半导体装置以及半导体模块制造方法及图纸

技术编号:14986224 阅读:26 留言:0更新日期:2017-04-03 17:55
在半导体装置(1)中,在半导体基板(3)的表面侧的区域配置有元件形成区域,在该元件形成区域形成有对电流进行控制的半导体元件。终端区域以包围该元件形成区域的方式而配置。在栅极电极(9)配置有针抵接区域(13)和导线区域(15)。针抵接区域和导线区域由形成于栅极电极的表面处的绝缘体(17)进行了分隔。因此,针抵接区域的表面和导线区域的表面位于相同的高度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置以及半导体模块,特别地,涉及具有高耐压半导体元件的半导体装置、和应用了该半导体装置的半导体模块。
技术介绍
在以半导体晶圆或半导体芯片的状态对半导体装置(被测定物)评价电气特性时,首先,将半导体装置载置于半导体评价装置的卡盘台的表面。然后,通过真空吸附等,将半导体装置固定于卡盘台。然后,通过将接触探针与半导体装置的规定的表面电极接触,进行电气式的输入输出,从而对电气特性进行评价。在对沿半导体装置的纵向(厚度方向)流过大电流的纵向型半导体装置的电气特性进行评价时,卡盘台的表面成为电极。另外,为了将上述的大电流或高电压施加于半导体装置,开展了接触探针的多针化。在对电气特性进行评价时将大电流或高电压施加于半导体装置的要求日益提高,另一方面,为了削减制造成本,不断进行用于使各个半导体芯片小型化或者缩小化的开发,不断地增加每1片半导体晶圆的半导体芯片的数量。为了避免形成功率半导体元件的元件形成区域(活性区域)变窄,并且实现半导体芯片的小型化,将包围元件形成区域的终端区域变窄是有效的。作为公开了将上述终端区域的占用面积缩小的半导体装置的专利文献的例子,存在专利文献1(日本特开2014-204038号公报)。与半导体装置的小型化相伴,作为表面电极而形成的、例如栅极电极或发射极电极等也大多被缩小。特别地,关于栅极电极,有时与半导体装置的小型化无关地,以使元件形成区域(活性区域)扩大这一点为理由,使栅极电极的占用面积缩小。在将半导体装置作为半导体模块而进行组装时,导线与该栅极电极等连接。如果使栅极电极等的占用面积缩小,则在对该导线进行连接时会发生问题。说明该情况。如上所述,在对半导体装置的电气特性进行评价时,接触探针与栅极电极等电极的表面接触。接触探针的前端部分形成为尖锐的针状。因此,通过接触探针的前端部与电极的表面接触,从而有时会使电极的表面受到损伤,导致电极的表面变粗糙,或者在电极的表面形成与接触探针的前端部相对应的凹凸。如果与导线连接的电极的表面变粗糙、或者形成凹凸,则导线和电极的密接性下降。因此,即使是在对电气特性进行评价时判定为合格品的半导体装置,在作为半导体模块而被组装后,有时也会发生导线脱落等,产生不能进行通电等故障。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述问题而提出的,其一个目的在于提供能够可靠地将导线与电极连接的半导体装置,另一个目的在于提供应用了上述半导体装置的半导体模块。本专利技术所涉及的半导体装置具有半导体基板、元件形成区域、终端区域和第1主面侧电极。半导体基板具有彼此相对的第1主面及第2主面。元件形成区域规定于半导体基板的第1主面侧。终端区域规定于半导体基板的第1主面侧,以包围元件形成区域的方式而配置。第1主面侧电极形成于元件形成区域,包含第1电极,该第1电极配置有第1区域及第2区域。第1区域和第2区域由形成于第1电极的表面处的分隔部件进行了分隔。第1区域形成为具有长边和短边的矩形状。第2区域配置于第1区域的长边侧。本专利技术所涉及的半导体模块是应用了上述半导体装置的半导体模块,在该半导体模块中,导线与第1电极的第2区域连接。根据本专利技术所涉及的半导体装置,第1主面侧电极包含第1电极,该第1电极配置有接触探针所接触的第1区域以及与导线连接的第2区域,从而能够将导线可靠地与第1电极连接。根据本专利技术所涉及的半导体模块,能够防止与第2区域连接的导线脱落等,作为半导体模块而不能进行通电等故障。通过结合附图进行理解的、与本专利技术相关的以下的详细说明,使本专利技术的上述及其它目的、特征、方案以及优点变得明确。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式所涉及的半导体装置的局部俯视图。图2是在本实施方式中,表示图1所示的栅极电极及其周边的局部放大俯视图。图3是在本实施方式中,表示图2所示的剖视线III-III处的局部放大剖视图。图4是在本实施方式中,示意性地表示用于进行半导体装置的电气评价的半导体评价装置的结构的侧视图。