一种多功能充电式放大镜及其控制方法技术

技术编号:14945867 阅读:99 留言:0更新日期:2017-04-01 12:14
本发明专利技术公开了一种多功能充电式放大镜及其控制方法,充电式放大镜包括有壳体,放大镜片,电路板,分别与电路板连接的操控装置、充电电池BT1、照明灯D3和紫外线灯D4,以及设置于壳体上且与电路板连接的充电接口DC;电路板上设置有控制管理电路,充电接口电路,驱动电路,充电管理电路和充放电保护电路。本发明专利技术通过对操控装置的轻触或者长按的触发信号经过微型单片机处理,由驱动电路来控制照明灯和紫外线灯的独立开关和亮度调整。本发明专利技术采用完善的充放电管理和灵活便捷的控制方式,提高产品的可靠性,大大延长了使用寿命,且具有放大显示查看、照明、紫外线验钞和观察紫外线敏感物体的功能,适宜不同使用人群的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及放大镜领域,具体是一种多功能充电式放大镜及其控制方法
技术介绍
目前市场上的放大镜功能相对单一,实用性差,操控不稳定,使用寿命短。而具有照明功能的放大镜大多采用的是一次性电池,容量低,更换电池也比较麻烦,且因电池容量的局限,照明亮度较低,不能满足使用人群对光线强度的和长时间使用的要求,且一次性电池长时间使用有漏液的情况,对产品自身和环境都造成污染,环保性差,且降低了放大镜产品的使用寿命。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种多功能充电式放大镜及其控制方法,多功能充电式放大镜采用快速充电管理,充放电保护的充电电池储能方式,通过对操控装置的轻触或者长按的触发信号经过微型单片机处理,由驱动电路来控制照明灯和紫外线灯的独立开关和亮度调整,操控简便,稳定可靠,大大延长了使用寿命;且具有放大显示查看、照明、紫外线验钞和观察紫外线敏感物体的功能,适宜不同使用人群的需求。本专利技术的技术方案为:一种多功能充电式放大镜,包括有壳体、放大镜片、操控装置、电路板、充电电池BT1、照明灯D3和紫外线灯D4,所述的壳体的顶部设置有放大镜安装孔,所述的放大镜片固定于放大镜安装孔内,所述的操控装置、照明灯D3、紫外线灯D4均设置于壳体上,所述的电路板和充电电池BT1均设置于壳体内,所述的充电电池BT1、操控装置、照明灯D3、紫外线灯D4均与电路板电连接,且所述的壳体上设置有与电路板连接的充电接口DC;所述的电路板上设置有控制管理电路,充电接口电路,驱动电路,充电管理电路和充放电保护电路;所述的控制管理电路包括有微型单片机IC4、电阻R5和电容C4,微型单片机IC4的引脚1连接电阻R6的一端,微型单片机IC4的引脚2通过电容C4接地,且微型单片机IC4的引脚2连接充电电池BT1的正极,微型单片机IC4的引脚3连接电阻R5的一端,微型单片机IC4的引脚4接地,微型单片机IC4的引脚5和引脚6分别与充电接口DC的引脚3和引脚2连接,微型单片机IC4的引脚7连接操控装置;所述的充电接口电路包括有所述的充电接口DC和电容C1,充电接口DC的引脚1是电源适配器正极输入端,且通过电容C1接地,充电接口DC的引脚5接地;所述的驱动电路包括有P沟道MOS管Q1、P沟道MOS管Q2、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R11,P沟道MOS管Q1的栅极通过电阻R8后连同P沟道MOS管Q1的源极与充电电池BT1的正极连接,且P沟道MOS管Q1的栅极连接控制管理电路中电阻R5的另一端,P沟道MOS管Q1的漏极通过电阻R9与照明灯D3的正极连接,照明灯D3的负极接地;所述的P沟道MOS管Q2的栅极通过电阻R10后连同P沟道MOS管Q2的源极与充电电池BT1的正极连接,且P沟道MOS管Q2的栅极连接控制管理电路中电阻R6的另一端,P沟道MOS管Q2的漏极通过电阻R11与紫外线灯D4的正极连接,紫外线灯D4的负极接地;所述的充电管理电路包括有充电管理芯片IC1、电阻R2和电容C2,所述的充电管理芯片IC1的引脚4与电接口DC的引脚1连接,电