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具有降低的开关损耗的升压转换器制造技术

技术编号:14994646 阅读:118 留言:0更新日期:2017-04-04 00:16
例如升压转换器的装置包括被配置为耦合至电感器并且支持来自电源的电感器中的充电电流的第一开关,以及与第一开关并联耦合并且被配置为将电流从电感器选择性地路由至至少两个串联连接的电容器的至少两个串联耦合的第二开关。装置还可以包括被配置为操作第一开关和多个第二开关的控制电路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的主题涉及功率转换装置和方法,并且更具体地涉及升压转换器电路及其操作方法。
技术介绍
升压转换器用于各种各样的应用中,诸如用于电机驱动和用于太阳能和风力发电机的接口。许多这种应用需要将输入电压升压至高得多的电压。例如,太阳能应用可能需要将由太阳能串产生的相对低的电压升压到耦合至电力网的逆变器所需要的高得多的电压。已经开发了各种转换器配置以提供这种高电平升压。这些转换器布置包括包含多个升压级的级联升压电路以及耦合电感器、交错并且多电平的升压转换器布置。这种常规的升压转换器可能由于过度开关损耗而遭受降低的效率和/或可能对晶体管和电路的其它部件施加应力。
技术实现思路
一些实施例提供了一种装置,其包括被配置为耦合至电感器并支持电感器中的充电电流的第一开关。装置还包括至少两个串联耦合的第二开关,该第二开关与第一开关并联耦合并且被配置为将电流从电感器选择性地路由至至少两个串联连接的电容器。装置还可以包括被配置为操作第一开关和多个第二开关的控制电路。在一些实施例中,控制电路可以被配置为操作第一开关以使电感器充电以及操作至少两个串联耦合的第二开关以从电感器选择性地对至少两个串联耦合的电容器充电,并且从而在与至少两个串联耦合的电容器并联耦合的负载两端形成电压。控制电路可以被配置为以比至少两个串联耦合的第二开关中的每一个第二开关更高的频率操作第一开关。控制电路还可以被配置为r>将至少两个串联耦合的第二开关的开关约束为在生成负载两端的电压时在大约零伏特处发生。控制电路还可以被配置为将第一开关两端的电压限制为小于负载两端的电压的大约一半。在一些实施例中,控制电路可以被配置为闭合第一开关以使电感器充电,在至少两个串联耦合的第二开关中的第一个开关打开并且至少两个串联耦合的第二开关中的第二个开关闭合的同时打开第一开关以使电感器放电至至少两个串联耦合的电容器中的第一个电容器,闭合第一开关以使电感器再次充电,以及在至少两个串联耦合的第二开关中的第二个开关打开并且至少两个串联耦合的第二开关中的第一个开关闭合的同时打开第一开关以使电感器放电至至少两个串联耦合的电容器中的第二个电容器。控制电路可以被配置为在第一开关闭合时改变至少两个串联耦合的第二开关的状态。在一些实施例中,第一开关可以包括第一类型的晶体管,并且至少两个串联耦合的第二开关可以是第二类型的晶体管。例如,在一些实施例中,第一开关可以包括碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET),并且至少两个串联耦合的第二开关可以包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)。装置可以包括电感器以及至少两个串联耦合的电容器。装置还可以包括整流器电路,其被配置为使至少两个串联耦合的第二开关耦合至至少两个串联耦合的电容器。本专利技术主题的另外实施例提供了升压转换器,包括:电感器,具有被配置为耦合至电源的第一端子;FET,耦合在电感器的第二端子与电源之间;至少两个串联耦合的电容器,被配置为与负载并联耦合;至少两个串联耦合的双极晶体管,与FET并联耦合并且被配置为使至少两个串联耦合的电容器选择性地耦合至电感器;整流器电路,被配置为使至少两个串联耦合的双极晶体管耦合至至少两个串联耦合的电容器;以及控制电路,被配置为操作FET和至少两个串联耦合的双极晶体管以使电感器充电并将来自电感器的能量选择性地传递至至少两个串联耦合的电容器。在一些实施例中,控制电路可以被配置为接通FET以使电感器充电,在至少两个串联耦合的双极晶体管中的第一个双极晶体管断开并且至少两个串联耦合的双极晶体管中的第二个双极晶体管导通的同时关断FET以使电感器放电至至少两个串联耦合的电容器中的第一个电容器,接通FET以使电感器再次充电,以及在双极晶体管中的第二个双极晶体管断开并且至少两个串联耦合的双极晶体管中的第一个双极晶体管导通的同时关断FET以使电感器放电至至少两个串联耦合的电容器中的第二个电容器。控制电路可以被配置为在FET导通时改变至少两个第二双极晶体管的状态。控制电路可以被配置为在用于FET的栅极信号转变之后将用于至少两个串联耦合的双极晶体管的栅极信号的转变延迟至少大约FET的接通时间那么久的时间段。控制电路还可以被配置为将至少两个串联耦合的双极晶体管的开关约束为在大约零伏特处发生。控制电路还可以被配置为将FET两端的电压限制为小于负载两端的电压的大约一半。在一些实施例中,FET可以包括SiCMOSFET。在另外的实施例中,双极晶体管可以包括IGBT。又另外的实施例提供了方法,其包括使至少两个串联耦合的电容器与负载并联耦合,以及从电源对电感器重复地充电并且使充电的电感器放电至至少两个串联耦合的电容器中的不同电容器以在负载两端生成大于电源两端的电压的电压。使电感器充电可以包括闭合第一开关以使电感器与电源串联耦合。使电感器放电可以包括在打开至少两个串联耦合的第二开关中的不同开关的同时打开第一开关以使至少两个串联连接的电容器中的不同电容器充电。