具有再分布焊盘的半导体装置制造方法及图纸

技术编号:14894697 阅读:102 留言:0更新日期:2017-03-29 10:00
公开了具有再分布焊盘的半导体装置。所述半导体装置包括设置在半导体基板上的多个电焊盘以及电连接到电焊盘和外部端子的多个再分布焊盘。所述多个再分布焊盘包括构成用于第一电信号的传输路径的多个第一再分布焊盘以及构成用于与第一电信号不同的第二电信号的传输路径的至少一个第二再分布焊盘。第一再分布焊盘布置在半导体基板上以形成至少两行,所述至少一个第二再分布焊盘设置在所述至少两行第一再分布焊盘之间。

【技术实现步骤摘要】
本专利申请要求于2015年9月17日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0131832号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
示例实施例涉及一种半导体装置,和/或涉及一种具有再分布焊盘的半导体装置。
技术介绍
随着对于高性能高密度半导体装置的不断增长的需求,开发能够实现高的信号传输速度以及减小的图案尺寸的半导体装置或半导体封装件会是有利的。因为再分布技术可使得半导体装置具有减小的尺寸以及改善的电特性,所以该技术可被认为是有效的解决方案。
技术实现思路
专利技术构思的一些示例实施例提供了一种具有减小的尺寸的半导体装置。专利技术构思的一些示例实施例提供了一种具有改善的电特性的半导体装置。专利技术构思的一些示例实施例提供了一种更有效地布置再分布焊盘的半导体装置。在专利技术构思的一些示例实施例中,具有再分布焊盘的半导体装置可包括至少两行输入/输出焊盘以及布置在所述两行输入/输出焊盘之间的电源/接地焊盘。在专利技术构思的一些示例实施例中,在电焊盘和再分布焊盘之间的再分布结构可具有小的长度以允许半导体装置具有改善的电特性。在专利技术构思的一些示例实施例中,焊盘可设置成具有允许在半导体装置的尺寸方面的减小以及允许有效供应电功率的改善的布置。根据专利技术构思的一些示例实施例,一种半导体装置可包括设置在半导体基板上的多个电焊盘以及电连接到电焊盘和外部端子的多个再分布焊盘。所述多个再分布焊盘可包括构成用于第一电信号的传输路径的多个第一再分布焊盘以及构成用于与第一电信号不同的第二电信号的传输路径的至少一个第二再分布焊盘。所述多个第一再分布焊盘可布置在半导体基板上以形成至少两行,所述至少一个第二再分布焊盘可设置在半导体基板上并且在所述至少两行第一再分布焊盘之间。根据专利技术构思的一些示例实施例,一种半导体装置可包括设置在半导体基板上的多个电焊盘以及电连接到所述多个电焊盘和外部端子的多个再分布焊盘。所述多个电焊盘可包括构成用于第一电信号的传输路径的多个第一电焊盘以及构成用于与第一电信号不同的第二电信号的传输路径的多个第二电焊盘。所述多个再分布焊盘可包括电连接到所述多个第一电焊盘的多个第一再分布焊盘以及电连接到所述多个第二电焊盘的多个第二再分布焊盘。第一再分布焊盘可布置成形成至少两行,第二再分布焊盘可设置在所述至少两行第一再分布焊盘之间。根据专利技术构思的一些示例实施例,一种半导体装置可具有其上设置有多个输入/输出焊盘以及多个电源焊盘的表面。输入/输出焊盘可布置在半导体装置的所述表面上以形成平行于第一方向的第一行和第二行,电源焊盘可布置在半导体装置的所述表面上以形成可在第一行和第二行之间并且平行于第一方向的第三行。附图说明通过下面结合附图进行的简要描述,将更清楚地理解示例实施例。附图代表如这里所描述的非限制性的示例实施例。图1A是示出根据专利技术构思的一些示例实施例的半导体装置的剖视图。图1B是示出根据专利技术构思的一些示例实施例的设置在半导体装置中的电焊盘和再分布焊盘的平面图。图1C和图1D是示出图1B的电焊盘和再分布焊盘的其他示例的平面图。图1E是示出图1A的半导体装置的另一示例的剖视图。图2A是示出根据专利技术构思的一些示例实施例的焊盘布置的平面图。图2B是示出图2A的焊盘布置的另一示例的平面图。图3是示出根据对比示例的半导体装置的焊盘布置的平面图。图4A至图12A是示出根据专利技术构思的一些示例实施例的焊盘布置的平面图。图4B至图12B是分别示出图4A至图12A的焊盘布置的其他示例的平面图。具体实施方式[半导体装置]图1A是示出根据专利技术构思的一些示例实施例的半导体装置的剖视图。图1B是示出设置在根据专利技术构思的一些示例实施例的半导体装置中的电焊盘和再分布焊盘的平面图。