极与所述源极引脚导通。该半导体场效应晶体管结构能提高晶体管的生产效率，提升晶体管的散热能力。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体管
，特别是涉及一种半导体场效应晶体管结构。
技术介绍
目前金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS)，封装中主要使用铝线或铜线通过键合将芯片与框架进行桥接。现有的半导体场效应晶体管芯片通过铜线或铝线进行桥接，晶体管容易发热，且生产效率低。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种半导体场效应晶体管结构，能提高晶体管的生产效率，提升晶体管的散热能力。其技术方案如下：一种半导体场效应晶体管结构，包括载芯板、芯片、栅极引脚、源极引脚及导电片，所述载芯板设有漏极引脚，所述芯片设有漏极、栅极及源极，所述芯片固设于所述载芯板、且所述芯片的漏极通过所述载芯板与所述漏极引脚电连接，所述芯片的栅极与所述栅极引脚电连接，所述导电片的两端分别与所述芯片的源极及所述源极引脚粘接固定。下面进一步对技术方案进行说明：在其中一个实施例中，所述导电片的一端通过导电粘结剂与所述芯片的源极电连接、另一端通过导电粘结剂与所述源极引脚电连接。在其中一个实施例中，所述导电粘结剂为锡膏或银浆。在其中一个实施例中，所述导电片的两端分别设有片状的第一连接体及片状的第二连接体，所述第一连接体通过所述导电粘结剂与所述芯片的源极电连接，所述第二连接体通过所述导电粘结剂与所述源极引脚电连接。在其中一个实施例中，所述导电片还设有第一连接体与第二连接体的过渡体，所述第一连接体通过所述过渡体与所述第二连接体纵向错开设置。在其中一个实施例中，所述导电片为铜片导体、铝片导体、锡片导体、银片导体或金片导体。在其中一个实施例中，所述芯片的栅极通过导线与所述栅极引脚电连接。在其中一个实施例中，所述导线的一端与所述芯片的栅极桥接固定、另一端与所述栅极引脚固定。在其中一个实施例中，所述栅极引脚与所述源极引脚间隔设置于所述漏极引脚的两侧、且分别与所述漏极引脚绝缘。在其中一个实施例中，所述栅极引脚自由端、所述源极引脚的自由端及所述漏极引脚绝缘的自由端同向间隔设置。上述本技术中所述“第一”、“第二”不代表具体的数量及顺序，仅仅是用于名称的区分。上述本技术的有益效果：上述半导体场效应晶体管结构，利用大面积片状的导电片桥接所述芯片的源极与所述源极引脚，实现了芯片和源极引脚之间大电流桥接、同时有利于晶体管散热，在桥接过程中不会损伤芯片，也提高了封装效率。该半导体场效应晶体管结构，能提高晶体管的生产效率，提升晶体管的散热能力。附图说明图1为本技术所述的半导体场效应晶体管结构的示意图。附图标记说明：100、载芯板，110、漏极引脚，200、芯片，210、漏极，220、栅极，230、源极，300、导电片，310、第一连接体，320、第二连接体，330、过渡体，400、栅极引脚，500、源极引脚，600、导电粘结剂，10、导线。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施方式，对本技术进行进一步的详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本技术，并不限定本技术的保护范围。如图1所示，本技术所述的一种半导体场效应晶体管结构，包括载芯板100、芯片200、栅极引脚400、源极引脚500及导电片300，载芯板100设有漏极引脚110，芯片200设有漏极210、栅极220及源极230，芯片200固设于载芯板100、且芯片200的漏极210通过载芯板100与漏极引脚110电连接，芯片200的栅极220与栅极引脚400电连接，导电片300的两端分别与芯片200的源极230及源极引脚500粘接固定，使芯片200的源极230与源极引脚500导通。该半导体场效应晶体管结构，利用大面积片状的导电片300桥接芯片200的源极230与源极引脚500，实现了芯片200和源极引脚500之间大电流桥接、同时有利于晶体管散热，在桥接过程中不会损伤芯片200，也提高了封装效率。该半导体场效应晶体管结构，能提高晶体管的生产效率，提升晶体管的散热能力。在本实施例中，导电片300的一端通过导电粘结剂与芯片200的源极230电连接、另一端通过导电粘结剂600与源极引脚500电连接，因而在桥接的过程中不会损伤芯片200，而且能确保芯片200的源极230与源极引脚500导通；优选的，导电粘结剂600为锡膏或银浆。进一步的，导电片300的两端分别设有片状的第一连接体310及片状的第二连接体320，第一连接体310通过导电粘结剂600与芯片200的源极230电连接，第二连接体320通过导电粘结剂600与源极引脚500电连接，采用片状的第一连接体310及片状的第二连接体320能增大粘接面积，使导电片300与芯片200的源极230及源极引脚500粘接固定可靠，同时可提高晶体管的散热效率，避免局部积热；进一步的，导电片300还设有第一连接体310与第二连接体320的过渡体330，第一连接体310通过过渡体330与第二连接体320纵向错开设置，因而芯片200的源极230与源极引脚500可纵向错开，使源极引脚500与框架隔开；优选的，导电片300为铜片导体、铝片导体、锡片导体、银片导体或金片导体等金属片状导体，便于散热。再进一步的，芯片200的栅极220通过导线10与栅极引脚400电连接，避免芯片200的栅极220与芯片200的源极230短路；优选的，导线10的一端与芯片的栅极220桥接固定、另一端与栅极引脚400固定。再进一步的，栅极引脚400与源极引脚500间隔设置于漏极引脚110的两侧、且分别与漏极引脚110绝缘；优选的，栅极引脚400自由端、源极引脚500的自由端及漏极引脚110绝缘。以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体场效应晶体管结构，其特征在于，包括载芯板、芯片、栅极引脚、源极引脚及导电片，所述载芯板设有漏极引脚，所述芯片设有漏极、栅极及源极，所述芯片固设于所述载芯板、且所述芯片的漏极通过所述载芯板与所述漏极引脚电连接，所述芯片的栅极与所述栅极引脚电连接，所述导电片的两端分别与所述芯片的源极及所述源极引脚粘接固定。

【技术特征摘要】
1.一种半导体场效应晶体管结构，其特征在于，包括载芯板、芯片、栅极引脚、源极引脚及导电片，所述载芯板设有漏极引脚，所述芯片设有漏极、栅极及源极，所述芯片固设于所述载芯板、且所述芯片的漏极通过所述载芯板与所述漏极引脚电连接，所述芯片的栅极与所述栅极引脚电连接，所述导电片的两端分别与所述芯片的源极及所述源极引脚粘接固定。2.根据权利要求1所述的半导体场效应晶体管结构，其特征在于，所述导电片的一端通过导电粘结剂与所述芯片的源极电连接、另一端通过导电粘结剂与所述源极引脚电连接。3.根据权利要求2所述的半导体场效应晶体管结构，其特征在于，所述导电粘结剂为锡膏或银浆。4.根据权利要求2所述的半导体场效应晶体管结构，其特征在于，所述导电片的两端分别设有片状的第一连接体及片状的第二连接体，所述第一连接体通过所述导电粘结剂与所述芯片的源极电连接，所述第二连接体通过所述导电粘结剂与所述源极引脚电连接。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈素鹏，苏健泉，曾繁川，
申请(专利权)人：广州飞虹友益电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44