阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示领域，解决现有像素边缘暗区面积过大的问题，进而实现透过率提升，提升液晶光效。包括：狭缝电极，所述狭缝电极的狭缝一端开口。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
目前液晶显示器的显示模式主要包括FFS(FringeFieldSwitching，边缘场开关技术)、HADS(HighApertureratioAdvanced-SuperDimensionalSwitching，高开口率高级超维场开关技术)、IPS(In-PlaneSwitching，平面转换技术)、VA(VerticalAlignment，垂直配向技术)等。其中，FFS模式的弊端在于，由于像素电极采用如图1所示的狭缝电极10，会在像素边缘产生如图2所示的暗区，影响像素透过率；HADS模式中，公共电极采用狭缝电极，并将狭缝电极的拐角位置由像素长边位置调整到像素短边位置，其漏光模拟图如图3所示，可以看出暗区问题得到改善，但改善效果有限。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，可解决现有像素边缘暗区面积过大的问题，进而实现透过率提升，提升液晶光效。为达到上述目的，本专利技术提供的阵列基板，包括：狭缝电极，所述狭缝电极的狭缝一端开口。作为本专利技术所述阵列基板的一种改进，所述狭缝电极呈现如下结构：在像素区域内的之字形走线。可选地，所述狭缝电极为像素电极，或者，所述狭缝电极为公共电极。可选地，如果像素为双筹像素，在所述像素的第一区域内，所述狭缝电极的狭缝沿第一方向延伸；在所述像素的第二区域内，所述狭缝电极的狭缝沿第二方向延伸，且所述第一方向与所述第二方向不平行。可选地，所述之字形走线的拐角分别位于像素的两个长边边缘。可选地，所述之字形走线的拐角分别位于像素的两个短边边缘。为达到上述目的，本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。为达到上述目的，本专利技术实施例还提供一种阵列基板的制造方法，包括：形成狭缝电极的工序，所述形成狭缝电极工序，包括：沉积电极材料层；利用掩膜工艺，形成狭缝电极，其中，掩膜工艺使用的掩膜板上，与所述狭缝电极的狭缝对应的部分延伸至像素边缘，以使形成的所述狭缝电极的狭缝一端开口。作为本专利技术所述制造方法的一种改进，所述形成狭缝电极工序之前，还包括：对所述狭缝电极进行优化设计，优化标准为使所述像素边缘的暗区面积最小。本专利技术对狭缝电极进行改进，将狭缝的一端开口，可以降低像素边缘的遮挡，解决现有像素边缘产生的暗区面积过大的问题，进而实现透过率以及液晶光效的提升。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为现有FFS模式阵列基板的结构示意图；图2为现有FFS模式漏光模拟图；图3为现有HADS模式漏光模拟图；图4为本专利技术实施例提供的FFS模式阵列基板的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的FFS模式显示装置的剖面结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的HADS模式阵列基板的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的HADS模式显示装置的剖面结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的FFS模式的双畴像素示意图；图9为现有具有拐角设计的HADS的狭缝电极示意图；图10为本专利技术提供的具有拐角设计的HADS模式像素的示意图；图11为本专利技术提供的FFS模式双畴像素的示意图；图12为本专利技术实施例中狭缝拐角设计细节示意图。附图标记10-狭缝电极，111-狭缝，11-数据线，12-栅线，20-阵列基板，30-彩膜基板，40-液晶，31-基板，32-彩膜层，21-基板，22-公共电极，23-栅绝缘层，24-源漏金属层，25-绝缘层，26-像素电极。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例本专利技术实施例提供一种阵列基板，参照图4所示，该阵列基板包括狭缝电极10，该狭缝电极10的狭缝111一端开口打开。图4中的11为数据线，12为栅线。现有技术中的狭缝电极如图1所示，狭缝111的两端是封闭结构，为了改善产品显示品质，避免TracingMura问题(手指按下会出现显示扭曲的问题)，位于像素边缘的狭缝111闭合位置设计改进为具有一定拐角结构，如图9，专利技术人发现实际测试时像素边缘会产生暗区，如图2和图3所示。本专利技术实施例中将狭缝电极10中的狭缝111的一端打开，即采用开放式结构，在像素边缘可采用沿着狭缝走向打开或保留原有像素边缘有拐角形貌的设计，沿着狭缝末端的拐角走向打开；另一端保留封闭结构，封闭结构仍采用像素边缘有拐角形貌的设计，以使狭缝电极10的各个部分仍然能够电连接在一起，同时避免TracingMura问题。可以理解的是，狭缝电极10包括多个狭缝111，本实施例对具体哪些狭缝的哪一端部采用开放式结构不做限定，只要保证狭缝电极10的各个部分能够电连接在一起即可。一种狭缝电极10的优选结构如下：在像素区域内的之字形走线，之字形走线的拐角可以如图4所示，分别位于像素的两个长边边缘；也可以如图10所示，分别位于像素的两个短边边缘。在像素区域内的之字形走线，可以是奇数行狭缝111的起始端封闭末尾端打开，偶数行狭缝111的起始端打开末尾端封闭，当然，也可以是奇数行狭缝111的起始端打开末尾端封闭，偶数行狭缝111的起始端封闭末尾端打开。本专利技术提供的阵列基板，对狭缝电极进行了改进，将狭缝的一端开口，以降低像素边缘的遮挡，解决现有像素边缘产生的暗区面积过大的问题，进而实现透过率提升。为了本领域技术人员更好的理解本专利技术实施例提供的技术方案，下面通过具体的实施例对本专利技术的阵列基板结构进行详细说明。如图4和图5所示，FFS模式显示装置包括阵列基板20和彩膜基板30和液晶40，彩膜基板30包括基板31和设置于基板31上的彩膜层32；FFS模式阵列基板20包括基板21和设置于基板21上的公共电极22、栅绝缘层23、数据线金属层24(对应数据线11)、绝缘层25和像素电极26，像素电极26为狭缝电极，且狭缝电极的狭缝111在起始端或末尾端开口。FFS模式显示装置的模拟漏光图与图2对比，像素左右两侧边缘的暗区面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：狭缝电极，其特征在于，所述狭缝电极的狭缝一端开口。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：狭缝电极，其特征在于，所述狭缝电极的狭缝一
端开口。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述狭缝电极呈现如下
结构：在像素区域内的之字形走线。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述狭缝电极为像素电
极，或者，所述狭缝电极为公共电极。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，如果像素为双筹像素，
在所述像素的第一区域内，所述狭缝电极的狭缝沿第一方向延伸；在所述像素
的第二区域内，所述狭缝电极的狭缝沿第二方向延伸，且所述第一方向与所述
第二方向不平行。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述之字形走线的拐角
分别位于像素的两个长边边缘。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓那，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11