【技术实现步骤摘要】
本技术涉晶体生长用的坩埚,尤其涉及的是一种晶体生长的坩埚盖。
技术介绍
随着人工晶体科学技术的发展,对晶体材料的要求越来越高,这也意味着对晶体材料的生长工艺和生长设备的要求越来越高。晶体生长工艺的关键在于高温设备下对晶体温场的控制。大尺寸和优质晶体的生长,要解决温度控制和温度在熔体和固相中的梯度问题,所以最重要的是冷坩埚中温度场的分布。但在冷坩埚内生长晶体时,熔体的高温度导致从其表面发生很大的热损失,使晶体系统的平衡变得不稳定,因此,对晶体生长有不利的影响。传统设备的坩埚盖多采用多层叠加保温结构,此结构由于热辐射时会带走不同程度的热量,从而使晶体在坩埚中生长时的纵横向温场温差过大,不能实现对温度梯度的精确控制。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足,提供一种结构简单,均衡保温性能,提高晶体生长质量的晶体生长的坩埚盖。为实现上述目的,本技术的技术解决方案是:一种晶体生长的坩埚盖,由圆形钼板压制而成的帽子状盖体,所述盖体分为两层,包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段,在顶层的中间开有一通孔。优选的,所述顶层高于底层40mm。优选的,所述过渡段的内直径为230mm,所述顶层的外直径380mm,所述通孔的直径为100mm。优选的,所述顶层的厚度为4mm,所述底层的厚度为6mm。通过采用上述的技术方案,本技术的有益效果是:本结构采用单层圆形钼板压制而成,均衡冷坩埚内的保温性;钼板具有韧性强、成本低、热传导性能好等特点,有效保证晶体生长的高温环境;同时,单层钼板结构,还能使冷坩埚内晶体 ...
【技术保护点】
一种晶体生长的坩埚盖,其特征在于,由圆形钼板压制而成的帽子状盖体,所述盖体分为两层,包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段,在顶层的中间开有一通孔。
【技术特征摘要】
1.一种晶体生长的坩埚盖,其特征在于,由圆形钼板压制而成的帽子状盖体,所述盖体分为两层,包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段,在顶层的中间开有一通孔。
2.根据权利要求1所述晶体生长的坩埚盖,其特征在于,所述顶层高于底层40mm。
3.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄小卫,杨敏,赵慧彬,柳祝平,
申请(专利权)人:福建鑫晶精密刚玉科技有限公司,
类型:新型
国别省市:福建;35
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