本发明专利技术的目的在于获得高精度地对使用硬磁性体(1a)的被检测物(1)进行检测的磁性传感器装置(101)。包括磁体(3)、设置于磁体(3)的磁轭(4、4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h)、以及施加有从磁轭(4、4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h)释放至磁轭(4、4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h)外的漏磁场的磁阻效应元件(5)。磁阻效应元件(5)将与磁体(3)相对的相反侧作为检测区域(2a)。磁阻效应元件(5)对在包含硬磁性体(1a)的被检测物(1)通过检测区域(2a)时所产生的磁阻效应元件(5)的偏置磁场(6)的变化进行检测。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对片状的被检测物中所包含的磁性体(磁性分量)进行检测的磁性传感器装置。
技术介绍
在现有的磁性传感器装置中，存在由形成有磁阻效应元件(磁阻元件)的基板、以及对磁阻效应元件施加偏置磁场的磁体所构成的磁性传感器装置(例如参照专利文献1和2)。在专利文献1中，公开了一种对永磁体的位置进行调整以使得强磁性体薄膜磁阻元件的磁敏方向的偏置磁场强度成为饱和磁场以下的磁通量而得的磁性传感器装置。专利文献2中公开了一种将设置于基板的2个磁阻效应元件配置于本体壳体内且在其背面侧配置有永磁体的磁性传感器装置。另外，在现有的磁性传感器装置中，存在磁性体载体上形成有磁阻效应元件且使偏置磁体与磁性体载体夹着被检测物的传输路径而相对的磁性传感器装置(例如参照专利文献3)。在现有的磁性传感器装置中，存在用一个传感器来对被检测物所包含的软磁性体和被检测物所包含的硬磁性体两者进行检测的磁性传感器装置(例如参照专利文献4)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2008-145379号公报(特别是图3～图6)专利文献2：日本专利特开2006-317218号公报(特别是图9)专利文献3：日本专利特开2013-217768号公报(特别是图1、图6、图8)专利文献4：WO2013/146755(特别是图2、图13)
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题使用了磁阻效应元件的磁性传感器装置利用磁性墨水等磁性体所产生的偏置磁场的变化所引起的磁阻效应元件的电阻值的变化，来对磁性体进行检测。在作为被检测物的磁性体中，具有软磁性体和硬磁性体。如专利文献1、2、3所公开那样的磁性传感器装置无论是尝试检测硬磁性体还是软磁性体，都会获得输出，因此，存在有可能难以仅对硬磁性体进行检测的问题。难以检测硬磁性体的理由在于，由于施加于被检测物的偏置磁场强度过大，因此软磁性体和硬磁性体两者的磁场输出都会发生饱和，输出不存在差异。此外，在专利文献4的图2所公开的磁性传感器装置中，公开了为仅对硬磁性体进行检测而使用磁阻效应元件的磁性传感器装置，但并未对磁阻效应元件与磁阻效应元件用的偏置磁场之间的关系进行公开。本专利技术的目的在于解决如上所述的问题，获得一种高精度地对使用了硬磁性体的被检测物进行检测的磁性传感器装置。解决技术问题的技术方案本专利技术所涉及的磁性传感器装置包括施加有从设置于磁体的磁轭释放至磁轭外的漏磁场的磁阻效应元件。该磁阻效应元件将与磁体相对的相反侧作为检测区域。磁阻效应元件对在包含硬磁性体的被检测物通过检测区域时所产生的磁阻效应元件的偏置磁场的变化进行检测。专利技术效果本专利技术所涉及的磁性传感器装置将释放至磁轭外的漏磁场作为偏置磁场，因此，能高精度地对包含硬磁性体的被检测物进行检测而防止磁阻效应元件发生饱和。附图说明图1是本专利技术的实施方式1所涉及的磁性传感器装置的结构图。图2是从本专利技术的实施方式1所涉及的磁性传感器装置中的磁阻效应元件的上表面进行观察的俯视图。图3是本专利技术的实施方式2所涉及的磁性传感器装置的结构图。图4是对本专利技术的实施方式2所涉及的磁性传感器装置的、由磁体3和磁轭4所形成的磁场进行说明的图。图5是从本专利技术的实施方式2所涉及的磁性传感器装置中的磁阻效应元件的上表面进行观察的俯视图。图6是表示本专利技术的实施方式2所涉及的磁性传感器装置的检测动作的图。图7是表示对本专利技术的实施方式2所涉及的磁性传感器装置的检测原理进行说明的磁场变化的图。图8是本专利技术的实施方式3所涉及的磁性传感器装置的结构图。图9是从本专利技术的实施方式3所涉及的磁性传感器装置中的磁阻效应元件的上表面进行观察的俯视图。图10是表示本专利技术的实施方式3所涉及的磁性传感器装置的检测动作的图。图11是本专利技术的实施方式4所涉及的磁性传感器装置的结构图。图12是表示对用于与本专利技术的实施方式5所涉及的磁性传感器装置进行比较的实施方式2所涉及的磁性传感器装置的磁阻效应元件所施加的Hy分量的图线。图13是从用于与本专利技术的实施方式5所涉及的磁性传感器装置进行比较的实施方式2所涉及的磁性传感器装置的上表面进行观察的俯视图、以及表示施加于各磁阻效应元件的偏置磁场矢量的图。