【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及超声辐射力探头,特别是涉及一种工艺简单的用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头及其制备方法。
技术介绍
超声探头是超声设备中关键的部件。比如说,通过超声诊断仪成像,超声诊断仪发射超声信号和处理组织反射的回波信号,通过系统后处理获取组织的性质和结构的图像。众所周知,这种装置对人体是无害的、并且可以获得三维层析成像,相对X-ray诊断仪、磁共振成像、核医学诊断仪器而言。而且超声成像还有实时成像、体积小、价格便宜等优势,二维面阵超声探头采用相控阵方法,可以控制超声束在三维空间指向。由于以上这些原因,二维面阵超声探头广泛的运用在心脏、腹部、乳腺和泌尿器官的检查。也可以利用三维空间指向性做三维声操控,运送药物在人体组织中到达指定位置。二维高能聚焦超声探头还广泛用于超声治疗,本专利所制备的二维面阵超声探头就是用于超声深脑调控。而且特别适用于针对不同脑部神经功能分区进行多点调控。近年来,由于全球重点研究神经发育疾病、精神类疾病等的预防治疗的脑科学计划已正式开始启动,广大科技工作者正在寻找各种手段、方法对患者进行深脑干预和刺激调控,采用二维面阵超声探头非常方便调节焦点的大小、强度和方向因而可成为深脑干预和刺激调控的一种无创工具和手段。在制备二维面阵超声探头的过程中,有些很重要的问题包括材料的性能、工艺的复杂度、引线的焊接质量需要解决。传统二维面阵超声探头的每个阵元有导线单独控制,那么M*N(M ...
【技术保护点】
一种用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头的制备方法;包括以下步骤:取精磨后的压电复合材料,沿其横向切割出M行凹形槽,并在凹形槽内添加去耦材料;再沿其纵向切割出N列凹形槽,并在凹形槽内添加去耦材料;其中,M行凹形槽和N列凹形槽的朝向一致;将切割后的压电复合材料的M行凹形槽和N列凹形槽的槽体均磨去,使其露出添加的去耦材料,形成M*N压电复合材料阵列;将所述M*N压电复合材料阵列溅射电极层,去除所述M*N压电复合材料阵列沿厚度方向的第一长侧面、第二长侧面上的电极层;所述第一长侧面、所述第二长侧面沿所述M*N压电复合材料阵列的横向延伸;将所述M*N压电复合材料阵列的第一正面沿N列凹形槽去除电极层,保留所述第一正面纵向边缘的电极层且沿M行凹形槽切除横向的电极层;将所述M*N压电复合材料阵列的第一短侧面、第二短侧面、第二正面沿M行凹形槽去除电极层;将所述M*N压电复合材料阵列的第二正面依次粘接第一匹配层、第二匹配层及声透镜;将柔性电路板分别接所述M*N压电复合材料阵列的M行电极层和N列电极层;将背衬层与连接柔性电路板后的所述M*N压电复合材料阵列的电极层粘接,从而形成超声面阵探头。
【技术特征摘要】
1.一种用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头的制备方法;包括以下步
骤:
取精磨后的压电复合材料,沿其横向切割出M行凹形槽,并在凹形槽内添
加去耦材料;再沿其纵向切割出N列凹形槽,并在凹形槽内添加去耦材料;其
中,M行凹形槽和N列凹形槽的朝向一致;
将切割后的压电复合材料的M行凹形槽和N列凹形槽的槽体均磨去,使其
露出添加的去耦材料,形成M*N压电复合材料阵列;
将所述M*N压电复合材料阵列溅射电极层,去除所述M*N压电复合材料
阵列沿厚度方向的第一长侧面、第二长侧面上的电极层;所述第一长侧面、所
述第二长侧面沿所述M*N压电复合材料阵列的横向延伸;
将所述M*N压电复合材料阵列的第一正面沿N列凹形槽去除电极层,保留
所述第一正面纵向边缘的电极层且沿M行凹形槽切除横向的电极层;
将所述M*N压电复合材料阵列的第一短侧面、第二短侧面、第二正面沿M
行凹形槽去除电极层;
将所述M*N压电复合材料阵列的第二正面依次粘接第一匹配层、第二匹配
层及声透镜;
将柔性电路板分别接所述M*N压电复合材料阵列的M行电极层和N列电
极层;
将背衬层与连接柔性电路板后的所述M*N压电复合材料阵列的电极层粘
接,从而形成超声面阵探头。
2.根据权利要求1所述的用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头的制备
方法,其特征在于,还包括将连接柔性电路板和粘接背衬层、第一匹配层、第
二匹配层及声透镜后的所述M*N压电复合材料阵列使用外壳封装。
3.根据权利要求1所述的用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头的制备
方法,其特征在于,在所述取精磨后的压电复合材料的步骤之前包括:
将压电复合材料精磨至其厚度达到预设尺寸。
4.根据权利要求1所述的用于深脑刺激与神经调控的超声面阵探头的制备
方法,其特征在于,所述将切割后的压电复合材料的M行凹形槽和N列凹形槽
\t的槽体均磨去,使其露出添加的去耦材料的步骤包括:
将所述M*N...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑海荣,郭瑞彪,钱明,李永川,薛术,陈然然,
申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院,
类型:发明
国别省市:广东;44
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