管理芯片IC1的引脚5通过电阻R2接地,电管理芯片IC1的引脚3通过电容C2接地,且电管理芯片IC1的引脚3与充电电池BT1的正极连接,充电管理芯片IC1的引脚2直接接地;所述的充放电保护电路包括有充电保护控制芯片IC2、充电保护导通芯片IC3、电阻R3、电阻R4和电容C3,充电保护导通芯片IC3内设置有两个N沟道MOS管,所述的充电保护控制芯片IC2的引脚5通过R3与充电电池BT1的正极连接,充电保护控制芯片IC2的引脚5通过电容C3与充电保护控制芯片IC2的引脚6连接,且充电保护控制芯片IC2的引脚6直接与充电电池BT1的负极连接,充电保护控制芯片IC2的引脚6与充电保护导通芯片IC3其中一个N沟道MOS管的源极S1接口连接,充电保护控制芯片IC2的引脚2通过电阻R4接地,充电保护控制芯片IC2的引脚1与充电保护导通芯片IC3其中一个N沟道MOS管的栅极G1接口连接,充电保护控制芯片IC2的引脚3与充电保护导通芯片IC3另一个N沟道MOS管的栅极G2接口连接,充电保护导通芯片IC3其中一个N沟道MOS管的漏极D1与另一个N沟道MOS管的漏极D2连接,充电保护导通芯片IC3另一个N沟道MOS管的源极接地。所述的多功能充电式放大镜还包括有设置于壳体上且朝向放大镜片的充电指示灯D1,所述的电路板上设置有充电指示电路,充电指示电路包括有所述的充电指示灯D1和电阻R1,所述的充电指示灯D1的正极分别与充电接口DC的引脚1、充电管理芯片IC1的引脚4连接,充电指示灯D1的负极通过电阻R1与充电管理芯片IC1的引脚1连接。所述的多功能充电式放大镜还包括有设置于壳体上且朝向放大镜片的亏电指示灯D2,所述的电路板上设置有亏电指示电路,亏电指示电路包括有所述的亏电指示灯D2和电阻R7,所述的亏电指示灯D2的正极通过电阻R7与充电电池BT1的正极连接,亏电指示灯D2的负极与微型单片机IC4的引脚8连接。所述的操控装置包括按键K,所述的电路板上设置有按键电路,按键电路包括有所述的按键K和电容C5,所述的按键K的一端、电容C5的一端均与微型单片机IC4的引脚7连接,按键K的另一端、电容C5的另一端均接地。所述的操控装置包括有触摸电路,所述的触摸电路包括有触摸芯片IC0、电容C5和电容C6,触摸芯片IC0的引脚1与微型单片机IC4的引脚7连接,触摸芯片IC0的引脚2接地,触摸芯片IC0的引脚3通过电容C5接地,触摸芯片IC0的引脚5与充电电池BT1的正极连接,且触摸芯片IC0的引脚5通过电容C6接地。所述的壳体的底部设置有连接孔。一种多功能充电式放大镜的控制方法,具体包括有以下步骤:(1)、当用户轻触操控装置的控制键时,微型单片机IC4的引脚4得到一个短暂的下拉信号,微型单片机IC4的引脚3控制端通过电阻R5把驱动电路P沟道MOS管Q1引脚1的输出电平拉至低电平,P沟道MOS管Q1导通,照明灯D3开启为最高亮度;(2)、当用户长按操控装置的控制键时,微型单片机IC4的引脚3输出PWM脉冲控制驱动电路P沟道MOS管Q1的门限,这时照明灯D3的灯光亮度从100%到10%逐步降低再从10%到100%逐步升高,亮度循环变化直至达到满意亮度后松手,微型单片机IC4自动记忆设置的亮度;(3)、当用户再轻触操控装置的控制键时,照明灯D3关闭;(4)、关闭照明灯D3的状态时,长按操控装置的控制键时,微型单片机IC4的引脚1通过电阻R6把驱动电路P沟道MOS管Q2引脚1的输出电平拉至低电平,P沟道MOS管Q2导通,开启紫外线灯D4;当再长按操控装置的控制键时,紫外线灯D4关闭。本专利技术的优点:(1)、本专利技术采用充电电池供电,采用充电接口对充电电池进行快速充电储能,节约了资源,又避免重复浪费;(2)、本专利技术设置有充电管理电路和充电保护电路,有效防止充电电池过充过放、短路,保障产品使用安全可靠;(3)、本专利技术通过对操控装置控制键的轻触或者长按的触发信号经过微型单片机处理,由驱动电路来控制照明灯和紫外线灯的独立开关和亮度调整,这样大大延长了操控装置的使用寿命;(4)、本专利技术具有照明、放大显示查看和紫外线验钞、观察紫外线敏感物体的功能,具有多种功能本文档来自技高网...
