二极管制造技术

本实用新型专利技术提供一种二极管，包括：晶片，第一焊盘、第二焊盘、第一引脚、第二引脚和封装体；晶片的下表面与第一焊盘连接，晶片的上表面与第二焊盘连接；第一引脚与第一焊盘相连接，第二引脚与第二焊盘相连接；封装体将晶片、第一焊盘、第二焊盘和第一引脚和第二引脚封合，且第一引脚、第一焊盘的下表面和第二引脚分别裸露出封装体。本方案的二极管，晶片设置在第一焊盘和第二焊盘之间，并与二者相焊接，第一引脚和第二引脚分别漏出封装体，这样的设计使晶片与第一焊盘和第二焊盘在夹焊工艺中进而封装成型，相对现有的焊线工艺封装，避免了受焊线的影响而导致产品因短路报废的情况发生，提高了产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体芯片
，尤其是涉及一种二极管。
技术介绍
随着电子信息产业的高速发展，芯片制造业迈入了纳米时代，芯片制造的工艺尺寸从90nm缩小到45nm，再到30nm、13nm快速递进。芯片的几何尺寸也越来越小，由1.0mm×1.0mm到0.8mm×0.8mm、0.5mm×0.5mm、0.3mm×0.3mm，最小0.15mm×0.15mm，相应地，芯片制造中使用的焊盘节距也由120μm逐步缩小到100μm、70μm、60μm、50μm和45μm。划道也由100μm逐渐缩小到70μm、60μm、50μm和45μm。使得焊盘尺寸也由最初的100μm×100μm渐次缩小为70μm×70μm、55μm×55μm、最小为38μm×38μm。焊盘尺寸的变化给键合工艺带来了难题和巨大的挑战。正常的球焊键合工艺中，焊球的直径大于/等于线径的2倍，小于线径的5倍为合格。一般金线焊球的直径可控制在2～2.3(倍)线径，铜线焊球的直径可控制在2.5～3(倍)线径。对于38μm×38μm的焊盘，相邻焊盘间距41μm～43μm，只能使用Φ15μm～Φ16μm的焊线，并且键合焊球的直径必须控制在37μm以内。那么金线无论Φ15μm(2.3×15＝34.5＜37)或取上限16(16×2.3＝36.8＜37),均符合压焊要求。而铜线无论Φ15μm(取下限15×2.5＝37.5＞37)，还是16μm(取上限16×2.5＝40＞37)，都不符合压焊要求。并且从压焊质量检验的角度讲，相邻键合线间的空隙应等于2倍的焊线直径。实际上，去除线径，相邻焊线间空隙1.69～1.86倍线径，相邻两键合线间距也不能满足一般质量要求。但是，实践证明，随着焊线质量的提高、线径规格的增多，封装技术的发展和高密度封装形式及产品的增加，在保证塑封冲线率满足工艺要求的前提下，焊线与焊线间不短路，相邻引线间空隙大于1倍的线径也被行业公认可以满足焊线工艺要求。但对密节距小焊盘的键合而言，键合球的直径很难控制，稍不注意，键合球会超出焊盘，造成相邻焊点短路，导致产品报废。另外，焊线与焊盘的连接，导致封装整体体积较大。
技术实现思路
为了解决上述技术问题至少之一，本技术的目的在于提供一种避免因短路报废，可靠性高的二极管。本技术提供了一种二极管，包括：晶片，第一焊盘、第二焊盘、第一引脚、第二引脚和封装体；所述晶片的下表面与所述第一焊盘连接，所述晶片的上表面与所述第二焊盘连接；所述第一引脚与所述第一焊盘相连接，所述第二引脚与所述第二焊盘相连接；所述封装体将所述晶片、所述第一焊盘、所述第二焊盘和所述第一引脚和所述第二引脚封合，且所述第一引脚、所述第一焊盘的下表面和所述第二引脚分别裸露出所述封装体。在上述技术方案中，优选的，所述第二引脚包括连接段、倾斜段和直线段；所述连接段的一端与所述第二焊盘连接，另一端与所述倾斜段和所述直线段依次连接，并使所述连接段与所述直线段相平行设置。在该技术方案中，第二引脚包括连接段、倾斜段和直线段，使连接段与第二焊盘在同一平面内连接，倾斜段使直线段与连接段相平行设置，这就使倾斜段高度能够是第一焊盘与第二焊盘之间晶片的高度，从而使第一引脚和第二引脚的漏出段能够在同一水平面上，使封装体密封的体积较小，且使二极管的整体做的更薄。在上述任一技术方案中，优选的，所述第一焊盘与所述晶片的下表面之间设置有第一焊料层；所述第二焊盘与所述晶片的上表面之间设置有第二焊料层。在该技术方案中，第一焊盘与晶片的下表面之间设置有第一焊料层，第二焊盘与晶片的上表面之间设置有第二焊料层，第一焊料层和第二焊料层分别使第一焊盘和第二焊盘与晶片的连接更加可靠，使产品焊接时更加方便，提高了产品的可靠性。