图5是在本实施方式中,示意性地表示探针基体的结构的侧视图。图6是在本实施方式中,表示在半导体评价装置中接触探针与半导体装置接触的状态的侧视图。图7是在本实施方式中,表示接触探针与半导体装置接触的状态的局部放大侧视图。图8是在本实施方式中,表示对电气特性进行评价后的栅极电极及其周边的状态的局部放大俯视图。图9是在本实施方式中,表示图8所示的剖视线IX-IX处的局部放大剖视图。图10是在本实施方式中,表示对电气特性进行评价后的发射极电极及其周边的状态的局部俯视图。图11是在本实施方式中,表示第1变形例所涉及的半导体装置的局部俯视图。图12是在本实施方式中,表示第2变形例所涉及的半导体装置的局部俯视图。图13是在本实施方式中,示意性地表示应用了半导体装置的半导体模块的概念的俯视图。具体实施方式(半导体装置)首先,说明实施方式所涉及的半导体装置。关于半导体装置,特别地,以具有在电力变换装置等中使用的高耐压半导体元件的半导体装置作为对象。如图1所示,在半导体装置1中,在半导体基板3的表面(第1主面)侧的区域配置有元件形成区域5(活性区域),该元件形成区域5(活性区域)形成有对电流进行控制的半导体元件。以包围该元件形成区域5的方式而配置有终端区域7。终端区域7是用于确保电气耐压的区域,例如采用保护环构造、RESURF构造或VLD(VariationofLateralDoping)构造等。在这里,作为在元件形成区域形成的高耐压半导体元件的一个例子,将IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)作为例子举出。在元件形成区域5配置有栅极电极9和发射极电极11。栅极电极9以与终端区域7相邻的方式配置于终端区域7附近的区域。在IGBT的情况下,在半导体基板3的背面(第2主面)侧形成有集电极电极25(参照图3)。如图2及图3所示,在栅极电极9配置有针抵接区域13和导线区域15。针抵接区域13和导线区域15由形成于栅极电极9的表面处的绝缘体17进行了分隔。针抵接区域13的表面和导线区域15的表面位于相同的高度。如后所述,接触探针与针抵接区域13接触。另外,导线与导线区域15连接。在该导线区域15形成有识别标记19,该识本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种半导体装置,其具有:半导体基板,其具有彼此相对的第1主面及第2主面;元件形成区域,其规定于所述半导体基板的所述第1主面侧;终端区域,其规定于所述半导体基板的所述第1主面侧,以包围所述元件形成区域的方式而配置;以及第1主面侧电极,其形成于所述元件形成区域,包含第1电极,该第1电极配置有第1区域及第2区域,所述第1区域和所述第2区域由形成于所述第1电极的表面处的分隔部件进行分隔,所述第1区域形成为具有长边和短边的矩形状,所述第2区域配置于所述第1区域的所述长边侧。

【技术特征摘要】
2015.02.17 JP 2015-0285401.一种半导体装置,其具有:
半导体基板,其具有彼此相对的第1主面及第2主面;
元件形成区域,其规定于所述半导体基板的所述第1主面侧;
终端区域,其规定于所述半导体基板的所述第1主面侧,以包
围所述元件形成区域的方式而配置;以及
第1主面侧电极,其形成于所述元件形成区域,包含第1电极,
该第1电极配置有第1区域及第2区域,
所述第1区域和所述第2区域由形成于所述第1电极的表面处
的分隔部件进行分隔,
所述第1区域形成为具有长边和短边的矩形状,
所述第2区域配置于所述第1区域的所述长边侧。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述第2区域的面积设定得比所述第1区域的面积大。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
在所述第2区域的表面形成有识别标记。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述第1主面侧电极包含栅极电极及发射极电极中的至少任意
一个,
所述栅极电极及所述发射极电极中的至少任意一个电极作为所
述第1电极而形成。
5.根据权利要求4所述的半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员:中村浩之冈田章野尻荣治
申请(专利权)人:三菱电机株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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