具有低功耗的光耦反馈电路结构制造技术

本发明专利技术涉及一种具有低功耗的光耦反馈电路结构，其中包括光电反馈三极管、电阻R、开关K1、开关K2和采样保持单元，所述的光电反馈三极管的集电极依次通过开关K1、电阻R连接至芯片内部电源VDD，所述的光耦反馈三极管的集电极还通过开关K2连接至反馈端，反馈端连接至采样保持单元的第一端，采样保持单元的第二端接地，所述的采样保持端为一电容，其容值与该电路相适应。所述的开关K1和开关K2受同一时间周期信号控制，该时间周期信号的频率为一定值。采用了该种具有低功耗的光耦反馈电路结构，极大地降低了光耦反馈电路消耗的平均电流，即与该电流相关的这部分整机功耗，电路整体结构简单，应用方便，可以应用于各种开关电源中，适用于大规模推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路结构
，尤其涉及带光耦电路结构的隔离式开关电源电路
，具体是指一种具有低功耗的光耦反馈电路结构。
技术介绍
传统的光耦反馈三极管集电极固定接电阻到芯片内部电源。如图1所示，为现有的光耦反馈电路结构。图1中传统的光耦反馈电路工作原理为：光耦反馈三极管集电极接电阻R到芯片内部电源VDD，FB连接该光耦反馈三极管的集电极，该光耦反馈电路消耗的平均电流为(VDD-FB)/R。传统光耦反馈电路消耗的平均电流较大，造成了较大的待机功耗。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种能够实现极大地降低了光耦反馈电路消耗的平均电流、即与该电流相关的这部分整机功耗的具有低功耗的光耦反馈电路结构。为了实现上述目的，本专利技术具有如下构成：该具有低功耗的光耦反馈电路结构，其主要特点是，所述的电路结构包括光电反馈三极管、电阻R、开关K1、开关K2和采样保持单元，所述的光电反馈三极管的集电极依次通过开关K1、电阻R连接至芯片内部电源VDD，所述的光耦反馈三极管的集电极还通过开关K2连接至反馈端，反馈端连接至采样保持单元的第一端，采样保持单元的第二端接地。较佳地，所述的开关K1和开关K2受同一信号控制。更佳地，所述的信号为时钟周期信号。更进一步地，所述的时钟周期信号的采样频率为一系统预设的定值。更进一步地，所述的时钟周期信号的采样脉宽为一系统预设的定值。较佳地，所述的采样保持单元为电容C。采用了该专利技术中的具有低功耗的光耦反馈电路结构，由于在其反馈端与地之间接有一个保持单元，该单元的存在极大地降低了光耦反馈电路消耗的平均电流，即与该电流相关的这部分整机功耗，电路整体结构简单，应用方便，可以应用于各种开关电源中，适用于大规模推广应用。附图说明图1为现有技术中的光耦反馈电路结构的结构示意图。图2为本专利技术的具有低功耗的光耦反馈电路结构的结构示意图。图3为应用于图2的电路中的时钟周期信号CP波形示意图。具体实施方式为了能够更清楚地描述本专利技术的
技术实现思路
，下面结合具体实施例来进行进一步的描述。为了实现上述目的，本专利技术的低功耗的光耦反馈电路结构包括光耦反馈三极管、电阻、两个开关及采样保持电容，光耦反馈三极管的集电极经一个开关接电阻到芯片内部电源，同时，该光耦反馈三极管的集电极经另一个开关接FB，FB接采样保持电容到地，这两个开关受同一窄脉宽时钟周期信号控制，同步开通及关断。请参阅图2和图3所示，本专利技术的低功耗的光耦反馈电路包括光耦反馈三极管、电阻R、开关K1、开关K2及采样保持电容C，光耦反馈三极管的集电极经K1接电阻R到芯片内部电源VDD，该光耦反馈三极管的集电极还经过K2接FB，FB接采样保持电容C的上端，C的另一端接地，K1和K2受同一时钟周期信号CP控制，同步开通及关断。本实施例的工作原理是：光耦正常工作时，时钟周期信号CP控制K1和K2以一定的频率、脉宽进行采样，当K1和K2同时开通时，所述光耦反馈三极管的集电极电压采样到电容C上，该电容C的容值与该电路相适应，当K1和K2同时关断时，该电容C保持采样到的光耦反馈三极管的集电极电压，因此，该光耦反馈电路消耗的平均电流为(VDD-FB)/100×R，降到了传统光耦反馈电路消耗平均电源的百分之一，与该电流相关的这部分整机功耗也降到了传统结构的百分之一。在一种具体的实施例中，时钟周期信号CP控制K1和K2的采样频率为10kHz，采样脉宽为1us。采用了该专利技术中的具有低功耗的光耦反馈电路结构，由于在其反馈端与地之间接有一个保持单元，该单元的存在极大地降低了光耦反馈电路消耗的平均电流，即与该电流相关的这部分整机功耗，电路整体结构简单，应用方便，可以应用于各种开关电源中，适用于大规模推广应用。在此说明书中，本专利技术已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本专利技术的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有低功耗的光耦反馈电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括光电反馈三极管、电阻R、开关K1、开关K2和采样保持单元，所述的光电反馈三极管的集电极依次通过开关K1、电阻R连接至芯片内部电源VDD，所述的光耦反馈三极管的集电极还通过开关K2连接至反馈端，反馈端连接至采样保持单元的第一端，采样保持单元的第二端接地。

【技术特征摘要】
1.一种具有低功耗的光耦反馈电路结构，其特征在于，所述的电路结构包括光电反馈三极管、电阻R、开关K1、开关K2和采样保持单元，所述的光电反馈三极管的集电极依次通过开关K1、电阻R连接至芯片内部电源VDD，所述的光耦反馈三极管的集电极还通过开关K2连接至反馈端，反馈端连接至采样保持单元的第一端，采样保持单元的第二端接地。2.根据权利要求1所述的具有低功耗的光耦反馈电路结构，其特征在于，所述的开关K1和开关K2受同一信...

【专利技术属性】
技术研发人员：田剑彪，张宾，
申请(专利权)人：绍兴光大芯业微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33