液晶显示器和电子设备制造技术

本公开的一个方面涉及液晶显示器和电子设备，具体公开了液晶显示器，具有：像素的阵列；上部显示层和下部显示层；及上部显示层和下部显示层之间的一层液晶材料，其中上部显示层和下部显示层中选定的一个包括：基板；基板上的薄膜晶体管结构；薄膜晶体管结构上的导电层；导电层上的介电层；及介电层上的像素电极，所述像素电极与导电层被介电层分开，其中介电层在像素电极之间包括沟槽。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年5月1日提交的美国专利申请No.14/702,556和于2015年1月21日提交的临时专利申请No.62/106,158的优先权，这些专利申请的全部内容通过引用被结合于此。
本专利技术一般而言涉及电子设备，并且更具体而言，涉及带显示器的电子设备。
技术介绍
电子设备常常包括显示器。例如，蜂窝电话和便携式计算机常常包括用于向用户呈现信息的显示器。液晶显示器包含一层液晶材料。液晶显示器中的像素包含薄膜晶体管和用于向液晶材料施加电场的电极。像素中电场的强度控制液晶材料的偏振状态并由此调节像素的亮度。施加到液晶显示器中像素的电场会造成电荷在显示器内累积。这会导致显示器的不期望闪烁。闪烁会减弱在显示器上显示的图像的质量。因此，期望能够提供用于电子设备的改进的显示器，诸如具有减少的电荷累积和闪烁的显示器。
技术实现思路
显示器可以具有上部和下部显示层，诸如滤色器层和薄膜晶体管层。一层液晶材料可以插在上部和下部显示层之间。显示层可以具有基板。薄膜晶体管层可以具有在诸如透明玻璃层的基板上的一层薄膜晶体管结构。平坦化层可以在薄膜晶体管结构上形成。诸如透明导电氧化物或其它透明导电层的公共电压层可以在平坦化层上形成。显示器可以在透明导电层上具有介电层。像素可以在显示层中形成。像素可以包括具有指状物的像素电极。指状物可以在介电层上形成。介电层中的沟槽可以在指状物之间形成。沟槽可以完全延伸到透明导电层或者可以仅形成到介电层中的半途。沟槽的存在可以减小指状物之间介电层的电阻并且由此有助于减少电荷累积和显示器闪烁。根据实施例，液晶显示器，具有：像素的阵列；上部显示层和下部显示层；及上部显示层和下部显示层之间的一层液晶材料，其中上部显示层和下部显示层中选定的一个包括：基板；基板上的薄膜晶体管结构；薄膜晶体管结构上的导电层；导电层上的介电层；及介电层上的像素电极，所述像素电极与导电层被介电层分开，其中介电层在像素电极之间包括沟槽。根据另一种实施例，导电层形成公共电压电极。根据另一种实施例，介电层包括氮化硅。根据另一种实施例，介电层包括在一层第二介电材料上的一层第一介电材料。根据另一种实施例，第一介电材料是氮化硅。根据另一种实施例，第二介电材料是氧化硅。根据另一种实施例，第二介电材料是低K电介质，并且其中沟槽延伸到导电层，使得像素电极之间的区域没有介电层。根据另一种实施例，沟槽延伸到导电层，使得像素电极之间的区域没有介电层。根据另一种实施例，沟槽不到达导电层，使得介电层在像素电极下方具有第一厚度而在像素电极之间具有第二厚度，并且第二厚度小于第一厚度。根据另一种实施例，液晶显示器还包括覆盖电极并且具有延伸到沟槽中的部分的聚合物层，并且其中聚合物包括聚酰亚胺。根据另一种实施例，导电层包括用于蚀刻停止的导电氧化物并且沟槽延伸到导电层，使得像素电极之间的区域没有介电层。根据另一种实施例，电极由选自氧化铟锡和氧化铟锌的导电氧化物形成并且导电层由选自氧化铟锡和氧化铟锌的导电氧化物形成。根据另一种实施例，显示层中选定的一个是下部显示层。根据另一种实施例，上部显示层包括滤色器层，并且其中介电层在沟槽之间具有未蚀刻部分，并且其中电极从沟槽凹入，以便在未被电极覆盖的介电层上形成肩部。根据实施例，液晶显示器具有像素的阵列、具有各自的第一和第二基板的第一和第二相对显示层以及第一和第二显示层之间的一层液晶材料，第一显示层包括第一基板上的薄膜晶体管结构、薄膜晶体管结构上的导电层、导电层上的介电层以及介电层上的像素电极，其中像素电极与导电层被介电层分离，在像素电极之间的介电层中存在沟槽。根据另一种实施例，薄膜晶体管结构包括覆盖有平坦化层的薄膜晶体管。根据另一种实施例，导电层包括平坦化层上的透明导电层。根据另一种实施例，介电层在像素电极下方具有第一厚度并且沟槽只延伸到透明导电层的半途，使得在像素电极之间的区域中透明导电层覆盖有第二厚度的介电层，该第二厚度小于第一厚度，并且其中迹线延伸到透明导电层。根据实施例，液晶显示器具有像素的阵列、滤色器层、在基板上具有薄膜晶体管结构的薄膜晶体管层、在滤色器层与薄膜晶体管层之间的一层液晶材料、薄膜晶体管结构上的平坦化层、平坦化层上承载公共电极电压的透明导电层、透明导电层上的介电层、以及介电层上的像素电极，介电层在像素电极下方具有第一厚度并且在像素电极之间具有小于第一厚度的第二厚度。