图14是从本专利技术的实施方式5所涉及的磁性传感器装置中的磁阻效应元件的上表面进行观察的俯视图。图15是从本专利技术的实施方式6所涉及的磁性传感器装置中的磁阻效应元件的上表面进行观察的俯视图。图16是本专利技术的实施方式7所涉及的磁性传感器装置的立体图。图17是本专利技术的实施方式7所涉及的磁性传感器装置的传输方向的剖视图。图18是本专利技术的实施方式8所涉及的磁性传感器装置的立体图。图19是本专利技术的实施方式8所涉及的磁性传感器装置的传输方向的剖视图。图20是本专利技术的实施方式9所涉及的磁性传感器装置的结构图。图21是本专利技术的实施方式9所涉及的磁性传感器装置的传输方向的剖视图。图22是本专利技术的实施方式9所涉及的磁性传感器装置的结构图。图23是本专利技术的实施方式9所涉及的磁性传感器装置的传输方向的剖视图。图24是本专利技术的实施方式9所涉及的磁性传感器装置的结构图。图25是本专利技术的实施方式9所涉及的磁性传感器装置的传输方向的剖视图。图26是本专利技术的实施方式10所涉及的磁性传感器装置的结构图。图27是本专利技术的实施方式10所涉及的磁性传感器装置的传输方向的剖视图。图28是本专利技术的实施方式10所涉及的磁性传感器装置的结构图。图29是本专利技术的实施方式10所涉及的磁性传感器装置的传输方向的剖视图。图30是本专利技术的实施方式10所涉及的磁性传感器装置的结构图。图31是本专利技术的实施方式10所涉及的磁性传感器装置的传输方向的剖视图。图32是本专利技术的实施方式11所涉及的磁性传感器装置的结构图。图33是本专利技术的实施方式11所涉及的磁性传感器装置的传输方向的剖视图。具体实施方式在本申请中，将被检测物1的传输方向2设为X方向。将与传输方向2(X方向)正交的长边方向设为Y方向。将与传输方向2和长边方向两者正交的方向(与传输方向2垂直的方向)设为Z方向。磁阻效应元件5沿长边方向(Y方向)呈线状延伸。另外，X方向、Y方向、Z方向是沿X轴、Y轴、Z轴的座标的方向。该X轴、Y轴、Z轴在图中记载为X、Y、Z。虽然省略图示，但将X轴、Y轴、Z轴的原点设为磁阻效应元件5的中心部。在X方向、Y方向、Z方向之前带有正负(+、-)的标号的情况下，表示从原点起朝向哪个方向。实施方式1.利用附图，对本专利技术的实施方式1所涉及的磁性传感器装置进行说明。图1(a)是实施方式1所涉及的磁性传感器装置的结构图。由带磁轭磁体34所产生的漏磁场在磁阻效应元件5上基本沿传输方向2(X方向)。图1(b)是实施方式1所涉及的磁性传感器装置的结构图。由带磁轭磁体34所产生的漏磁场在磁阻效应元件5上基本沿Z方向。在图1中，被检测物1是用硬磁性体的墨水等印刷有图案/花纹、文字的纸币、支票等。被检测物1至少具有硬磁性体1a。即，被检测物1可以仅包含硬磁性体1a，也可以还包含软磁性体。传输路径2是传输被检测物1的路径，箭头的方向是被检测物1的传输方向2(X方向)。在传输路径2上，利用磁阻效应元件5来检测被检测物1的硬磁性体1a的区域为检测区域2a。检测区域2a是磁阻效应元件5的与磁体3相对的相反侧的传输路径2上的区域。在将被检测物1传输来检本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁性传感器装置，其特征在于，包括：磁体；磁轭，该磁轭设置于所述磁体；以及磁阻效应元件，该磁阻效应元件施加有从所述磁轭释放至所述磁轭外的漏磁场，所述磁阻效应元件将与所述磁体相对的相反侧作为检测区域，所述磁阻效应元件对在包含硬磁性体的被检测物通过所述检测区域时所产生的所述磁阻效应元件的偏置磁场的变化进行检测。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.11 JP 2014-120790;2014.07.23 JP 2014-149421.一种磁性传感器装置，其特征在于，包括：磁体；磁轭，该磁轭设置于所述磁体；以及磁阻效应元件，该磁阻效应元件施加有从所述磁轭释放至所述磁轭外的漏磁场，所述磁阻效应元件将与所述磁体相对的相反侧作为检测区域，所述磁阻效应元件对在包含硬磁性体的被检测物通过所述检测区域时所产生的所述磁阻效应元件的偏置磁场的变化进行检测。2.如权利要求1所述的磁性传感器装置，其特征在于，所述磁轭、所述磁阻效应元件以及所述检测区域均都配置于满足以下条件的位置：由所述被检测物的自发磁化所形成的磁场所产生的所述磁阻效应元件的偏置磁场的变化比将所述漏磁场施加于所述被检测物而产生的所述磁阻效应元件的偏置磁场的变化要大。3.如权利要求1或2所述的磁性传感器装置，其特征在于，所述磁体沿所述被检测物所通过的通过方向排列磁极，所述磁轭在所述通过方向上分别形成于所述磁体的前端和后端的磁极的端部，所述磁阻效应元件配置于假想线上，所述假想线在分别形成于所述磁体的前端和后端的所述磁轭的所述通过方向上的中间部分上与所述漏磁场正交。4.如权利要求1或2所述的磁性传感器装置，其特征在于，所述磁体沿与所述被检测物所通过的通过方向正交的方向排列磁极，所述磁轭形...
【专利技术属性】
技术研发人员：浅野启行，尾込智和，下畑贤司，吉冈贞明，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。