一种有效去除光阻的方法技术

一种有效去除光阻的方法，包括如下步骤：（1）将带有光阻的基底平放，蘸取去光阻液进行表面擦拭；（2）将擦拭后的基底放置在去光阻液中进行涮洗，一次涮洗完成后进行超声浸泡，然后进行二次涮洗；（3）将基底放入丙酮中涮洗，然后再放置在无水乙醇溶液中涮洗；（4）将基底水洗后，使用氮气吹干或者旋干机进行旋干。该方法通过对基底表面进行擦片处理，然后通过去光阻液的清洗，能够彻底去除光阻，避免了传统去光阻工艺中的多级去光阻液的长时间超声浸泡，很大程度上减少了对基底本身结构的破坏，步骤简便，耗时少，完全做到了快速高效的去除光阻，能够实现较短时间的大规模生产，通过本发明专利技术处理的基底，表面洁净，无残留光阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于去除在LED(发光二极管，LightEmittingDiode)芯片的透明电极和金属电极图形的制作过程中所用到的光阻的方法，属于LED晶片制作

技术介绍
LED具有高效节能、无污染、寿命长等优点被广泛认可为第四代照明光源。在LED芯片的整个制作过程中，透明电极和金属电极图形的制作常常用到光阻来完成，而完成电极后的光阻去除不可避免的成为了LED晶片制作过程的一个重要环节。光阻(photoresist)，通常也被称作光阻剂，作为一种光敏材料被广泛应用在工业制程中，尤其在LED行业中，光阻是光刻技术不可缺少的原料，常常在晶片表面制作成被覆层。目前使用的光阻，被分为两类，正向光阻(positivephotoresist)和负向光阻(negativiphotoresist)。正向光阻的特性为被光照射到的部分会溶于光阻显影液，而没有被照射到的部分不会溶于光阻显影液；而负向光阻特性恰恰相反，其被光照射到的部分不会溶于光阻显影液，没有被光照射到的部分反而会溶于光阻显影液。一般而言，正向光阻价格比较昂贵且解析度较高；而负向光刻胶价格相对较便宜，解析度较低，去胶相对容易。LED制作过程中，光阻最主要是被使用在LED芯片制造的中的金属电极或者透明电极蒸镀剥离制程中，由于LED电极所使用的金属材料不易经使用蚀刻的方法制作电极图形，所以常常利用剥离(Lift-off)技术，得到凸起的光阻层，使金属在蒸镀过程中不会连续分布在光阻上，然后使用光阻去胶液进行清洗的方式，将光阻上层的金属及光阻层部分同时剥离掉，完成金属电极图形的制作过程。另外，在制作完成金属电极的制作后需要进行酸碱溶液的清洗时，需要光阻作为保护层进行保护作业。目前，光阻的去除，最常用的方法为多级光去去胶液通过高温加热进行长时间浸泡去除，在光阻的去除过程中，传统方法占用设备材料较多，消耗的光阻去胶液成本较高，效率较低，且在去除光阻时，存在部分光阻尤其是非登高平面上的光阻去除不彻底的弊端，影响产品的光电性能和良率。中国专利文献CN104882364A提出了一种有效去除光阻的方法，该方法的主要技术方案为：首先将需要去除光阻的晶片放置在光阻液中浸泡30-60min，然后进行吹干，并将吹干后的晶片放置在等离子设备中采取干式方法光阻。该方法主要通过足够时间的去光阻液浸泡并且辅助一定的等离子体清洗来达到彻底去胶的效果，但是整个过程耗时较长，效率低下，消耗去胶较多成本相对较高。中国专利文件CN102331689A提出了一种去光阻的方法和设备，是将带有光阻的基底首先置于去胶液中浸泡，然后将浸泡后的基底进行冷却直至基底温度低于去光阻液与基底发生反应的最低温度，最后使用水将基底清洗干净。在该专利技术中主要是利用基底的低温环境保证在水与去光阻液不反应的条件下进行水洗，达到去光阻和洁净表面的作用，但是对于基底的冷却需要的时间较久，整个工艺流程实现耗时较长，或者配备专门的冷却设备同时增加了去光阻的成本。综上，有必要研究一种能够高效去除光阻而且消耗成本较低的工艺方法。
技术实现思路
针对现有传统光阻去除技术存在的成本较高，过程繁琐，效率较低的不足，本专利技术提供一种成本低、效率高、去除彻底的有效去除光阻的方法。本专利技术的有效去除光阻的方法，包括如下步骤：(1)去光阻液擦拭：将带有光阻的基底平放，蘸取去光阻液进行表面擦拭；该步骤可以擦掉基底表面的绝大部分光阻。(2)去光阻液涮洗和超声：将擦拭后的基底放置在去光阻液中进行涮洗，一次涮洗完成后进行超声浸泡，然后进行二次涮洗；(3)丙酮和乙醇涮洗：将基底放入丙酮中涮洗，然后再放置在无水乙醇溶液中涮洗。(4)水洗和干燥：将基底水洗后，使用氮气吹干或者旋干机进行旋干。所述步骤(1)中蘸取去光阻液的材料为纳米级泡棉、脱脂棉、长绒棉棉球或软毛刷，优选纳米级泡棉。本专利技术中蘸取去光阻液进行擦拭的材料非常重要，既要求该材料致密性合适、硬度适宜，再保证能够完成物理擦拭去除光阻的条件下又不对基底的其它结构不能造成外观伤害，经过申请人研究和大量实验发现纳米级科技泡棉、脱脂棉和长绒棉制作的棉球以及软性毛刷等能够满足该要求，这几种材料因结构致密性和硬度等的自身特点，能够在物理擦拭操作过程中彻底完成去胶要求且不对基底其它结构造成划伤等外观伤害。