应用在射频信号源的可控衰减器制造技术

本发明专利技术公开了应用在射频信号源的可控衰减器，包括信号输入端IN、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、控制输入端VC、信号输出端OUT，信号输入端IN与二极管D1、二极管D2的阴极连接，二极管D2的阳极与二极管D3的阳极连接，二极管D3的阴极与信号输出端OUT连接。本发明专利技术使用多个PIN二极管，组成两条支路，达到阻抗不变的特性，通过选择合适的二极管偏置电流，使得上下两条支路的阻抗从输入端看进去始终保持在一定的阻值，从而使射频信号源中衰减电路之前的滤波器的阻抗失配的影响降到最低，并且构成的衰减电路整体对称，偏置电路简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及衰减电路，具体涉及应用在射频信号源的可控衰减器。
技术介绍
PIN二极管有一项已知且特殊的特性，那就是它在射频下的电阻可以随变偏置电流的变化而变化。单一的PIN二极管衰减器是非常简单的，但是这样简单的设计很难达到良好的阻抗匹配，因为二极管的阻抗会随着偏置电压的变化而改变，多频率射频信号源中，衰减电路之前连接有滤波电路，它们之间不良的阻抗匹配会带来问题，因为连接到衰减器的滤波器的响应通常会因负载的不同而改变。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是二极管的阻抗会随着偏置电压的变化而改变，衰减器与连接的滤波器之间不良的阻抗匹配会带来问题，目的在于提供应用于多频率射频信号源的衰减电路，使用多个PIN二极管，组成两条支路，使衰减电路的阻抗特性不变，使衰减电路对连接的滤波器的阻抗失配的影响降到最低程度。本专利技术通过下述技术方案实现：应用在射频信号源的可控衰减器，包括信号输入端IN、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、控制输入端VC、信号输出端OUT，所述信号输入端IN与二极管D1、二极管D2的阴极连接，二极管D2的阳极与二极管D3的阳极连接，二极管D3的阴极与信号输出端OUT连接，所述电阻R4一端与二极管D1的阳极连接，其另一端与电阻R5来的上端连接，电阻R5的下端接正5V电源；电阻R6一端连接在电阻R4和电阻R5连接的线路上，其另一端与二极管D4的阳极连接，二极管D4的阴极与二极管D3的阴极连接，电阻R3一端连接在二极管D2与二极管D3连接的线路上，其另一端连接控制输入端VC。二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4均采用PIN二极管，使用四个PIN二极管可以提高衰减的最大值，或者是在一定的衰减量下使频率上限增加一倍。进一步地，应用在射频信号源的可控衰减器，还包括电阻R1、电阻R2、电容C4、电容C5，所述电阻R1一端连接在信号输入端IN与二极管D2连接的线路上，其另一端接地，所述电阻R2一端连接在信号输出端OUT与二极管D3连接的线路上，其另一端接地，所述电容C4一端连接在二极管D1与电阻R4连接的线路上，其另一端接地，所述电容C5一端连接在二极管D4与电阻R6连接的线路上，其另一端接地。电阻R1、电阻R2、电容C4、电容C5所接地端连接接同一个地。进一步地，应用在射频信号源的可控衰减器，还包括电容C1、电容C2、电容C3，所述信号输入端IN的信号通过电容C1传递到电阻R1与二极管D2，所述二极管D3与电阻R2的信号经过电容C2传递到信号输出端OUT，所述电容C3一端连接在电阻R3与控制输入端VC连接的线路上，其另一端接地。电容C1、电容C2、电容C3的作用使滤波。进一步地，二极管D2与二极管D3、二极管D1与二极管D4呈对称分布。构成的衰减电路对称，偏置电路简单。本专利技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：本专利技术使用多个PIN二极管，组成两条支路，达到阻抗不变的特性，通过选择合适的二极管偏置电流，使得上下两条支路的阻抗从输入端看进去始终保持在一定的阻值，从而使射频信号源中衰减电路之前的滤波器的阻抗失配的影响降到最低。构成的衰减电路整体对称，偏置电路简单。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本专利技术实施例的限定。在附图中：图1为本专利技术结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本专利技术作进一步的详细说明，本专利技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本专利技术，并不作为对本专利技术的限定。