一种具有双MOS结构保护板的电池制造技术

技术编号:14934192 阅读:120 留言:0更新日期:2017-03-31 16:09
本实用新型专利技术公开一种具有双MOS结构保护板的电池,其包括外壳,外壳内设有电芯以及用于保护电芯的保护板,所述电芯和保护板电性连接;所述保护板包括控制IC、限流限压电路、采样电路、滤波电路、MOS管开关电路和限流电路,限流限压电路的输入端连接电池的正极,限流限压电路的输出端连接滤波电路的输入端和控制IC的输入端,滤波电路的输出端连接控制IC的输入端,滤波电路的输入输出端、限流电路的输入输出端和控制IC的输入输出端均与MOS管开关电路的输入输出端连接,限流电路的输入输出端还与控制IC的输入输出端连接,采样电路的输入端接于电池的负极,采样电路的输出端接于控制IC的输入端。本实用新型专利技术采用双MOS结构,有效增加过流保护;将保护板置于卡件内,使得保护板不易晃动;整体结构更为牢固,从而达到防摔的效果。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于锂电池制作领域,具体涉及一种具有双MOS结构保护板的锂电池结构。
技术介绍
锂电池,是一类由锂金属或锂合金为负极材料、使用非水电解质溶液的电池。锂电池以其具有重量轻、容量大、无记忆效应等优点,因而得到了广泛的应用。锂电池的能量密度很高,它的容量是同重量的镍氢电池的1.5~2倍,而且具有很低的自放电率。此外,锂电池几乎没有记忆效应以及不含有毒物质等优点也是它得到广泛应用的重要原因。而锂电池本身的材料决定了它不能被过充、过放、过流、短路及超高温充放电,因此锂电池、锂电组件通常会带有保护板。保护板是由电子电路组成,在-40℃至+85℃的环境下实时准确的监视锂电池的电芯的电压和充放回路的电流,及时控制电流回路的通断。一般来说,保护板设置于锂电池的开口处,保护板的一面设置有正、负极接线端子和电器元件,正极引线和负极引线分别与保护板上的正极接线端子和负极接线端子电连接。现有的保护板通常包括控制IC、MOS开关、电阻、电容及辅助器件FUSE、PTC(Positivetemperaturecoefficient,正温度系数电阻)、NTC(是Negativetemperaturecoefficient的缩写,意即负温度系数)、ID、存储器等。其中控制IC,在一切正常的情况下控制MOS开关导通,使电芯与外电路导通,而当电芯电压或回路电流超过规定值时,它立刻控制MOS开关关断,保护电芯的安全。保护板有效实现上述保护功能的前提是控制IC本身运行良好,而一旦控制IC出现问题,则整个保护板失去保护能力,进而无法满足对锂电池的保护需求
技术实现思路
因此,针对上述的问题,本技术提出一种具有双MOS结构保护板的电池,还对保护板电路进行改进,增强保护能力,使其不易损坏。为了解决上述问题,本技术所采用的技术方案是,一种具有双MOS结构保护板的电池,包括外壳,外壳内设有电芯以及用于保护电芯的保护板,所述电芯和保护板电性连接;所述保护板包括控制IC、限流限压电路、采样电路、滤波电路、MOS管开关电路和限流电路,限流限压电路的输入端连接电池的正极,限流限压电路的输出端连接滤波电路的输入端和控制IC的输入端,滤波电路的输出端连接控制IC的输入端,滤波电路的输入输出端、限流电路的输入输出端和控制IC的输入输出端均与MOS管开关电路的输入输出端连接,限流电路的输入输出端还与控制IC的输入输出端连接,采样电路的输入端接于电池的负极,采样电路的输出端接于控制IC的输入端。具体的,所述保护板包括控制IC、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、MOS管T1、MOS管T2、二极管D1和二极管D2,控制IC的VDD端一路串联电阻R1后连接电池的P+输出端,另一路串联电容C1后连接控制IC的VSS端和MOS管T2的S端;MOS管T2的G端连接控制IC的Dout端,MOS管T2的D端连接MOS管T1的D端,D2并联于MOS管T2的S端和D端之间;MOS管T1的G端连接控制IC的Cout端,MOS管T1的S端连接电阻R2的一端、电阻R3的一端以及电池的P-输出端,二极管D1并联在MOS管T1的D端和S端之间;电阻R2的另一端连接至控制IC的VM端,电阻R3的另一端连接T输出端。通常状态:电池电压在过放电检出电压以上(2.75V以上),过充电检出电压以下(4.3V以下),VM端子的电压在充电器检出电压以上,在过电流/检出电压以下(OV)的情况下,控制IC通过监视连接在VDD-VSS间的电压差及VM-VSS间的电压差而控制两个MOS管,Dout、Cout端都为高电平,MOS管处导通状态,这时可以自由的充电和放电。为了保护保护板,所述外壳内设有卡置保护板使其固定的卡件。为了进一步防撞使保护板不易损坏,所述电芯上设有卡槽,所述保护板上设有卡勾,通过将保护板的卡勾卡置于卡槽内,使保护板和电芯固定连接。进一步的,所述MOS管T1和MOS管T2均采用型号为8205A的MOS管实现。所述控制IC采用型号为DW01的电池保护芯片实现。进一步的,所述保护板的长度为30±0.3mm,宽度为6.4±0.3mm,高度为0.6±0.3mm。进一步的,为了进一步防撞使保护板不易损坏,所述保护板采用柔性线路板制成。