在上述任一技术方案中，优选的，所述第二焊盘的下表面上设置有焊柱，所述焊柱与所述第二焊料层相焊接。在该技术方案中，焊柱的设置可以减小第二焊盘的面积，同时，用焊柱与晶片上的第二焊料层相焊接，减小焊接面积，方便操作。在上述任一技术方案中，优选的，所述第二焊料层的面积小于所述晶片的上表面的面积，并大于所述焊柱的底面面积。在该技术方案中，第二焊料层的面积小于晶片上表面的面积大于焊柱的底面面积，使第二焊料层在保证与焊柱的焊接的情况下，不会额外从晶片上留下而导致短路的情况发生，提高了产品的可靠性。在上述任一技术方案中，优选的，所述第一焊料层的面积大于等于所述晶片的下表面的面积，并小于等于所述第一焊盘的面积。在该技术方案中，由于第一焊盘的下表面裸露在外面，在第一焊料层的面积大于等于晶片的下表面的面积时，使第一焊料层与晶片之间的连接可靠性，进一步的，使晶片与第一焊盘的连接更加可靠，从而使二极管更加稳定。在上述任一技术方案中，优选的，所述晶片呈凸台状。晶片设置成凸台状，使第二焊盘可以做的更小，从而使产品的封装后更小，减小了产品的体积。在上述任一技术方案中，优选的，所述封装体为环氧树脂注塑外壳。在上述任一技术方案中，优选的，所述封装体的截面为等腰梯形。在该技术方案中，封装体的截面呈等腰梯形，这就使二极管整体的占用空间变小，提高了产品的使用率。在上述任一技术方案中，优选的，所述封装体的上表面设置有标识层。标识层的设置方便了产品的区分，提高了产品的使用方便性。本技术提供的二极管，晶片设置在第一焊盘和第二焊盘之间，并与二者相焊接，第一引脚和第二引脚分别漏出封装体，这样的设计使晶片与第一焊盘和第二焊盘在夹焊工艺中进而封装成型，相对现有的焊线工艺封装，避免了受焊线的影响而导致产品因短路报废的情况发生，还提高了产品的可靠性。本技术的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的二极管的立体结构示意图；图2为本技术实施例提供的二极管的一视角结构示意图；图3为本技术实施例提供的二极管的另一视角结构示意图。附图标记：1-晶片；2-第一焊盘；3-第二焊盘；4-封装体；5-第一引脚；6-第二引脚；7-第一焊料层；8-第二焊料层；31-焊柱；41-标识层；61-连接段；62-倾斜段；63-直线段。具体实施方式下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本实用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管，其特征在于，包括：晶片，第一焊盘、第二焊盘、第一引脚、第二引脚和封装体；所述晶片的下表面与所述第一焊盘连接，所述晶片的上表面与所述第二焊盘连接；所述第一引脚与所述第一焊盘相连接，所述第二引脚与所述第二焊盘相连接；所述封装体将所述晶片、所述第一焊盘、所述第二焊盘和所述第一引脚和所述第二引脚封合，且所述第一引脚、所述第一焊盘的下表面和所述第二引脚分别裸露出所述封装体。

【技术特征摘要】
1.一种二极管，其特征在于，包括：晶片，第一焊盘、第二焊盘、第一引脚、第二引脚和封装体；所述晶片的下表面与所述第一焊盘连接，所述晶片的上表面与所述第二焊盘连接；所述第一引脚与所述第一焊盘相连接，所述第二引脚与所述第二焊盘相连接；所述封装体将所述晶片、所述第一焊盘、所述第二焊盘和所述第一引脚和所述第二引脚封合，且所述第一引脚、所述第一焊盘的下表面和所述第二引脚分别裸露出所述封装体。2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第二引脚包括连接段、倾斜段和直线段；所述连接段的一端与所述第二焊盘连接，另一端与所述倾斜段和所述直线段依次连接，并使所述连接段与所述直线段相平行设置。3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述第一焊盘与所述晶片的下表面之间设置有第一焊料层；所述第二焊盘与所述晶片的上...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾亮东，廖瑞忠，陈丽军，胡利娟，温姣姣，
申请(专利权)人：北京思众电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11