一种晶片洗蜡装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶片洗蜡装置，包括支架、温控设备以及晶片架；支架上依次设有碱液槽、清水槽以及酒精槽；碱液槽设有碱液加热管、聚四氟乙烯格网以及碱液槽盖；碱液槽盖上设有测温设备；清水槽设有清水加热管以及不锈钢格网；清水槽前侧壁下部设有出水管，后侧壁上部设有进水管；酒精槽底部设有酒精出口；酒精槽设有酒精槽盖；晶片架包括网格型底面与两个对称的侧面；两个对称的侧面上，相对的一面对应设有复数个垂直于底面的凹槽；两个对称的侧面之间设有加强杆。在晶片蜡熔化后，依次浸入碱液、清水以及酒精中，由此完成高碱除蜡、水洗残碱以及酒精除水的步骤，进而完成带蜡晶片的清洗；是一种除蜡彻底、操作安全的装置。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种晶片生产装置，具体涉及一种晶片洗蜡装置，用于晶片安全高效生产。
技术介绍
人造水晶棒经过切割、研磨、腐蚀等工序，加工成各种形状的晶片，晶片的频率和厚度成反比，晶片的外观、尺寸和形状对晶片的特性影响很大。石英晶片(半成品)经过焊接电极，安装支架，封装外壳等工序加工成成品的电子元件--石英谐振器(简称晶体)。晶体是由石英晶片、支架、外壳等部分组成的。晶体的种类有49U、49S、UM、SMD(表面贴装)音叉晶体(表晶)。石英晶片和外围电路组成石英晶体器件。主要器件有：晶体滤波器、石英晶体振荡器(PXO)、温补晶振(TCXO)、压控振荡器、(VCXO)、温控振荡器(OCXO)。随着超大规模集成电路的迅速发展，芯片的集成度越来越高，元器件的尺寸越来越小，因器件的高密度、小尺寸引发的各种效应对各步工艺制作结果的影响日益突出，对各步工艺的要求也随之越来越严格，如对生产频率片中的清洗要求就越来越高。晶片很薄，无法一片片倒角加工，通过蜡可以将每一片薄如蝉翼的晶片粘接，形成块状的晶片组块，可以很方便的机械加工，而不损坏晶片。加工完成的晶片组块经过处理可以重新分离出一片片的晶片，每一片晶片表面都粘有不同厚度的蜡层，目前基本采用热熔擦拭法、溶剂清洗法等工艺剥离晶片；但是存在清洗困难、易损坏晶片，特别是操作不安全、溶剂不环保等问题。因此，很有必要研发一台新的设备，可以方便有效的将晶片上的蜡去除，同时不会对人体以及环境造成危害。
技术实现思路
本技术的专利技术目的是提供一种晶片洗蜡装置，可以均匀有效的清洗晶片表面带有中的蜡。为达到上述专利技术目的，本技术采用的技术方案是：一种晶片洗蜡装置，包括支架、温控设备以及晶片架；所述支架上依次设有碱液槽、清水槽以及酒精槽；所述碱液槽设有碱液加热管、聚四氟乙烯格网以及碱液槽盖；所述聚四氟乙烯格网位于碱液槽内部；所述碱液加热管位于聚四氟乙烯格网下方；所述碱液加热管与温控设备连接；所述碱液槽底部设有碱液出口；所述碱液槽盖上设有测温设备；所述测温设备的感应头穿过碱液槽盖，伸入碱液槽内；所述清水槽设有清水加热管以及不锈钢格网；所述不锈钢格网位于清水槽内部；所述清水加热管位于不锈钢网格下方；所述清水加热管与温控设备连接；所述清水槽前侧壁下部设有出水管，后侧壁上部设有进水管；所述出水管位于不锈钢网格下方；所述酒精槽底部设有酒精出口；所述酒精槽设有酒精槽盖；所述晶片架包括网格型底面与两个对称的侧面；所述两个对称的侧面上，相对的一面对应设有复数个垂直于底面的凹槽；所述两个对称的侧面之间设有加强杆；所述加强杆的两端分别位于两个对称的侧面上。本技术中，温控设备控制碱液槽、清水槽的加热温度。碱液除蜡是晶片清洗过程中十分重要的一步，直接关系到能否去除晶片表面的蜡层，从而严重影响晶片使用频率，最终关系到电子设备能否有效运行。而碱液温度的控制是碱液溶蜡的关键，高低都不行。本技术除了温控设备外，还利用温度测试设备实时监控碱液温度，测温设备为直插式热电偶测温仪，其体积小，由感温探头与温显屏组成，安装在碱液槽盖上，探头穿过槽盖伸入槽内，可以接触碱液，从而通过温显屏实时监控碱液温度；并且测温设备安装在槽盖上随着碱液槽盖一起移动，无需传输线，不会影响操作，达到简易、高效、准确监控碱液温度的效果。本技术中，根据实际状态，碱液槽、清水槽以及酒精槽依次排列，从而方便带有晶片的晶片架依次浸入碱液、清水以及酒精中，由此完成高碱除蜡、水洗残碱以及酒精除水的步骤，进而完成带蜡晶片的清洗。以操作人员面对的状态为准，晶片洗蜡装置分为前后侧壁、左右侧壁；温控设备安装于支架内侧边，位于清洗槽的下方，防止影响人工操作，也不会被操作的工人影响。优选的，聚四氟乙烯格网的厚度为1.2～1.5毫米，既有一定的强度又不占用过多空间。