The invention discloses a photoresist coating apparatus comprises: a nozzle, photoelectric detector, optical element, and a controller; among them, optical element for light emitted by the photoelectric detector is divided into a first light and second light, the first substrate surface light and second light incident to the substrate were coated on the surface of photoresist and not coated with photoresist, and the first reflected light substrate surface has been coated with photoresist and the substrate surface is not coated with the photoresist second reflected light are incident to the photoelectric detector; photoelectric detector for receiving the first interference light reflected light and the second reflection light, and the interference information is transmitted to the controller; the controller. According to the interference information to determine the thickness of the photoresist coating photoresist; adjust the nozzle according to the thickness variation of speed. The invention utilizes the interference principle to realize the real-time adjustment of the coating state of the photoresist according to the uniformity of the thickness of the photoresist, so as to avoid the large fluctuation of the thickness of the photoresist.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,尤指一种光刻胶涂布装置。
技术介绍
在大面积薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)基板的生产过程中,经常会发生由于涂胶不均匀造成的TFT基板上大面积的显示不良(Mura),特别是机膜产品更容易出现光刻胶涂布不均匀的问题。现有技术中,在涂胶过程中,无法检测光刻胶涂布的均匀性,只能在光刻胶涂布完成后,通过观察或者测量光刻胶不同位置的厚度,来检测光刻胶的均匀性,此时,如果发现光刻胶的均匀性较差,只能重新涂布光刻胶,不仅增加了工艺的时间,而且浪费了原料,从而增加了工艺的成本。因此,在涂胶过程中,如何根据光刻胶的均匀性实时调整涂胶状态,是急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种光刻胶涂布装置,用以解决现有技术中存在的在光刻胶涂布过程中,不能根据已涂布光刻胶的均匀性调整涂胶状态的问题。本专利技术实施例提供了一种光刻胶涂布装置,包括:用于在基板上涂布光刻胶的喷嘴、光电探测器、位于所述光电探测器光学路径上的光学元件,以及与所述光电探测器电连接的控制器;其中,所述光学元件,用于将所述光电探测器出射的光线分为第一光线和第二光线,将所述第一光线和第二光线分别入射至已涂覆光刻胶的所述基板表面和未涂覆光刻胶的所述基板表面,并将已涂覆光刻胶的所述基板表面的第一反射光以及未涂覆光刻胶的所述基板表面的第二反射光分别入射至所述光电探测器;所述光电探测器,用于接收所述第一反射光与所述第二反射光发生干涉后得到的干涉光,并将所述干涉光的干涉信息发送至所述控制器;所述控制器,用于根据所述干涉信息确定所述基板上的光刻胶的厚度变化量;根据所 ...
【技术保护点】
一种光刻胶涂布装置,其特征在于,包括:用于在基板上涂布光刻胶的喷嘴、光电探测器、位于所述光电探测器光学路径上的光学元件,以及与所述光电探测器电连接的控制器;其中,所述光学元件,用于将所述光电探测器出射的光线分为第一光线和第二光线,将所述第一光线和第二光线分别入射至已涂覆光刻胶的所述基板表面和未涂覆光刻胶的所述基板表面,并将已涂覆光刻胶的所述基板表面的第一反射光以及未涂覆光刻胶的所述基板表面的第二反射光分别入射至所述光电探测器;所述光电探测器,用于接收所述第一反射光与所述第二反射光发生干涉后得到的干涉光,并将所述干涉光的干涉信息发送至所述控制器;所述控制器,用于根据所述干涉信息确定所述基板上的光刻胶的厚度变化量;根据所述厚度变化量调节所述喷嘴涂布光刻胶的速度。
【技术特征摘要】
1.一种光刻胶涂布装置,其特征在于,包括:用于在基板上涂布光刻胶的喷嘴、光电探测器、位于所述光电探测器光学路径上的光学元件,以及与所述光电探测器电连接的控制器;其中,所述光学元件,用于将所述光电探测器出射的光线分为第一光线和第二光线,将所述第一光线和第二光线分别入射至已涂覆光刻胶的所述基板表面和未涂覆光刻胶的所述基板表面,并将已涂覆光刻胶的所述基板表面的第一反射光以及未涂覆光刻胶的所述基板表面的第二反射光分别入射至所述光电探测器;所述光电探测器,用于接收所述第一反射光与所述第二反射光发生干涉后得到的干涉光,并将所述干涉光的干涉信息发送至所述控制器;所述控制器,用于根据所述干涉信息确定所述基板上的光刻胶的厚度变化量;根据所述厚度变化量调节所述喷嘴涂布光刻胶的速度。2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述控制器,具体用于:在所述基板上的光刻胶变厚时,提高所述喷嘴涂布光刻胶的速度;在所述基板上的光刻胶变薄时,降低所述喷嘴涂布光刻胶的速度。3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述光学元件包括半透半反镜和反射镜;所述半透半反镜位于所述光电探测器的正下方,所述反射镜与所述半透半反镜平行设置。4.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述半透半反镜位于未涂覆光刻胶的所述基板的上方,所述反射镜位于已涂覆光刻胶的所述基板的上方;所述半透半反镜,具体用于反射所述光电探测器出射的光线得到所述第一光线,同时透射所述光电探测器出射的所述光线得到所述第二光线;反射所述第一反射光线以及透射所述第二反射光线,以使反射后的所述第一反射光线与透射后的...
【专利技术属性】
技术研发人员:宫奎,段献学,刘天真,陈程,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,合肥京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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