一种电源调节器及射频前端模块制造技术

本申请公开了一种电源调节器及射频前端模块，其中，所述电源调节器包括：控制模块和稳压模块，所述控制模块的第一信号输出端与所述稳压模块的第一信号输入端电连接，所述控制模块的第二信号输出端与所述稳压模块的第二信号输入端电连接；其中，所述控制模块基于HEMT工艺实现，包括控制单元和镜像电流单元；所述稳压模块基于HBT工艺实现。所述电源调节器不仅可以产生不随驱动电压变化的输出电压，还可以根据外界的使能信号控制所述电源调节器的工作状态，实现了在分别基于HBT和HEMT工艺的两颗芯片实现的射频前端模块中既能够提供稳定的输出电压，又能够在空闲状态下关断输出电压的目的。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电路设计
，更具体地说，涉及一种电源调节器及射频前端模块。
技术介绍
射频前端模块通常由功率放大器(PowerAmplifier，PA)、开关(Switch)和低噪声放大器(Low-NoiseAmplifier，LNA)组成。其功率放大器的偏置电路需要输入一路稳定的参考电压源，这个稳定的参考电压源通常由电源调节器提供。在现有技术中，射频前端模块通常由两颗基于不同集成工艺的芯片组成，功率放大器设置于其中一颗基于HBT(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)工艺的芯片之中；开关和低噪声放大器通常设置于另外一颗基于HEMT(HighElectronMobilityTransistor，高电子迁移率晶体管)工艺的芯片之中。这是因为基于HEMT工艺实现的开关的插入损耗较小，而反向隔离度较高；基于HEMT工艺实现的低噪声放大器能够得到较好的噪声系数和线性度。但是由于工艺本身的限制，如果将所述电源调节器设置于HBT工艺的芯片中，虽然能够实现稳压电路，但却很难在射频前端模块的空闲状态下关闭功率放大器，即关断电源调节器的输出电压提供使能控制功能；并且由于HEMT工艺本身不具备实现稳压电路所必须的PN结，因此如果将所述电源调节器设置于HEMT工艺的芯片中，所述电源调节器无法提供稳定的输出电压。因此如何在分别基于HBT和HEMT工艺的两颗芯片实现的射频前端模块中实现具有使能控制功能的电源调节器成为研究人员努力的方向。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种电源调节器及射频前端模块，以在分别基于HBT和HEMT工艺的两颗芯片实现的射频前端模块中实现一种既能够提供稳定的输出电压，又能够在空闲状态下关断输出电压的电源调节器的目的。为实现上述技术目的，本专利技术实施例提供了如下技术方案：一种电源调节器，所述电源调节器包括：控制模块和稳压模块，所述控制模块的第一信号输出端与所述稳压模块的第一信号输入端电连接，所述控制模块的第二信号输出端与所述稳压模块的第二信号输入端电连接；其中，所述控制模块基于高电子迁移率晶体管HEMT工艺实现，包括控制单元和镜像电流单元；其中，所述控制单元的第一信号输出端与所述镜像电流单元的第一信号输入端电连接，所述控制单元的第二信号输出端与所述镜像电流单元的第二信号输入端电连接，所述控制单元的控制信号输入端用于接收外界使能信号，所述控制单元的电压输入端用于接收驱动电压，所述控制单元用于根据所述使能信号控制所述电源调节器的工作状态，并在所述电源调节器工作时将所述驱动电压传送给所述镜像电流单元；所述镜像电流单元用于在接收到所述驱动电压时产生第一电流和第二电流，并通过所述控制模块的第一信号输出端向所述稳压模块传送第一电流，通过所述控制模块的第二信号输出端向所述稳压模块传送第二电流，所述第一电流和第二电流为镜像电流；所述稳压模块基于异质结双极晶体管HBT工艺实现，用于在接收到所述第一电流和第二电流后开始工作，获得不随所述驱动电压变化的输出电压并通过所述稳压模块的信号输出端输出。优选的，所述稳压模块包括：第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻；其中，所述第二电阻的第一端连接所述控制模块的第二信号输出端，并作为所述稳压模块的信号输出端，其第二端与第二三极管的集电极连接；所述第二三极管的基极与集电极连接，并与所述第一三极管的基极连接，其发射极与所述第一电阻的第一端连接；所述第一三极管的集电极作为所述稳压模块的第一信号输入端，其发射极与所述第一电阻的第二端连接，同时接地；所述第一三极管和第二三极管均为N型异质结双极晶体管。优选的，所述第一三极管和第二三极管均为N沟道砷化镓异质结双极晶体管。优选的，所述稳压模块还包括：第一电容，所述第一电容的一端接于所述第一三极管基极与第二三极管基极的连接节点，另一端与所述第一三极管的集电极连接。优选的，所述稳压模块还包括增压单元；所述增压单元串接在所述第二电阻与所述第二三极管之间，用于增加所述电源调节器的输出电压；所述增压单元由至少一个三极管或至少一个二极管依次串接构成。优选的，所述稳压模块还包括第一滤波单元；所述第一滤波单元包括第二电容和第三电容，所述第二电容的第一端接于所述第二电阻的第一端，第二端与所述第三电容的第一端连接；所述第三电容的第二端与所述第一三极管的集电极连接。优选的，所述控制单元包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极的连接节点作为所述控制单元的控制信号输入端；所述第一晶体管的源极作为所述控制单元的第一信号输出端，所述第二晶体管的源极作为所述控制单元的第二信号输出端；所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极连接，作为所述控制单元的电压输入端；所述第一晶体管和第二晶体管均为N沟道耗尽型高电子迁移率晶体管。