本技术通过上述方案,与现有技术相比,具有如下优点:1、将保护板置于卡件内,使得保护板不易晃动;并在电芯和保护板设置卡勾和卡槽使其固定连接,使得保护板进一步防撞不易损坏,使得整体结构更为牢固,从而达到防摔的效果;2、保护板采用双MOS结构,有效增加过流保护。因大容量手机在开关机过程中会产生过大的瞬间电流而造成MOS烧毁等现象,采用双MOS结构可以有效预防电流过大烧毁MOS情况。附图说明图1为本技术的实施例的保护板的电路框图;图2为本技术的实施例的保护板的电路原理图。具体实施方式现结合附图和具体实施方式对本技术进一步说明。本技术的一种具有双MOS结构保护板的电池,包括外壳,外壳内设有电芯以及用于保护电芯的保护板,所述电芯和保护板电性连接。参见图1,本技术的保护板包括控制IC、限流限压电路、采样电路、滤波电路、MOS管开关电路和限流电路,限流限压电路的输入端连接电池的正极,限流限压电路的输出端连接滤波电路的输入端和控制IC的输入端,滤波电路的输出端连接控制IC的输入端,滤波电路的输入输出端、限流电路的输入输出端和控制IC的输入输出端均与MOS管开关电路的输入输出端连接,限流电路的输入输出端还与控制IC的输入输出端连接,采样电路的输入端接于电池的负极,采样电路的输出端接于控制IC的输入端。作为一个具体的实例,参见图2,保护板包括控制IC、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、MOS管T1、MOS管T2、二极管D1和二极管D2,控制IC的VDD端一路串联电阻R1后连接电池的P+输出端,另一路串联电容C1后连接控制IC的VSS端和MOS管T2的S端;MOS管T2的G端连接控制IC的Dout端,MOS管T2的D端连接MOS管T1的D端,D2并联于MOS管T2的S端和D端之间;MOS管T1的G端连接控制IC的Cout端,MOS管T1的S端连接电阻R2的一端、电阻R3的一端以及电池的P-输出端,二极管D1并联在MOS管T1的D端和S端之间;电阻R2的另一端连接至控制IC的VM端,电阻R3的另一端连接T输出端。通常状态:电池电压在过放电检出电压以上(2.75V以上),过充电检出电压以下(4.3V以下),VM端子的电压在充电器检出电压以上,在过电流/检出电压以下(OV)的情况下,控制IC通过监视连接在VDD-VSS间的电压差及VM-VSS间的电压差而控制两个MOS管,Dout、Cout端都为高电平,MOS管处导通状态,这时可以自由的充电和放电。其中,电阻R1起到限流,稳定VDD,加强ESD的作用;电阻R2为限流电阻。本实施例中,该保护板的长度为30mm,宽度为6.4mm,高度为0.6mm。其中,控制IC采用型号为DW01的电池保护芯片实现。该本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种具有双MOS结构保护板的电池,其特征在于:包括外壳,外壳内设有电芯以及用于保护电芯的保护板,所述电芯和保护板电性连接;所述保护板包括控制IC、限流限压电路、采样电路、滤波电路、MOS管开关电路和限流电路,限流限压电路的输入端连接电池的正极,限流限压电路的输出端连接滤波电路的输入端和控制IC的输入端,滤波电路的输出端连接控制IC的输入端,滤波电路的输入输出端、限流电路的输入输出端和控制IC的输入输出端均与MOS管开关电路的输入输出端连接,限流电路的输入输出端还与控制IC的输入输出端连接,采样电路的输入端接于电池的负极,采样电路的输出端接于控制IC的输入端。

【技术特征摘要】
1.一种具有双MOS结构保护板的电池,其特征在于:包括外壳,外壳内设有电芯以及用于保护电芯的保护板,所述电芯和保护板电性连接;所述保护板包括控制IC、限流限压电路、采样电路、滤波电路、MOS管开关电路和限流电路,限流限压电路的输入端连接电池的正极,限流限压电路的输出端连接滤波电路的输入端和控制IC的输入端,滤波电路的输出端连接控制IC的输入端,滤波电路的输入输出端、限流电路的输入输出端和控制IC的输入输出端均与MOS管开关电路的输入输出端连接,限流电路的输入输出端还与控制IC的输入输出端连接,采样电路的输入端接于电池的负极,采样电路的输出端接于控制IC的输入端。
2.根据权利要求1所述的具有双MOS结构保护板的电池,其特征在于:所述保护板包括控制IC、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、MOS管T1、MOS管T2、二极管D1和二极管D2,控制IC的VDD端一路串联电阻R1后连接电池的P+输出端,另一路串联电容C1后连接控制IC的VSS端和MOS管T2的S端;MOS管T2的G端连接控制IC的Dout端,MOS管T2的D端连接MOS管T1的D端,二极管D2并联于MOS管T2的S端和D端之间;MOS管T1...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐金林
申请(专利权)人:深圳市然然电子有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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