一种晶体生长的坩埚盖制造技术

技术编号:14981459 阅读:150 留言:0更新日期:2017-04-03 12:51
本实用新型专利技术涉及的是晶体生长的坩埚盖,由圆形钼板压制而成的帽子状盖体,所述盖体分为两层,包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段,在顶层的中间开有一通孔。本结构采用单层圆形钼板压制而成,均衡冷坩埚内的保温性;钼板具有韧性强、成本低、热传导性能好等特点,有效保证晶体生长的高温环境;同时,单层钼板结构,还能使冷坩埚内晶体生长热辐射时产生纵向与横向的温度梯度差,以更准确的把握晶体在控径时的精确度,从而解决了晶体生长过程中温度偏差过大而产生的长角问题。本结构采用由钼板制成帽子状的双层结构,顶层与底层的间距确保晶体生长引晶及放肩过程有足够的提拉空间,确保了晶体生长放肩角度而保证晶体生长的品质。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉晶体生长用的坩埚,尤其涉及的是一种晶体生长的坩埚盖
技术介绍
随着人工晶体科学技术的发展,对晶体材料的要求越来越高,这也意味着对晶体材料的生长工艺和生长设备的要求越来越高。晶体生长工艺的关键在于高温设备下对晶体温场的控制。大尺寸和优质晶体的生长,要解决温度控制和温度在熔体和固相中的梯度问题,所以最重要的是冷坩埚中温度场的分布。但在冷坩埚内生长晶体时,熔体的高温度导致从其表面发生很大的热损失,使晶体系统的平衡变得不稳定,因此,对晶体生长有不利的影响。传统设备的坩埚盖多采用多层叠加保温结构,此结构由于热辐射时会带走不同程度的热量,从而使晶体在坩埚中生长时的纵横向温场温差过大,不能实现对温度梯度的精确控制。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足,提供一种结构简单,均衡保温性能,提高晶体生长质量的晶体生长的坩埚盖。为实现上述目的,本技术的技术解决方案是:一种晶体生长的坩埚盖,由圆形钼板压制而成的帽子状盖体,所述盖体分为两层,包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段,在顶层的中间开有一通孔。优选的,所述顶层高于底层40mm。优选的,所述过渡段的内直径为230mm,所述顶层的外直径380mm,所述通孔的直径为100mm。优选的,所述顶层的厚度为4mm,所述底层的厚度为6mm。通过采用上述的技术方案,本技术的有益效果是:本结构采用单层圆形钼板压制而成,均衡冷坩埚内的保温性;钼板具有韧性强、成本低、热传导性能好等特点,有效保证晶体生长的高温环境;同时,单层钼板结构,还能使冷坩埚内晶体生长热辐射时产生纵向与横向的温度梯度差,以更准确的把握晶体在控径时的精确度,从而解决了晶体生长过程中温度偏差过大而产生的长角问题。本结构采用由钼板制成帽子状的双层结构,顶层与底层的间距确保晶体生长引晶及放肩过程有足够的提拉空间,确保了晶体生长放肩角度而保证晶体生长的品质。附图说明图1为本技术的结构示意图;图2为本技术的剖视图;(1、盖体;2、顶层;3、底层;4、过渡段;5、通孔)。具体实施方式以下结合附图和具体实施例来进一步说明本技术。本技术中所提到的方向用语,例如:上、下、左、右、前或后等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用来说明并非用来限制本创作。如图1-2所示,一种晶体生长的坩埚盖,是由一厚度为6mm的圆形钼板压制而成的帽子状盖体1。所述盖体1分为两层,包括顶层2、底层3以及圆筒状的过渡段4。顶层2中间开有一通孔5,该通孔5的直径为100mm,顶层2的外直径长为238mm。所述过渡段4的高度为40mm,内直径为230mm,外直径为238mm。所述底层3的内直径为230mm,外直径长为380mm。在压制成上述帽子状的盖体1后,还通过打磨或其他加工方式,使得顶层2和过渡段4的厚度变为4mm,所述底层6仍然保持6mm的厚度。以上所述的,仅为本技术的较佳实施例而已,不能限定本技术实施的范围,凡是依本技术申请专利范围所作的均等变化与装饰,皆应仍属于本技术涵盖的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体生长的坩埚盖,其特征在于,由圆形钼板压制而成的帽子状盖体,所述盖体分为两层,包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段,在顶层的中间开有一通孔。

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长的坩埚盖,其特征在于,由圆形钼板压制而成的帽子状盖体,所述盖体分为两层,包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段,在顶层的中间开有一通孔。
2.根据权利要求1所述晶体生长的坩埚盖,其特征在于,所述顶层高于底层40mm。
3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄小卫杨敏赵慧彬柳祝平
申请(专利权)人:福建鑫晶精密刚玉科技有限公司
类型:新型
国别省市:福建;35

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