【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体激光器
,具体涉及一种小型窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电路。
技术介绍
近年来,脉冲半导体激光器已在激光测距领域中得到广泛的应用。在短脉冲工作模式下的半导体激光器,一般采用储能元件的放电过程来驱动激光二极管发光,其产生的脉冲峰值驱动电流大,上升沿块,占空比小,平均功率低,便于激光器小型化和低成本。脉冲半导体激光器驱动电路的核心为高性能的储能元件和快速响应的大电流脉冲开关。目前,场效应管和雪崩晶体三极管都能够为脉冲激光器提供纳秒级上升沿和较大的脉冲峰值电流。脉冲半导体激光器驱动电路均采用外部高压模块对储能元件进行充电,整体电路体积大,无法实现驱动电路的小型化。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种小型窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电路。本技术提供一种小型窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电路,包括:外部触发脉冲放大电路(100)、窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电源电路(101)、半导体激光二极管(102)。所述外部触发脉冲放大电路(100)由晶体三极管Q1、晶体三极管Q2组成。所述窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电源电路(101)由电感L1、二极管D1、二极管D2、N沟道场效应管Q4、雪崩晶体三极管Q3、电容C1、电容C2、电阻R1组成,其中电感L1一端连接电源VCC,另一端连接场效应管Q4的漏极和二极管D1正极,场效应管Q4源极接地,场效应管Q4的栅极和电容C1的一端与所述外部触发脉冲放大电路(100)输出连接,电容C1的另一端连接电阻R1和雪崩晶体三极管Q3的基极,电阻R1另一端接地,雪崩晶体三极管Q3的发射极接地,雪崩晶体三极管 ...
【技术保护点】
一种小型窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电路,包括:外部触发脉冲放大电路(100)、窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电源电路(101)、半导体激光二极管(102),其特征在于,所述外部触发脉冲放大电路(100)由晶体三极管Q1、晶体三极管Q2组成,所述窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电源电路(101)由电感L1、二极管D1、二极管D2、N沟道场效应管Q4、雪崩晶体三极管Q3、电容C1、电容C2、电阻R1组成,其中电感L1一端连接电源VCC,另一端连接场效应管Q4的漏极和二极管D1正极,场效应管Q4源极接地,场效应管Q4的栅极和电容C1的一端与所述外部触发脉冲放大电路(100)输出连接,电容C1的另一端连接电阻R1和雪崩晶体三极管Q3的基极,电阻R1另一端接地,雪崩晶体三极管Q3的发射极接地,雪崩晶体三极管Q3的集电极与二极管D1的负端和电容C2连接,电容C2的另一端与二极管D2正端连接,二极管D2负端接地,所述半导体激光二极管(102)LD负端与所述窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电源电路(101)中D2正端和电容C2连接,LD正端接地。
【技术特征摘要】
1.一种小型窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电路,包括:外部触发脉冲放大电路(100)、窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电源电路(101)、半导体激光二极管(102),其特征在于,所述外部触发脉冲放大电路(100)由晶体三极管Q1、晶体三极管Q2组成,所述窄脉宽高峰值功率半导体激光器驱动电源电路(101)由电感L1、二极管D1、二极管D2、N沟道场效应管Q4、雪崩晶体三极管Q3、电容C1、电容C2、电阻R1组成,其中电感L1一端连接电源VCC,另一端连接场效应管Q4的漏极和二极管D1正极,场效应管Q4源极接地,场效应管Q4的栅极和电容C1的一端与所述外部触发脉冲放大电路(100)输出连接,电容C1的另一端连接电阻R1和雪崩晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱任杰,张亮,
申请(专利权)人:武汉万集信息技术有限公司,
类型:新型
国别省市:湖北;42
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