一种多功能充电式放大镜及其控制方法

【技术保护点】
一种多功能充电式放大镜,其特征在于:包括有壳体、放大镜片、操控装置、电路板、充电电池BT1、照明灯D3和紫外线灯D4,所述的壳体的顶部设置有放大镜安装孔,所述的放大镜片固定于放大镜安装孔内,所述的操控装置、照明灯D3、紫外线灯D4均设置于壳体上,所述的电路板和充电电池BT1均设置于壳体内,所述的充电电池BT1、操控装置、照明灯D3、紫外线灯D4均与电路板电连接,且所述的壳体上设置有与电路板连接的充电接口DC;所述的电路板上设置有控制管理电路,充电接口电路,驱动电路,充电管理电路和充放电保护电路;所述的控制管理电路包括有微型单片机IC4、电阻R5和电容C4,微型单片机IC4的引脚1连接电阻R6的一端,微型单片机IC4的引脚2通过电容C4接地,且微型单片机IC4的引脚2连接充电电池BT1的正极,微型单片机IC4的引脚3连接电阻R5的一端,微型单片机IC4的引脚4接地,微型单片机IC4的引脚5和引脚6分别与充电接口DC的引脚3和引脚2连接,微型单片机IC4的引脚7连接操控装置;所述的充电接口电路包括有所述的充电接口DC和电容C1,充电接口DC的引脚1是电源适配器正极输入端,且通过电容C1接地,充电接口DC的引脚5接地;所述的驱动电路包括有P沟道MOS管Q1、P沟道MOS管Q2、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R11,P沟道MOS管Q1的栅极通过电阻R8后连同P沟道MOS管Q1的源极与充电电池BT1的正极连接,且P沟道MOS管Q1的栅极连接控制管理电路中电阻R5的另一端,P沟道MOS管Q1的漏极通过电阻R9与照明灯D3的正极连接,照明灯D3的负极接地;所述的P沟道MOS管Q2的栅极通过电阻R10后连同P沟道MOS管Q2的源极与充电电池BT1的正极连接,且P沟道MOS管Q2的栅极连接控制管理电路中电阻R6的另一端,P沟道MOS管Q2的漏极通过电阻R11与紫外线灯D4的正极连接,紫外线灯D4的负极接地;所述的充电管理电路包括有充电管理芯片IC1、电阻R2和电容C2,所述的充电管理芯片IC1的引脚4与电接口DC的引脚1连接,电管理芯片IC1的引脚5通过电阻R2接地,电管理芯片IC1的引脚3通过电容C2接地,且电管理芯片IC1的引脚3与充电电池BT1的正极连接,充电管理芯片IC1的引脚2直接接地;所述的充放电保护电路包括有充电保护控制芯片IC2、充电保护导通芯片IC3、电阻R3、电阻R4和电容C3,充电保护导通芯片IC3内设置有两个N沟道MOS管,所述的充电保护控制芯片IC2的引脚5通过R3与充电电池BT1的正极连接,充电保护控制芯片IC2的引脚5通过电容C3与充电保护控制芯片IC2的引脚6连接,且充电保护控制芯片IC2的引脚6直接与充电电池BT1的负极连接,充电保护控制芯片IC2的引脚6与充电保护导通芯片IC3其中一个N沟道MOS管的源极S1接口连接,充电保护控制芯片IC2的引脚2通过电阻R4接地,充电保护控制芯片IC2的引脚1与充电保护导通芯片IC3其中一个N沟道MOS管的栅极G1接口连接,充电保护控制芯片IC2的引脚3与充电保护导通芯片IC3另一个N沟道MOS管的栅极G2接口连接,充电保护导通芯片IC3其中一个N沟道MOS管的漏极D1与另一个N沟道MOS管的漏极D2连接,充电保护导通芯片IC3另一个N沟道MOS管的源极接地。...