根据另一种实施例，介电层包括在像素电极之间具有沟槽的一层氮化硅。根据实施例，本专利技术还涉及电子设备，其包括如上实施例所述的液晶显示器。附图说明图1是根据实施例、诸如带显示器的膝上型计算机的说明性电子设备的透视图。图2是根据实施例、诸如带显示器的手持式电子设备的说明性电子设备的透视图。图3是根据实施例、诸如带显示器的平板计算机的说明性电子设备的透视图。图4是根据实施例、诸如带显示器的计算机显示器的说明性电子设备的透视图。图5是根据实施例的说明性显示器的横截面侧视图。图6是根据实施例的显示器中像素阵列的部分的顶视图。图7是根据实施例的说明性显示器的一部分的横截面侧视图。图8是根据实施例、示出与图7的显示器结构关联的电阻和电容的电路图。图9是根据实施例、示出像素电压如何可以在显示器的层当中分布的图。图10是根据实施例的说明性薄膜晶体管层的一部分的横截面侧视图，其中介电层在像素电极之间选定的沟槽区域中已被部分去除。图11是根据实施例的说明性薄膜晶体管层的一部分的横截面侧视图，其中介电层在像素电极之间选定的沟槽区域中已被完全去除。图12是根据实施例的显示器的一部分的横截面侧视图，示出在除去图11的介电层的部分时公共电压电极层如何可以充当蚀刻停止层。图13是根据实施例的说明性薄膜晶体管层的一部分的横截面侧视图，其中介电层在像素电极之间选定的沟槽区域中已被部分去除并且其中未去除的介电层具有未被电极材料覆盖的肩部。图14是根据实施例的说明性薄膜晶体管层的一部分的横截面侧视图，其中介电层在像素电极之间选定的沟槽区域中已被完全去除并且其中未去除的介电层具有未被电极材料覆盖的肩部。图15是根据实施例、在形成图13中所示类型的结构中所涉及的说明性步骤的图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器，其特征在于具有：像素的阵列；上部显示层和下部显示层；及上部显示层和下部显示层之间的一层液晶材料，其中上部显示层和下部显示层中选定的一个包括：基板；基板上的薄膜晶体管结构；薄膜晶体管结构上的导电层；导电层上的介电层；及介电层上的像素电极，所述像素电极与导电层被介电层分开，其中介电层在像素电极之间包括沟槽。

【技术特征摘要】
2015.01.21 US 62/106,158;2015.05.01 US 14/702,5561.一种液晶显示器，其特征在于具有：
像素的阵列；
上部显示层和下部显示层；及
上部显示层和下部显示层之间的一层液晶材料，其中上部显示层
和下部显示层中选定的一个包括：
基板；
基板上的薄膜晶体管结构；
薄膜晶体管结构上的导电层；
导电层上的介电层；及
介电层上的像素电极，所述像素电极与导电层被介电层分开，
其中介电层在像素电极之间包括沟槽。
2.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于所述导电层形
成公共电压电极。
3.如权利要求2所述的液晶显示器，其特征在于所述介电层包
括氮化硅。
4.如权利要求2所述的液晶显示器，其特征在于介电层包括在
一层第二介电材料上的一层第一介电材料。
5.如权利要求4所述的液晶显示器，其特征在于第一介电材料
是氮化硅。
6.如权利要求5所述的液晶显示器，其特征在于第二介电材料
是氧化硅。
7.如权利要求5所述的液晶显示器，其特征在于第二介电材料
是低K电介质，并且其中沟槽延伸到导电层，使得像素电极之间的
区域没有介电层。
8.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于沟槽延伸到导
电层，使得像素电极之间的区域没有介电层。
9.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于沟槽不到达导
电层，使得介电层在像素电极下方具有第一厚度而在像素电极之间具
有第二厚度，并且其中第二厚度小于第一厚度。
10.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于还包括覆盖电
极并且具有延伸到沟槽中的部分的聚合物层，并且其中聚合物包括聚
酰亚胺。
11.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于导电层包括用
于蚀刻停止的导电氧化物，并且沟槽延伸到导电层，使得像素电极之
间的区域没有介电层。
12.如权利要求11所述的液晶显示器，其特征在于电极由选自
氧化铟锡和氧化铟锌的导...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛志兵，王超昊，陈宬，金景旭，洪铭钦，P·萨凯托，张世昌，姜石全帆，林上智，
申请(专利权)人：苹果公司，
类型：新型
国别省市：美国;US