申请人进一步研究发现，通过物理擦拭进行去胶，不仅仅对平面基底有很好的去胶效果，尤其对表面不平整基底去光阻效果较好，对于不平整的基底通过传统的多级去光阻液超声浸泡很难做到彻底去胶，在不平整区的边缘会存在大大量的光阻残留，而本专利技术中的使用特定材料进行物理擦片，完全能够做到边缘区域的彻底去除，使整个LED制作良率大大提升。本专利技术中步骤(1)中使用的特定材料，不仅限于以上提到的纳米级科技泡棉、脱脂棉和长绒棉制作的棉球以及软性毛刷，凡是能够满足上述操作要求的材料，均在本专利技术权限内。所述步骤(1)和步骤(2)中的去光阻液的温度为45℃-95℃。所述步骤(2)中的涮洗过程为：将基底浸没在去光阻液中至少晃动5次，然后再将基底倒置浸没在去光阻液中至少晃动5次。晃动时间为5秒-90秒。晃动次数优选为5-60次。所述步骤(2)中的超声频率为10Khz-50Khz。所述步骤(2)中的超声时间为1分钟-5分钟。所述步骤(3)中丙酮或无水乙醇溶液的温度为常温或低于丙酮或无水乙醇溶液的沸点，优选的温度为常温。所述步骤(3)中的涮洗是将基底浸没在丙酮或无水乙醇溶液中至少晃动5次，然后再将基底倒置浸没在去光阻液中至少晃动5次。晃动时间为5秒-90秒。晃动次数优选为5-60次。所述步骤(4)中水洗时间为3分钟-15分钟，所述的氮气纯度≥99.999％，所述氮气压力为0.1-0.3MPa，以保证氮气的纯净和使用安全。进一步优选所述氮气是5N氮气。本专利技术步骤(2)和(3)中的涮洗操作非常重要，申请人经过研究和大量实验发现，在经过物理擦拭之后的基底表面，大部分光阻已经去除(且通过物理擦拭能够完全破坏光阻底膜)，剩余少量光阻在经过步骤(2)和(3)中的涮洗操作后能够快速高效彻底去除，本专利技术中涮洗操作不可以使用浸泡进行替代，经擦拭过后的光阻，如果经过浸泡处理后，有很大概率会发生区域性粘附且较难去除。本专利技术具有以下特点：1.本专利技术通过使用特定材料对基底表面进行擦片处理，然后通过去光阻液的清洗，能够做到彻底去除光阻。2.本专利技术避免了传统去光阻工艺中的多级去光阻液的长时间超声浸泡，工艺时间缩短，很大程度上减少了对基底本身结构的破坏。3.本专利技术步骤简洁，整个去光阻工艺消耗时间非常少，完全做到了快速高效的去除光阻，能够实现较短时间的大规模生产，通过本专利技术处理的基底，表面洁净，无残留光阻。4.本专利技术适用于所有的LED基底的去光阻过程，特别地，对于表面不平整的基底去胶效果尤为明显。附图说明图1是本专利技术有效去除光阻的方法的流程图。图2是覆盖有光阻的平整基底的示意图。图3是覆盖有光阻的不平整基底的示意图。图中：1.基底，2.光阻。具体实施方式图1给出了本专利技术有效去除光阻的方法的流程，图2给出的是覆盖有光阻的平整基底，图3是覆盖有光阻的不平整基底。(1)去光阻液擦拭将带有光阻的基底1平放，使用纳米级泡棉、脱脂棉、长绒棉棉球或软毛刷等材料(优选纳米级泡)棉蘸取加热到45℃-95℃本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有效去除光阻的方法，其特征是，包括如下步骤：（1）去光阻液擦拭：将带有光阻的基底平放，蘸取去光阻液进行表面擦拭；（2）去光阻液涮洗和超声：将擦拭后的基底放置在去光阻液中进行涮洗，一次涮洗完成后进行超声浸泡，然后进行二次涮洗；（3）丙酮和乙醇涮洗：将基底放入丙酮中涮洗，然后再放置在无水乙醇溶液中涮洗；（4）水洗和干燥：将基底水洗后，使用氮气吹干或者旋干机进行旋干。

【技术特征摘要】
1.一种有效去除光阻的方法，其特征是，包括如下步骤：（1）去光阻液擦拭：将带有光阻的基底平放，蘸取去光阻液进行表面擦拭；（2）去光阻液涮洗和超声：将擦拭后的基底放置在去光阻液中进行涮洗，一次涮洗完成后进行超声浸泡，然后进行二次涮洗；（3）丙酮和乙醇涮洗：将基底放入丙酮中涮洗，然后再放置在无水乙醇溶液中涮洗；（4）水洗和干燥：将基底水洗后，使用氮气吹干或者旋干机进行旋干。2.根据权利要求1所述的有效去除光阻的方法，其特征是，所述步骤（1）中蘸取去光阻液的材料为纳米级泡棉、脱脂棉、长绒棉棉球或软毛刷。3.根据权利要求1所述的有效去除光阻的方法，其特征是，所述步骤（1）和步骤（2）中的去光阻液的温度为45℃-95℃。4.根据权利要求1所述的有效去除光阻的方法，其特征是，所述步骤（2）中的涮洗过程为：将基底浸没在去光阻液中至少晃动5次，然后再...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐晓强，彭璐，闫宝华，刘琦，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37