密封组合物以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号:14943246 阅读:46 留言:0更新日期:2017-04-01 09:33
本发明专利技术涉及一种密封组合物,其含有:具有阳离子性官能团且重均分子量为2000~1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物,所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份~0.20质量份,所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm~200质量ppm,所述密封组合物的pH为3.0~6.5。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种密封组合物以及半导体装置的制造方法
技术介绍
一直以来,在电子器件领域等各种
中,进行在部件上赋予含有聚合物的组合物。例如,已知有如下技术:在半导体装置的层间绝缘层上赋予含有具有2个以上阳离子性官能团的重均分子量为2000~100000的聚合物的半导体用组合物的技术(例如,参照专利文献1)。此外,例如,还已知有如下技术:通过在半导体基板的表面的至少一部分赋予含有具有阳离子性官能团的重均分子量为2000~600000的树脂的半导体用密封组合物,从而形成半导体用密封层,将半导体基板的形成有半导体用密封层的面用25℃时的pH为6以下的冲洗液洗涤的技术(例如,参照专利文献2)。进而,例如,还记载有如下技术:在半导体基板的至少凹部的底面和侧面赋予含有具有阳离子性官能团的重均分子量为2000~1000000的聚合物的半导体用密封组合物,至少在凹部的底面和侧面形成半导体用密封层,将半导体基板的形成有半导体用密封层一侧的面在温度200℃以上425℃以下的条件下进行热处理,从而将形成于配线的露出面上的半导体用密封层的至少一部分除去的技术(例如,参照专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2010/137711号专利文献2:国际公开第2012/033172号专利文献3:国际公开第2014/013956号
技术实现思路
专利技术所要解决的问题对于在半导体基板上具有设有凹部的层间绝缘层和配线的半导体装置,微细化在进一步发展。作为密封组合物,只要能够密封存在于层间绝缘层的细孔,并且不会残留于铜等配线上就能够使用,但是以往的密封组合物,有不能抑制铜等配线材料析出,配线材料会减少的可能。其结果是可能会导致无法维持配线的导电性,尤其在微细化了的半导体装置中,配线材料的减少成为大问题。本专利技术的一个实施方式是鉴于上述课题而完成的,其目的在于提供一种半导体装置的制造方法以及在制造这样的半导体装置时所使用的密封组合物,所述半导体装置的制造方法能够维持密封组合物带来的对层间绝缘层的凹部侧面的密封性,同时密封组合物的聚合物(A)难以残留在凹部底面和配线上,并且能够抑制铜等配线材料的减少,从而维持该配线材料的导电性。本专利技术的其他实施方式的目的在于,提供一种半导体装置的制造方法以及在制造这样的半导体装置时所使用的密封组合物,所述半导体装置的制造方法能够维持密封组合物带来的对层间绝缘层的表面的密封性,同时密封组合物的聚合物(A)难以残留在配线上,并且能够抑制铜等配线材料的减少,从而维持该配线材料的导电性。用于解决课题的方法用来解决上述课题的具体方法如下所述。<1>一种密封组合物,其含有:具有阳离子性官能团且重均分子量为2000~1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物,所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份~0.20质量份,所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm~200质量ppm,所述密封组合物的pH为3.0~6.5。<2>一种密封组合物,其含有:具有阳离子性官能团且重均分子量为2000~1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物,密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm~200质量ppm,所述密封组合物的pH为3.0~6.5。<3>根据<1>或<2>中所述的密封组合物,其还含有一元羧酸化合物。<4>根据<1>~<3>中任一项所述的密封组合物,其以元素基准计,钠和钾的含量分别为10质量ppb以下。<5>一种半导体装置的制造方法,其具有:密封组合物赋予工序和洗涤工序,所述密封组合物赋予工序在半导体基板的至少下述凹部的底面和侧面赋予<1>中所述的密封组合物,所述半导体基板具有设有凹部的层间绝缘层和含有铜的配线,该配线的表面的至少一部分在所述凹部的底面的至少一部分露出;所述洗涤工序在所述密封组合物赋予工序之后,用含有0.3毫摩尔/升~230毫摩尔/升多元羧酸单体的冲洗液洗涤至少所述凹部的侧面和底面。<6>一种半导体装置的制造方法,其具有:密封组合物赋予工序和洗涤工序,所述密封组合物赋予工序在具有层间绝缘层和含有铜的配线的半导体基板的至少所述层间绝缘层以及所述配线的表面赋予<2>中所述的密封组合物;所述洗涤工序在所述密封组合物赋予工序之后,用含有0.3毫摩尔/升~230毫摩尔/升多元羧酸单体的冲洗液洗涤至少所述层间绝缘层和所述配线的表面。