【技术特征摘要】
1.一种多功能充电式放大镜,其特征在于:包括有壳体、放大镜片、操控装置、电路板、充电电池BT1、照明灯D3和紫外线灯D4,所述的壳体的顶部设置有放大镜安装孔,所述的放大镜片固定于放大镜安装孔内,所述的操控装置、照明灯D3、紫外线灯D4均设置于壳体上,所述的电路板和充电电池BT1均设置于壳体内,所述的充电电池BT1、操控装置、照明灯D3、紫外线灯D4均与电路板电连接,且所述的壳体上设置有与电路板连接的充电接口DC;所述的电路板上设置有控制管理电路,充电接口电路,驱动电路,充电管理电路和充放电保护电路;所述的控制管理电路包括有微型单片机IC4、电阻R5和电容C4,微型单片机IC4的引脚1连接电阻R6的一端,微型单片机IC4的引脚2通过电容C4接地,且微型单片机IC4的引脚2连接充电电池BT1的正极,微型单片机IC4的引脚3连接电阻R5的一端,微型单片机IC4的引脚4接地,微型单片机IC4的引脚5和引脚6分别与充电接口DC的引脚3和引脚2连接,微型单片机IC4的引脚7连接操控装置;所述的充电接口电路包括有所述的充电接口DC和电容C1,充电接口DC的引脚1是电源适配器正极输入端,且通过电容C1接地,充电接口DC的引脚5接地;所述的驱动电路包括有P沟道MOS管Q1、P沟道MOS管Q2、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R11,P沟道MOS管Q1的栅极通过电阻R8后连同P沟道MOS管Q1的源极与充电电池BT1的正极连接,且P沟道MOS管Q1的栅极连接控制管理电路中电阻R5的另一端,P沟道MOS管Q1的漏极通过电阻R9与照明灯D3的正极连接,照明灯D3的负极接地;所述的P沟道MOS管Q2的栅极通过电阻R10后连同P沟道MOS管Q2的源极与充电电池BT1的正极连接,且P沟道MOS管Q2的栅极连接控制管理电路中电阻R6的另一端,P沟道MOS管Q2的漏极通过电阻R11与紫外线灯D4的正极连接,紫外线灯D4的负极接地;所述的充电管理电路包括有充电管理芯片IC1、电阻R2和电容C2,所述的充电管理芯片IC1的引脚4与电接口DC的引脚1连接,电管理芯片IC1的引脚5通过电阻R2接地,电管理芯片IC1的引脚3通过电容C2接地,且电管理芯片IC1的引脚3与充电电池BT1的正极连接,充电管理芯片IC1的引脚2直接接地;所述的充放电保护电路包括有充电保护控制芯片IC2、充电保护导通芯片IC3、电阻R3、电阻R4和电容C3,充电保护导通芯片IC3内设置有两个N沟道MOS管,所述的充电保护控制芯片IC2的引脚5通过R3与充电电池BT1的正极连接,充电保护控制芯片IC2的引脚5通过电容C3与充电保护控制芯片IC2的引脚6连接,且充电保护控制芯片IC2的引脚6直接与充电电池BT1的负极连接,充电保护控制芯片IC2的引脚6与充电保护导通芯片IC3其中一个N沟道MOS管的源极S1接口连接,充电保护控制芯片IC2的引脚2通过电阻R4接地,充电保护控制芯片IC2的引脚1与充电保护导通芯片IC3其中一个N沟道MOS管的栅极G1接口连接,充电保护...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨海燕
申请(专利权)人:蚌埠市舒杨电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:安徽;34

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