晶片架由网格型底面与两个对称的侧面组成，两个侧面安装在底面上；两个侧面用以插放晶片，两个侧面之间的距离与晶片大小近似。网格型底面可以使得碱液、清水以及酒精全方位多角度清洗晶片，保证洗蜡效果。两个对称的侧面上，相对的一面对应设有复数个垂直于底面的凹槽；即以底面以及两个侧面包裹的空间为内的话，两个侧面内侧都设有凹槽，并且两个侧面内侧设有的凹槽对应设置，从而可以将晶片沿着凹槽插入晶片架中。晶片架底部抵住晶片，从而由底部、凹槽共同固定晶片，对于底部具体形状没有限定，比如网格大小，只需要满足液体流动顺利、均匀，晶片担载稳定即可。本技术在晶片架两个对称的侧面之间设有设有加强杆，加强杆的两端分别位于两个对称的侧面上，可以保证晶片架承载晶片时的稳定性以及洗蜡过程中的安全性。优选的，晶片架两个对称的侧面之间设有两根加强杆，如此不会占用过多晶片空间。由于上述技术方案运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：1.本技术首次提供了一种适合于晶片洗蜡的装置，在晶片组块完成蜡熔化后，依次浸入碱液、清水以及酒精中，由此完成高碱除蜡、水洗残碱以及酒精除水的步骤，进而完成带蜡晶片的清洗；是一种除蜡彻底、操作安全的装置。2.本技术提供的晶片洗蜡的装置通过温控设备控制碱液槽以及清水槽的温度，从而有利于高温反应去除蜡以及残留碱；特别在碱液槽中设置温度监测设备，保障碱液槽温度合理可控，从而可以有效去除晶片表面的蜡层，保证晶片使用频率，最终利于电子设备有效运行。附图说明图1是实施例一中晶片洗蜡装置的结构示意图；其中：支架1、温控设备2、晶片架3、网格型底面31、两个对称的侧面32、凹槽33、加强杆34、碱液槽4、清水槽5、酒精槽6、碱液加热管41、聚四氟乙烯格网42、碱液槽盖43、碱液出口44、直插式热电偶测温仪45、清水加热管51、不锈钢格网52、出水管53、进水管54、酒精出口61、酒精槽盖62。具体实施方式实施例一：参见图1所示，晶片洗蜡装置包括支架1、温控设备2以及晶片架3；支架上依次设有碱液槽4、清水槽5以及酒精槽6；温控设备安装于支架内侧边；碱液槽设有碱液加热管41、聚四氟乙烯格网42以及碱液槽盖43；聚四氟乙烯格网厚度为1.2毫米，位于碱液槽内部，安装在碱液槽内侧壁上；碱液加热管位于聚四氟乙烯格网下方；碱液槽底部设有碱液出口44；碱液槽盖上设有直插式热电偶测温仪45，其感应头穿过碱液槽盖，伸入碱液槽内(图中未标示)；清水槽设有清水加热管51、不锈钢格网52；不锈钢本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片洗蜡装置，其特征在于：所述晶片洗蜡装置包括支架、温控设备以及晶片架；所述支架上依次设有碱液槽、清水槽以及酒精槽；所述碱液槽设有碱液加热管、聚四氟乙烯格网以及碱液槽盖；所述聚四氟乙烯格网位于碱液槽内部；所述碱液加热管位于聚四氟乙烯格网下方；所述碱液加热管与温控设备连接；所述碱液槽底部设有碱液出口；所述碱液槽盖上设有测温设备；所述测温设备的感应头穿过碱液槽盖，伸入碱液槽内；所述清水槽设有清水加热管以及不锈钢格网；所述不锈钢格网位于清水槽内部；所述清水加热管位于不锈钢网格下方；所述清水加热管与温控设备连接；所述清水槽前侧壁下部设有出水管，后侧壁上部设有进水管；所述出水管位于不锈钢网格下方；所述酒精槽底部设有酒精出口；所述酒精槽设有酒精槽盖；所述晶片架包括网格型底面与两个对称的侧面；所述两个对称的侧面上，相对的一面对应设有复数个垂直于底面的凹槽；所述两个对称的侧面之间设有加强杆；所述加强杆的两端分别位于两个对称的侧面上。

【技术特征摘要】
1.一种晶片洗蜡装置，其特征在于：所述晶片洗蜡装置包括支架、温
控设备以及晶片架；所述支架上依次设有碱液槽、清水槽以及酒精槽；所述
碱液槽设有碱液加热管、聚四氟乙烯格网以及碱液槽盖；所述聚四氟乙烯格
网位于碱液槽内部；所述碱液加热管位于聚四氟乙烯格网下方；所述碱液加
热管与温控设备连接；所述碱液槽底部设有碱液出口；所述碱液槽盖上设有
测温设备；所述测温设备的感应头穿过碱液槽盖，伸入碱液槽内；所述清水
槽设有清水加热管以及不锈钢格网；所述不锈钢格网位于清水槽内部；所述
清水加热管位于不锈钢网格下方；所述清水加热管与温控设备连接；所述清
水槽前侧壁下部设有出水管，后侧壁上部设有进水管；所述出水管位于不锈
钢网格下方；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐亮，
申请(专利权)人：苏州普锐晶科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32