<7>根据<5>或<6>中所述的半导体装置的制造方法,所述多元羧酸单体满足:具有两个芳香环、以及分子量为342以上中的至少一者。<8>根据<5>~<7>中任一项所述的半导体装置的制造方法,所述冲洗液的pH为4.0~7.0。<9>根据<5>~<8>中任一项所述的半导体装置的制造方法,所述密封组合物中,以元素基准计,钠和钾的含量分别为10质量ppb以下。<10>根据<5>~<9>中任一项所述的半导体装置的制造方法,在所述密封组合物赋予工序后且在所述洗涤工序之前,具有将所述半导体基板在温度70℃~125℃进行加热的加热工序。<11>根据<5>~<10>中任一项所述的半导体装置的制造方法,在所述洗涤工序后,具有将所述半导体基板在温度200℃~425℃进行加热的高温加热工序。<12>根据<5>~<11>中任一项所述的半导体装置的制造方法,所述密封组合物还含有一元羧酸。专利技术效果根据本专利技术的一个实施方式,能够提供半导体装置的制造方法以及在制造这样的半导体装置时所使用的密封组合物,所述半导体装置的制造方法能够维持密封组合物带来的对层间绝缘层的凹部侧面的密封性,同时密封组合物的聚合物(A)难以残留在凹部底面和配线上,并且能够抑制铜等配线材料的减少,从而维持该配线材料的导电性。根据本专利技术的其他实施方式,能够提供半导体装置的制造方法以及在制造这样的半导体装置时所使用的密封组合物,所述半导体装置的制造方法能够维持密封组合物带来的对层间绝缘层的表面的密封性,同时密封组合物的聚合物(A)难以残留在配线上,并且能够抑制铜等配线材料的减少,从而维持该配线材料的导电性。附图说明图1为示意性地表示第1实施方式所涉及的半导体装置的制造方法中的、在密封组合物赋予工序前的半导体基板的截面的概略截面图。图2为示意性地表示第1实施方式所涉及的半导体装置的制造方法中的、在密封组合物赋予工序后的半导体基板的截面的概略截面图。图3为示意性地表示第1实施方式所涉及的半导体装置的制造方法中,将形成于配线的露出面上的半导体用密封层除去时的半导体基板的截面的概略截面图。图4为示意性地表示通过第1实施方式所涉及的半导体装置的制造方法制造的半导体装置的截面的概略截面图。图5为示意性地表示第2实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的概略截面图。图6为示意性地表示通过第2实施方式所涉及的半导体装置的制造方法制造的半导体装置的截面的概略截面图。具体实施方式本说明书中,使用“~”表示的数值范围意味着以“~”的前后所记载的数值作为下限值和上限值而包含的范围。以下,使用图1~图6详细地说明本专利技术的具体实施方式(第1实施方式、第2实施方式),但本专利技术不受以下实施方式的任何限定,在本专利技术目的的范围内,可以加以适当变更来实施。附图(图1~图6)中,对于不是本专利技术所必须的构成(例本文档来自技高网...
密封组合物以及半导体装置的制造方法

【技术保护点】
一种密封组合物,其含有:具有阳离子性官能团且重均分子量为2000~1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物,所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份~0.20质量份,所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm~200质量ppm,所述密封组合物的pH为3.0~6.5。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.08 JP 2014-1624331.一种密封组合物,其含有:具有阳离子性官能团且重均分子量为2000~1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物,所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份~0.20质量份,所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm~200质量ppm,所述密封组合物的pH为3.0~6.5。2.一种密封组合物,其含有:具有阳离子性官能团且重均分子量为2000~1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物,密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm~200质量ppm,所述密封组合物的pH为3.0~6.5。3.根据权利要求1或2所述的密封组合物,其还含有一元羧酸化合物。4.根据权利要求1~3中任一项所述的密封组合物,其以元素基准计,钠和钾的含量分别为10质量ppb以下。5.一种半导体装置的制造方法,其具有:密封组合物赋予工序,在半导体基板的至少下述凹部的底面和侧面赋予权利要求1所述的密封组合物,所述半导体基板具有设有凹部的层间绝缘层和含有铜的配线,该配线的表面的至少一部分在所述凹部的底面的至少一部分露出,以及洗涤工序,在所述密封组合物赋予工序之后,用含有0.3毫摩尔/升~230毫摩尔...

【专利技术属性】
技术研发人员:茅场靖刚田中博文小野升子井上浩二和知浩子铃木常司
申请(专利权)人:三井化学株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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