电压调节电路及其输出调节电压生成方法、集成电路技术

本发明专利技术提供了一种电压调节电路及其输出调节电压生成方法、集成电路，该方法包括：调整驱动管电路，包括多个驱动单元、以及采样点，驱动单元输出调节电压，采样点对驱动单元的输出调节电压进行采样；输出调节电压修正电路，与采样点连接，通过采样点对至少两个驱动单元的输出调节电压进行采样，根据采样得到的至少两个输出调节电压生成反馈电压，并经过电阻反馈网络比例输出至目标电路。通过本发明专利技术的实施，通过对LDO输出电压值的整理与校正之后，输出电压值从统计上平均来看，更趋近于实际要求的输出电压值，解决了现有LDO与SRAM Memory cell相连的单元节点处的输出平均电压与目标输出调节电压差异过大的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及现场可编程阵列器件领域，尤其涉及一种LDO(low-dropoutput，电压调节电路)及其输出调节电压生成方法、集成电路。
技术介绍
SRAM(静态随机存储器)是RAM(随机存储器)的一种，主要用于配置存储单元数据位，在消费类电子里使用很多；在SRAM电路里的存储单元(memorycell)，以阵列方式分布，具有独立的地址线以及数据线；随着工艺尺寸的进一步降低，SRAM单元的密度越来越高，对于SRAM单元的电源也越来越敏感；SRAM单元的电源变化，直接影响SRAM单元后续模块的timing要求的margin。因此，在SRAMLDO设计中，一个随PVT(工艺，电源电压，温度)变化相对较小的LDO，在VLSI(超大规模集成电路)设计中，已经成为极为关键一步。目前在SRAMLDO设计中，SRAMLDO架构主要包括运算放大器电路与调整驱动管(regulatordriveringMOSFET)电路两部分；由于SRAMMemorycell单元数量多，因此，SRAMLDO需要提供非常大的Drivering，以保证对于SRAMMemorycell单元能均匀驱动,而Driverring的布局布线及寄生的电阻电容将影响SRAMLDO输出电压调节值的一致性：由不合理的布局布线以及版图寄生电阻导致的Driverring与Memorycell单元相连的单元节点处的输出值差异，而PVT以及器件失配引起的SRAMLDO实际输出与理想的LDO输出电压存在差异，将导致一致性恶化。因此，本领域技术人员亟待提供一种LDO，以解决现有LDO与SRAMMemorycell相连的单元节点处的输出平均电压与目标输出调节电压差异过大的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种LDO及其输出调节电压生成方法、集成电路，以降低现有LDO与SRAMMemorycell相连的单元节点处的输出值差异。本专利技术提供了一种电压调节电路，其包括：调整驱动管电路，包括多个驱动单元、及采样点，驱动单元用于输出调节电压，采样点用于对驱动单元的输出调节电压进行采样；输出调节电压修正电路，与采样点连接，用于通过采样点对至少两个驱动单元的输出调节电压进行采样，根据采样得到的至少两个输出调节电压生成反馈电压，并经过电阻反馈网络比例输出至目标电路。进一步的，还包括采样点设置装置，用于根据目标电路的网格化布局，在调整驱动管电路输出电压的不同位置设置采样点。进一步的，采样点设置装置具体用于根据目标电路的网格化布局，以行和/或列为单位划分单元，根据划分得到的子单元，在调整驱动管电路上选择关键节点，将关键节点作为采样点。进一步的，输出调节电压修正电路具体用于将采样得到的至少两个输出调节电压进行平均值计算，生成反馈电压。进一步的，还包括修正模块，用于当电压调节电路的工艺、电源电压、温度变化时，根据与不同的电阻反馈网络的反馈比例对应的输出调节电压与标准输出调节电压的差值属性，修正电阻反馈网络的反馈比例。进一步的，修正模块具体用于通过大步修正和/或小步微调的方式，逐步调整电阻反馈网络的反馈比例，直至差值属性中的正负数关系发生变化，查找差值属性中的绝对值最小时对应的电阻反馈网络的反馈比例，将其作为电阻反馈网络电阻反馈网络配置。本专利技术提供了一种电压调节电路的输出调节电压生成方法，其包括：调整驱动管电路，包括多个驱动单元、以及采样点，驱动单元输出调节电压，采样点对驱动单元的输出调节电压进行采样；输出调节电压修正电路，与采样点连接，通过采样点对至少两个驱动单元的输出调节电压进行采样，根据采样得到的至少两个输出调节电压生成反馈电压，并经过电阻反馈网络比例输出至目标电路。进一步的，还包括采样点设置装置根据目标电路的网格化布局，在调整驱动管电路输出电压的不同位置设置采样点。进一步的，采样点设置装置根据目标电路的网格化布局，以行和/或列为单位划分单元，根据划分得到的子单元，在调整驱动管电路上选择关键节点，将关键节点作为采样点。进一步的，输出调节电压修正电路将采样得到的至少两个输出调节电压进行平均值计算，生成反馈电压。