【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于测量预定空间中的污染水平的多采样端口监测装置以及使用该多采样端口监测装置的监测方法,更具体地,涉及能够通过下述方式来有效地监测广阔空间中的污染水平的多采样端口监测装置以及使用该多采样端口监测装置的监测方法:包括多个采样端口,使得在被测空间中的若干点处吸取气体;测量从多个采样端口吸取的气体的平均污染水平;以及在平均污染水平超出预定范围的情况下允许单独地或者局部地测量从采样端口吸取的气体的污染水平。
技术介绍
洁净室,在其中执行半导体制造工艺等的地方,根据洁净度被划分成若干类,洁净度由每单位面积中存在的以及具有预定尺寸的颗粒的数目来确定,并且应该通过精确测量来经常识别污染原因,以始终保持并且管理洁净度的预定水平。因此,应该识别并且经常测量可能影响洁净度的重要部分,并且应该能够通过有规律地测量洁净室中的若干地方来预测偶然情况。此外,在洁净室中,重要的是恒定地保持并且管理温度、湿度和压力以及通过分析颗粒来识别洁净度。通常,在半导体制造设施的洁净室中,颗粒测量装置被用于测试洁净室的过滤器的泄漏以及测量洁净室的内部颗粒。当设置在洁净室的天花板上的过滤器被安装之后,该过滤器由于内部和外部的变化而损坏,使得该过滤器的过滤功能可能劣化。因此,需要测试过滤器的泄漏,以验证稳定的洁净室保证和半导体器件的可靠性保证。泄漏的测试通过下述方案来执行:在与过滤器的下端保持预定距离的同时扫描过滤器的表面,并且测量从过滤 ...
【技术保护点】
一种用于测量被测空间中的污染水平的多采样端口监测装置,包括:多个采样端口100,其被设置成使得在所述被测空间中的若干点处吸取气体;吸气管200,其连接至每个采样端口100;歧管300,其从所述吸气管200分岔;混合部件500,其连接至所述吸气管200和所述歧管300的端部以收集并混合所吸取的气体;检测部件600,其测量通过所述混合部件500并且然后被引入到所述检测部件600中的气体的污染水平;第一控制阀410,其连接至所述吸气管200;第二控制阀420,其连接至所述歧管;以及控制部件,其控制所述第一控制阀410、所述第二控制阀420和所述检测部件600,其中,所述控制部件执行控制以打开所述第一控制阀410,从而允许测量从所述多个采样端口100吸取的气体的平均污染水平,或者关闭所述第一控制阀410并且打开所述多个第二控制阀420中的至少一个,使得气体朝所述歧管300流动,从而允许测量从所述采样端口100吸取的气体的污染水平。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.23 KR 10-2013-01266291.一种用于测量被测空间中的污染水平的多采样端口监测装置,包括:
多个采样端口100,其被设置成使得在所述被测空间中的若干点处吸取气体;
吸气管200,其连接至每个采样端口100;
歧管300,其从所述吸气管200分岔;
混合部件500,其连接至所述吸气管200和所述歧管300的端部以收集并混合所吸取的
气体;
检测部件600,其测量通过所述混合部件500并且然后被引入到所述检测部件600中的
气体的污染水平;
第一控制阀410,其连接至所述吸气管200;
第二控制阀420,其连接至所述歧管;以及
控制部件,其控制所述第一控制阀410、所述第二控制阀420和所述检测部件600,
其中,所述控制部件执行控制以打开所述第一控制阀410,从而允许测量从所述多个采
样端口100吸取的气体的平均污染水平,或者关闭所述第一控制阀410并且打开所述多个第
二控制阀420中的至少一个,使得气体朝所述歧管300流动,从而允许测量从所述采样端口
100吸取的气体的污染水平。
2.根据权利要求1所述的多采样端口监测装置,其中,在从所述多个采样端口100吸取
的气体的所述平均污染水平超出预定范围的情况下,所述第一控制阀410被关闭,并且所述
多个第二控制阀420一个接一个地被顺序地打开,或者所述多个第二控制阀420中的一些被
打开以允许测量从所述采样端口100吸取的气体的污染水平。
3.根据权利要求1所述的多采样端口监测装置,其中,所述多个采样端口100被安装在
一个分隔空间中或者被分别安装在多个分隔空间中。
4.根据权利要求1所述的多采样端口监测装置,其中,所述第一控制阀410是设置在所
述混合部件500的前端处以共同控制所述多个吸气管200的电磁阀。
5.根据权利要求1所述的多采样端口监测装置,其中,所述第二控制阀420是设置在所
述吸气管200的一个点处的三通阀,其中所述歧管300从所述点分岔。
6.根据权利要求1所述的多采样端口监测装置,还包括设置在所述吸气管200上并且调
节所吸取的...
【专利技术属性】
技术研发人员:柳承教,李应先,李玹旭,
申请(专利权)人:伟德泰有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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