超级结器件制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是指一种超级结器件。
技术介绍
超级结功率器件是一种发展迅速、应用广泛的新型功率半导体器件。它是在双扩散金属氧化物半导体(DMOS)的基础上，通过引入超级结(SuperJunction)结构，除了具备DMOS输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、热稳定好、驱动电路简单、易于集成等特点外，还克服了DMOS的导通电阻随着击穿电压成2.5次方关系增加的缺点。目前超级结DMOS已广泛应用于面向个人电脑、笔记本电脑、上网本、手机、照明(高压气体放电灯)产品以及电视机(液晶或等离子电视机)和游戏机等消费电子产品的电源或适配器。目前超级结功率器件的制备工艺主要分成两大类，一种是利用多次外延和注入的方式在N型外延衬底上形成P柱；另外一种是在深沟槽刻蚀加P柱填充的方式形成。现有的深槽型超级结器件，如图1所示，在衬底或外延中具有P柱，P柱之上为体区。体区之间为JFET区域，外延之上体区之间为栅极。图2是器件的俯视图。为了进一步降低导通电阻，必须要用更低电阻的外延基片，同时为了保持击穿电压不下降，需要将深槽的间距不断缩短，来保证耗尽区能够在沟槽之间完全展开。而沟槽间距的降低，会限制JFET区域的大小，影响到器件的沟道长度，提高导通电阻。基于现有结构，如图2所示，缩小P柱之间距离，使得P柱和栅极的投影有重叠(如图3所示)，会引起JFET区域电阻增大，如果增加JFET注入还会影响MOSFET沟道的浓...
【技术保护点】
一种超级结器件，其特征在于：在N型外延中具有P柱和体区，所述P柱位于体区的下方，P柱呈平行沟槽型；体区之间的区域为JFET区域，外延表面具有栅极，所述栅极位于体区之间的硅表面，并且栅极与P柱在平面的投影是呈垂直相交的状态。
【技术特征摘要】
1.一种超级结器件，其特征在于：在N型外延中具有P柱和体区，所述P柱位于体
区的下方，P柱呈平行沟槽型；体区之间的区域为JFET区域，外延表面具有栅极，所述
栅极位于体区之间的硅表面，并且栅极与P柱在平面的投影是呈垂直相交的状态。
2.如权利要求1所述的超级结器件，其特征在于：所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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