【技术实现步骤摘要】
本技术属于光伏多晶硅片切割清洗领域，具体涉及一种用于多晶硅片清洗的花篮。
技术介绍
多晶硅片清洗，其原理可用“空化”现象来解释：即超声波振动在液体中传播的音波压强达到一个大气压时，其功率密度为0.35瓦/厘米，这时超声波的音波压强峰值就可达到真空或负压，但实际上无负压存在，因此在液体中产生一个很大的压力，将液体分子拉裂成空洞。此空洞非常接近真空，它在超声波压强反向达到最大时破裂，由于破裂而产生的强烈冲击将硅片表面的污染物撞击下来，这种由无数细小的空化气泡破裂而产生的冲击现象称为“空化现象”，从而达到清洗多晶硅片的目的。目前，在硅片清洗工序中，主要使用的是超声波清洗，而脱胶后的硅片是叠放在一起，为了保证硅片的清洗效果，硅片在进入超声波清洗机之前，必须将硅片插入清洗花篮中，从而将硅片均匀分开，彻底清洗。然而，如图4及图5所示的现有的用于多硅片清洗的花篮，一方面，在插片过程中，硅片在滑落至花篮底部的过程中，硅片倒角极易磕碰至靠近花篮底部的两侧挡杆处，从而产生卡片、碎片等不良；另一方面，现有花篮采用的材料及棱边的设计，在超声清洗过程中，硅片在花篮底部的硅片卡槽中来回摆动与花篮底部接触部位进行摩擦，从而产生硅片棱边划痕、棱边缺陷的现象，严重影响了产品的外观及品质，降低了清洗效率。
技术实现思路
本技术的目的是克服在现有的硅片清洗过程中，多晶花篮在插片及超声波清洗过程中，出现的硅片卡片、碎片及花篮底部的硅片棱边划痕或缺损的问题。为此，本技术提供了一种用于多晶硅片清洗的花篮，包括花篮本体，支撑挡杆，支撑板...
【技术保护点】
一种用于多晶硅片清洗的花篮，包括花篮本体（1），支撑挡杆（2），支撑板（3），插片凹槽（4），其特征在于：所述花篮本体（1）两侧的插片凹槽（4）均穿有与所述插片凹槽（4）相垂直的支撑挡杆（2），且所述支撑挡杆（2）与所述插片凹槽（4）与硅片的连接处设有与硅片相适配的倒角。
【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅片清洗的花篮，包括花篮本体（1），支撑挡杆（2），支撑板（3），插片凹槽（4），其特征在于：所述花篮本体（1）两侧的插片凹槽（4）均穿有与所述插片凹槽（4）相垂直的支撑挡杆（2），且所述支撑挡杆（2）与所述插片凹槽（4）与硅片的连接处设有与硅片相适配的倒角。
2.根据权利要求1所述的一种用于...
【专利技术属性】
技术研发人员：拜鹏，高伟，朱菲菲，张瑞峰，
申请(专利权)人：西安烽火光伏科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。