使电感器充电可以包括闭合第一开关以使电感器充电。使电感器放电可以包括在打开至少两个串联耦合的第二开关中的第一个开关并且闭合至少两个串联耦合的第二开关中的第二个开关的同时打开第一开关以使电感器放电至至少两个串联耦合的电容器中的第一个电容器。使电感器充电还可以包括闭合第一开关以使电感器再次充电。使电感器放电还可以包括在打开至少两个串联耦合的第二开关中的第二个开关并且闭合至少两个串联耦合的第二开关中的第一个开关的同时打开第一开关以使电感器放电至至少两个串联耦合的电容器中的第二个电容器。附图说明包含为提供对本专利技术主题的进一步理解以及并入本申请中并且构成本申请的一部分的附图图示了本专利技术主题的某个(或者某些)实施例。在附图中:图1A-B是图示根据一些实施例的升压转换器的示意图;图2是图示根据另外实施例的升压转换器的示意图;图3是图示图2的升压转换器的操作的波形图;图4A-D是图示图2的升压转换器的操作的示意图;以及图5是图示根据另外实施例的升压转换器的示意图。具体实施方式现在将参照示出本专利技术主题的实施例的附图在下文中对本专利技术主题的实施例进行更充分的描述。然而,本专利技术的主题可以以许多不同形式体现并且不应该被看作限于本文阐述的实施例。相反地,将这些实施例提供以使得本公开将是彻底的并且完整的,并且将向本领域技术人员充分地传达本文档来自技高网...
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【技术保护点】
一种装置,包括:第一开关,被配置为耦合至电感器并支持来自电源的所述电感器中的充电电流;以及至少两个串联耦合的第二开关,与所述第一开关并联耦合并且被配置为将电流从所述电感器选择性地路由至至少两个串联连接的电容器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.09.25 US 14/036,6111.一种装置,包括:
第一开关,被配置为耦合至电感器并支持来自电源的所述电感
器中的充电电流;以及
至少两个串联耦合的第二开关,与所述第一开关并联耦合并且被
配置为将电流从所述电感器选择性地路由至至少两个串联连接的电容
器。
2.根据权利要求1所述的装置,还包括控制电路,被配置为操
作所述第一开关和多个第二开关。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述控制电路被配置为操
作所述第一开关以使所述电感器充电以及操作所述至少两个串联耦合
的第二开关以从所述电感器选择性地对所述至少两个串联耦合的电容
器充电,并且从而在与所述至少两个串联耦合的电容器并联耦合的负
载两端形成电压。
4.根据权利要求3所述的装置,其中所述控制电路被配置为以
比所述至少两个串联耦合的第二开关中的每一个第二开关更高的频率
操作所述第一开关。
5.根据权利要求3所述的装置,其中所述控制电路被配置为将
所述至少两个串联耦合的第二开关的开关约束为在生成所述负载两端
的电压时在大约零伏特处发生。
6.根据权利要求3所述的装置,其中所述控制电路被配置为将
所述第一开关两端的电压限制为小于所述负载两端的电压的大约一
半。
7.根据权利要求3所述的装置,其中所述控制电路被配置为闭
合所述第一开关以使所述电感器充电,在所述至少两个串联耦合的第
二开关中的第一个开关打开并且所述至少两个串联耦合的第二开关中
的第二个开关闭合的同时打开所述第一开关以使所述电感器放电至所
述至少两个串联耦合的电容器中的第一个电容器,闭合所述第一开关
以使所述电感器再次充电,以及在所述至少两个串联耦合的第二开关
中的所述第二个开关打开并且所述至少两个串联耦合的第二开关中的
所述第一个开关闭合的同时打开所述第一开关以使所述电感器放电至
所述至少两个串联耦合的电容器中的第二个电容器。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述控制电路被配置为在
所述第一开关闭合时改变所述至少两个串联耦合的第二开关的状态。
9.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一开关包括第一类
型的晶体管,并且其中所述至少两个串联耦合的第二开关包括第二类
型的晶体管。
10.根据权利要求9所述的装置,其中所述第一开关包括碳化硅
SiC场效应晶体管FET,并且其中所述至少两个串联耦合的第二开关
包括绝缘栅双极晶体管IGBT。
11.根据权利要求1所述的装置,还包括整流器电路,被配置为
使所述至少两个串联耦合的第二开关耦合至所述至少两个串联耦合的
电容器。
12.根据权利要求1所述的装置,还包括所述电感器以及所述至
少两个串联耦合的电容器。
13.一种升压转换器,包括:
电感器,具有被配置为耦合至电源的第一端子;
FET,耦合在所述电感器的第二端子与所述电源之间;
至少两个串联耦合的电容器,被配置为与负载并联耦合;
至少两个串联耦合的双极晶体管,与所述FET并联耦合并且被
配置为使所述至少两个串联耦合的电容器选择性地耦合至所述电感
器;
整流器电路,被配置为使所述至少两个串联耦合的双极晶体管
耦合至所述至少两个串联耦合的电容器;以及
控制电路,被配置为操作所述FET和所述至少两个串联耦合的
...

【专利技术属性】
技术研发人员:B·K·阿格拉瓦尔N·R·博米瑞迪
申请(专利权)人:克里公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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