实施例如图1所示，应用在射频信号源的可控衰减器，包括信号输入端IN、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、控制输入端VC、信号输出端OUT，所述信号输入端IN与二极管D1、二极管D2的阴极连接，二极管D2的阳极与二极管D3的阳极连接，二极管D3的阴极与信号输出端OUT连接，所述电阻R4一端与二极管D1的阳极连接，其另一端与电阻R5来的上端连接，电阻R5的下端接正5V电源；电阻R6一端连接在电阻R4和电阻R5连接的线路上，其另一端与二极管D4的阳极连接，二极管D4的阴极与二极管D3的阴极连接，电阻R3一端连接在二极管D2与二极管D3连接的线路上，其另一端连接控制输入端VC。二极管D2与二极管D3、二极管D1与二极管D4呈对称分布。应用在射频信号源的可控衰减器，还包括电阻R1、电阻R2、电容C4、电容C5，所述电阻R1一端连接在信号输入端IN与二极管D2连接的线路上，其另一端接地，所述电阻R2一端连接在信号输出端OUT与二极管D3连接的线路上，其另一端接地，所述电容C4一端连接在二极管D1与电阻R4连接的线路上，其另一端接地，所述电容C5一端连接在二极管D4与电阻R6连接的线路上，其另一端接地；还包括电容C1、电容C2、电容C3，所述信号输入端IN的信号通过电容C1传递到电阻R1与二极管D2，所述二极管D3与电阻R2的信号经过电容C2传递到信号输出端OUT，所述电容C3一端连接在电阻R3与控制输入端VC连接的线路上，其另一端接地。利用两对PIN管会有很多好处，首先，由于网络的最大隔离度是由串联的PIN管决定的，用两对PIN管取代三个管子将提高衰减的最大值，或是在一定的衰减量下使频率上限增加一倍。第二，两个PIN管串联并且180度反相工作，使得偶数阶的非线性产物得以抵消。第三，构成的衰减器网络是对称的，而且偏置电路非常简单。电阻R5接的是一固定电压正5V，控制输入端VC是控制网络衰减量的可变电压。电阻R1和电阻R2分别作为串联PIN管D2和D3的偏流电阻，它们必须做得足够高以减小插损；然而，如果它们作得太高，控制输入端VC就需要非常高的电压。如果不需要很大的带宽的话，可以通过在电阻R1和电阻R2之间加装一些扼流圈来改善插损特性，这些电感可以降低网络射频部份的电阻。电阻R3和电阻R4的选择视具体的PIN管而定；选择合适的话，它们将在串联与并联的PIN管之间提供恰当的电流分配，以保持在整个衰减动态范围内的良好的阻抗匹配特性。本实施例中，元器件所使用的型号与规格如下：电阻R1、电阻R2为560欧姆；电阻R3为330欧姆；电阻R4为1640欧姆；电阻R5为680欧姆；电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6均为47000pF；二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4均为HSMP-3814。以上所述的具体实施方式，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施方式而已，并不用于限定本专利技术的保护范围，凡在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
应用在射频信号源的可控衰减器，其特征在于，包括信号输入端IN、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、控制输入端VC、信号输出端OUT，所述信号输入端IN与二极管D1、二极管D2的阴极连接，二极管D2的阳极与二极管D3的阳极连接，二极管D3的阴极与信号输出端OUT连接，所述电阻R4一端与二极管D1的阳极连接，其另一端与电阻R5来的上端连接，电阻R5的下端接正5V电源；电阻R6一端连接在电阻R4和电阻R5连接的线路上，其另一端与二极管D4的阳极连接，二极管D4的阴极与二极管D3的阴极连接，电阻R3一端连接在二极管D2与二极管D3连接的线路上，其另一端连接控制输入端VC。

【技术特征摘要】
1.应用在射频信号源的可控衰减器，其特征在于，包括信号输入端IN、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、控制输入端VC、信号输出端OUT，所述信号输入端IN与二极管D1、二极管D2的阴极连接，二极管D2的阳极与二极管D3的阳极连接，二极管D3的阴极与信号输出端OUT连接，所述电阻R4一端与二极管D1的阳极连接，其另一端与电阻R5来的上端连接，电阻R5的下端接正5V电源；电阻R6一端连接在电阻R4和电阻R5连接的线路上，其另一端与二极管D4的阳极连接，二极管D4的阴极与二极管D3的阴极连接，电阻R3一端连接在二极管D2与二极管D3连接的线路上，其另一端连接控制输入端VC。2.根据权利要求1所述的应用在射频信号源的可控衰减器，其特征在于，还包括电阻R1、电阻R2、电容C4、电...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖威，
申请(专利权)人：成都意科科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：四川;51