【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体生长
,特别是一种PVT(物理气相沉积)法生长碳化硅单晶缓释的装置。
技术介绍
PVT(physicalvaportransport,物理气相沉积)法碳化硅(SiC)单晶生长的基本过程包括原料分解升华、质量传输和在籽晶上结晶三个过程。当加热到一定的温度后原料主要分解为Si、Si2C、SiC2气体。当原料到籽晶的距离较小时(约10mm以下),主要是原料面到籽晶的直接升华;当距离较大时,生长主要是由壁到籽晶的气体传输。生长过程中,首要解决的是温场的均匀分布问题,以保证生长界面的均匀性,为二维层状生长。另外一个问题是Si的流失问题,Si的蒸汽压高,沸点低,很早就从料中升华并溢出坩埚。通常根据温场分布设计出的坩埚均为直通结构,这种结构在生长初期,距离籽晶较远的原料会完成大量的由壁到籽晶的气体传输,但并不会生成碳化硅单晶,因为Si的蒸汽压要高于其他成分,气体Si要与坩埚的石墨壁反应生成Si2C、SiC2,并溢出坩埚,造成Si流失,最终造成Si/C比失衡影响生长组分和温场稳定。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题,本专利技术的目的在于提供一种PVT法生长碳化硅单晶缓释的装置。为实现上述目的本专利技术一种PVT法生长碳化硅单晶缓释的装置,该装置包括坩埚,所述坩埚上扣合有坩埚盖,所述坩埚盖的内侧固定有籽晶,坩埚内装有碳化硅粉源,坩埚内设置有隔板,所述隔板将所述碳化硅粉源分隔成上下两层,隔板上设置由若干个连通上下两层碳化硅粉源的孔。进一步,所述坩埚由石墨制成。进一步,所 ...
【技术保护点】
一种PVT法生长碳化硅单晶缓释的装置,该装置包括坩埚,所述坩埚上扣合有坩埚盖,所述坩埚盖的内侧固定有籽晶,坩埚内装有碳化硅粉源,其特征在于,坩埚内设置有隔板,所述隔板将所述碳化硅粉源分隔成上下两层,隔板上设置由若干个连通上下两层碳化硅粉源的孔。
【技术特征摘要】
1.一种PVT法生长碳化硅单晶缓释的装置,该装置包括坩埚,所述坩埚上扣合有坩埚盖,所述坩埚盖的内侧固定有籽晶,坩埚内装有碳化硅粉源,其特征在于,坩埚内设置有隔板,所述隔板将所述碳化硅粉源分隔成上下两层,隔板上设置由若干个连通上下两层碳化硅粉源的孔。
2.如权利要求1所述的装置,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:靳丽婕,张云伟,
申请(专利权)人:北京华进创威电子有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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