进一步的，还包括：当电压调节电路的工艺、电源电压、温度变化时，根据与不同的电阻反馈网络的反馈比例对应的输出调节电压与标准输出调节电压的差值属性，修正电阻反馈网络的反馈比例。进一步的，修正电阻反馈网络的反馈比例包括：通过大步修正和/或小步微调的方式，逐步调整电阻反馈网络的反馈比例，直至差值属性中的正负数关系发生变化，查找差值属性中的绝对值最小时对应的电阻反馈网络的反馈比例，将其作为电阻反馈网络电阻反馈网络配置。本专利技术提供了一种集成电路，包括存储单元及本专利技术提供的电压调节电路，使用本专利技术提供的电压调节电路的输出调节电压生成方法，生成反馈电压，并经过电阻反馈网络比例输出至存储单元。本专利技术的有益效果：本专利技术提供了一种新的LDO，包括：调整驱动管电路，包括多个环形电连接的驱动单元、及多个采样点，驱动单元用于输出调节电压，采样点用于对调整驱动管电路中至少两个驱动单元进行采样；输出调节电压修正电路，与采样点连接，用于对至少两个驱动单元进行采样，根据采样得到的至少两个输出调节电压生成反馈电压，并经过电阻反馈网络比例输出至目标电路，通过对SRAMLDORegulator输出电压值的整理与校正之后，SRAMDriverring上输出电压值从统计上平均来看，更趋近于实际要求的输出电压值，降低了LDO与SRAMMemorycell相连的单元节点处的输出值差异，解决了现有LDO与SRAMMemorycell相连的单元节点处的输出平均电压与目标输出调节电压差异过大的技术问题。进一步的，对于一个确定的PVT条件下，通过采样取平均值的方法可以让一个集成电路内部的SRAMMemorycell的电压值差值更小，因此，从SRAMMemorycell来说，更有利改善其电源电压变化对SRAM输出电压变化对后续数字逻辑模块的timing参数的影响；对于变化的PVT情况，这个方法，让每一块集成电路上电之后，都进行一次校正，通过对电阻反馈网络的自动修正整理，可以改善集成电路之间的SRAMLDOregulator输出值与基准电压之间的差异，提升良率。附图说明图1为现有LDO电路的连接示意图；图2为本专利技术第一实施例提供的LDO电路的连接示意图；图3为本专利技术第二实施例提供的LDO电路输出调节电压生成方法的流程图；图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压调节电路，其特征在于，包括：调整驱动管电路，包括多个驱动单元、及采样点，所述驱动单元用于输出调节电压，所述采样点用于对所述驱动单元的输出调节电压进行采样；输出调节电压修正电路，与所述采样点连接，用于通过所述采样点对至少两个驱动单元进行采样，根据采样得到的至少两个输出调节电压生成反馈电压，并经过电阻反馈网络比例输出至目标电路。

【技术特征摘要】
1.一种电压调节电路，其特征在于，包括：
调整驱动管电路，包括多个驱动单元、及采样点，所述驱动单元用于输出
调节电压，所述采样点用于对所述驱动单元的输出调节电压进行采样；
输出调节电压修正电路，与所述采样点连接，用于通过所述采样点对至少
两个驱动单元进行采样，根据采样得到的至少两个输出调节电压生成反馈电压，
并经过电阻反馈网络比例输出至目标电路。
2.如权利要求1所述的电压调节电路，其特征在于，还包括采样点设置
装置，用于根据所述目标电路的网格化布局，在所述调整驱动管电路输出电压
的不同位置设置所述采样点。
3.如权利要求2所述的电压调节电路，其特征在于，所述采样点设置装
置具体用于根据所述目标电路的网格化布局，以行和/或列为单位划分单元，根
据划分得到的子单元，在所述调整驱动管电路上选择关键节点，将所述关键节
点作为采样点。
4.如权利要求1所述的电压调节电路，其特征在于，所述输出调节电压
修正电路具体用于将采样得到的至少两个输出调节电压进行平均值计算，生成
反馈电压。
5.如权利要求1至4任一项所述的电压调节电路，其特征在于，还包括
修正模块，用于当所述电压调节电路的工艺、电源电压、温度变化时，根据与
不同的电阻反馈网络的反馈比例对应的输出调节电压与标准输出调节电压的差
值属性，修正所述电阻反馈网络的反馈比例。
6.如权利要求5所述的电压调节电路，其特征在于，所述修正模块具体
用于通过大步修正和/或小步微调的方式，逐步调整所述电阻反馈网络的反馈比
例，直至所述差值属性中的正负数关系发生变化，查找所述差值属性中的绝对
值最小时对应的电阻反馈网络的反馈比例，将其作为所述电阻反馈网络电阻反
馈网络配置。
7.一种电压调节电路的输出调节电压生成方法，其特征在于，包括：
调整驱动管电路，包括多个驱动单元、以及采样点，所述驱动单元输出调
节电压，所述采样点对所述驱动单元的输出调节电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖英豪，
申请(专利权)人：深圳市同创国芯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44