优选的，所述镜像电流单元包括第三晶体管、第四晶体管和第三电阻；其中，所述第三晶体管的漏极作为所述镜像电流单元的第一信号输入端，其栅极与所述第四晶体管的栅极连接，其源极与第三电阻的第一端连接；所述第四晶体管的漏极作为所述镜像电流单元的第二信号输入端，其源极作为所述控制模块的第二信号输出端；所述第三电阻的第二端接于所述第三晶体管栅极与第四晶体管栅极的连接节点，作为所述控制模块的第一信号输出端；所述第三晶体管和第四晶体管均为N沟道耗尽型高电子迁移率晶体管。优选的，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管均为N沟道耗尽型砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管。优选的，所述镜像电流单元还包括第二滤波单元；所述第二滤波单元包括第四电容和第五电容，所述第四电容的第一端接于所述第四晶体管的源极，第二端接于所述第五电容的第一端；所述第五电容的第二端接于所述第三电阻的第二端。一种射频前端模块，包括至少一个如上述任一实施例所述的电源调节器。从上述技术方案可以看出，本专利技术实施例提供了一种电源调节器及射频前端模块，其中，所述电源调节器包括基于HEMT工艺实现的控制模块和基于HBT工艺实现的稳压模块，所述控制模块包括控制单元和镜像电流单元，所述控制单元的控制信号输入端用于接收使能信号，并根据所述使能信号控制所述电源调节器的工作状态，从而在不需要电源调节器工作时，通过改变使能信号即可达到关断所述电源调节器的目的；所述稳压模块在接收到镜像电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源调节器，其特征在于，所述电源调节器包括：控制模块和稳压模块，所述控制模块的第一信号输出端与所述稳压模块的第一信号输入端电连接，所述控制模块的第二信号输出端与所述稳压模块的第二信号输入端电连接；其中，所述控制模块基于高电子迁移率晶体管HEMT工艺实现，包括控制单元和镜像电流单元；其中，所述控制单元的第一信号输出端与所述镜像电流单元的第一信号输入端电连接，所述控制单元的第二信号输出端与所述镜像电流单元的第二信号输入端电连接，所述控制单元的控制信号输入端用于接收外界使能信号，所述控制单元的电压输入端用于接收驱动电压，所述控制单元用于根据所述使能信号控制所述电源调节器的工作状态，并在所述电源调节器工作时将所述驱动电压传送给所述镜像电流单元；所述镜像电流单元用于在接收到所述驱动电压时产生第一电流和第二电流，并通过所述控制模块的第一信号输出端向所述稳压模块传送第一电流，通过所述控制模块的第二信号输出端向所述稳压模块传送第二电流，所述第一电流和第二电流为镜像电流；所述稳压模块基于异质结双极晶体管HBT工艺实现，用于在接收到所述第一电流和第二电流后开始工作，获得不随所述驱动电压变化的输出电压并通过所述稳压模块的信号输出端输出。...

【技术特征摘要】
1.一种电源调节器，其特征在于，所述电源调节器包括：控制模块和稳
压模块，所述控制模块的第一信号输出端与所述稳压模块的第一信号输入端
电连接，所述控制模块的第二信号输出端与所述稳压模块的第二信号输入端
电连接；其中，
所述控制模块基于高电子迁移率晶体管HEMT工艺实现，包括控制单元
和镜像电流单元；其中，所述控制单元的第一信号输出端与所述镜像电流单
元的第一信号输入端电连接，所述控制单元的第二信号输出端与所述镜像电
流单元的第二信号输入端电连接，所述控制单元的控制信号输入端用于接收
外界使能信号，所述控制单元的电压输入端用于接收驱动电压，所述控制单
元用于根据所述使能信号控制所述电源调节器的工作状态，并在所述电源调
节器工作时将所述驱动电压传送给所述镜像电流单元；
所述镜像电流单元用于在接收到所述驱动电压时产生第一电流和第二电
流，并通过所述控制模块的第一信号输出端向所述稳压模块传送第一电流，
通过所述控制模块的第二信号输出端向所述稳压模块传送第二电流，所述第
一电流和第二电流为镜像电流；
所述稳压模块基于异质结双极晶体管HBT工艺实现，用于在接收到所述
第一电流和第二电流后开始工作，获得不随所述驱动电压变化的输出电压并
通过所述稳压模块的信号输出端输出。
2.根据权利要求1所述的电源调节器，其特征在于，所述稳压模块包括：
第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻；
其中，所述第二电阻的第一端连接所述控制模块的第二信号输出端，并
作为所述稳压模块的信号输出端，其第二端与第二三极管的集电极连接；
所述第二三极管的基极与集电极连接，并与所述第一三极管的基极连接，
其发射极与所述第一电阻的第一端连接；
所述第一三极管的集电极作为所述稳压模块的第一信号输入端，其发射
极与所述第一电阻的第二端连接，同时接地；
所述第一三极管和第二三极管均为N型异质结双极晶体管。
3.根据权利要求2所述的电源调节器，其特征在于，所述第一三极管和
第二三极管均为N沟道砷化镓异质结双极晶体管。
4.根据权利要求2或3所述的电源调节器，其特征在于，所述稳压模块
还包括：第一电容，所述第一电容的一端接于所述第一三极管基极与第二三
极管基极的连接节点，另一端与所述第一三极管的集电极连接。
5.根据权利要求4所述的电源调节器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭亚炜，徐志伟，张连星，路宁，
申请(专利权)人：宜确半导体苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32