图1C和图1D是示出图1B的电焊盘和再分布焊盘的其他示例的平面图。图1E是示出图1A的半导体装置的另一示例的剖视图。参照图1A,半导体装置100可包括半导体基板110、保护层112、绝缘层114、再分布结构130和焊料掩模层118。半导体基板110可具有其上设置有一个或更多个电焊盘120的顶表面111a以及底表面111b。保护层112和绝缘层114可设置为覆盖(例如顺序地覆盖)半导体基板110的顶表面111a。再分布结构130可设置在绝缘层114上并且可电连接到电焊盘120。焊料掩模层118可设置为覆盖再分布结构130。半导体装置100可以以倒装芯片键合方式安装在例如印刷电路板(PCB)上,由此构成半导体封装件。半导体基板110的顶表面111a可以是其上集成有电连接到电焊盘120的电路图案的有效表面,底表面111b可以是非有效表面。电路图案可包括存储器电路、逻辑电路和它们的组合中的至少一个。如下将描述的,电焊盘120可设置在半导体基板110的顶表面111a的中心区域或边缘区域上以形成一行或多行。再分布结构130可包括再分布焊盘140,焊料掩模层118可包括选择性地暴露再分布焊盘140的开口117。开口117可用由导电材料形成或包括导电材料的外部端子150来填充。外部端子150可包括堆叠的(例如,顺序地堆叠的)金属柱150a和焊料150b以形成凸块。可选择地,外部端子150可以以焊球的形式来设置。半导体装置100还可包括设置为覆盖再分布结构130的绝缘层116。电焊盘120可被可通过选择性地去除保护层112和绝缘层114而形成的开口125暴露。再分布结构130可包括填充开口125并且结合到电焊盘120的竖直图案130a以及从竖直图案130a水平地延伸的水平图案130b。水平图案130b可设置为具有线性的、弯曲的或弯折的形状。如上所述,水平图案130b的部分可用作外部端子150结合到其的再分布焊盘140。电焊盘120可设置为具有等于或小于再分布焊盘140的尺寸或面积的尺寸或面积。例如,如在图1B中所示,在电焊盘120和再分布焊盘140在平面图中具有正方形形状的情况下,再分布焊盘140的每边的长度L2可以是电焊盘120的每边的长度L1的至少大约一倍或三倍。可选择地,在如图1C中所示的电焊盘120和再分布焊盘140在平面图中具有基本上长方形形状的情况下,再分布焊盘140的短边的长度L2a可以是电焊盘120的短边的长度L1a的至少大约一倍至三倍。在如图1D中所示的电焊盘120和再分布焊盘140在平面图中具有圆形形状的情况下,再分布焊盘140的直径D2可以是电焊盘120的直径D1的至少大约一倍至三倍。电焊盘120和再分布焊盘140的形状不限于上面的基本上正方形、基本上长方形或基本上圆形的示例并且可以进行各种改变。参照图1E,作为专利技术构思的另一示例,半导体装置100a可包括覆盖半导体基板110的顶表面111a的层间绝缘层190、至少穿过半导体基板110的穿过电极170、电连接到穿过电极170的再分布结构130以及覆盖再分布结构130的下保护层180。在示例实施例中,穿过电极170可电连接到电焊盘120,在其他示例实施例中,穿过电极170可竖直地延伸或者在与半导体基板110的顶表面111a基本上垂直的方向上延伸以穿透层间绝缘层190的至少部分。半导体基板110的顶表面111a可以是其上集成有电连接到电焊盘120的电路图案的有效表面,底表面111b可以是其上设置有再分布结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置,所述半导体装置包括:多个电焊盘,设置在半导体基板上;多个再分布焊盘,电连接到电焊盘和外部端子,其中,所述多个再分布焊盘包括:多个第一再分布焊盘,形成用于第一电信号的第一传输路径;至少一个第二再分布焊盘,形成用于与第一电信号不同的第二电信号的第二传输路径,所述多个第一再分布焊盘布置在半导体基板上以形成至少两行,所述至少一个第二再分布焊盘在所述至少两行第一再分布焊盘之间设置半导体基板上。

【技术特征摘要】
2015.09.17 KR 10-2015-01318321.一种半导体装置,所述半导体装置包括:多个电焊盘,设置在半导体基板上;多个再分布焊盘,电连接到电焊盘和外部端子,其中,所述多个再分布焊盘包括:多个第一再分布焊盘,形成用于第一电信号的第一传输路径;至少一个第二再分布焊盘,形成用于与第一电信号不同的第二电信号的第二传输路径,所述多个第一再分布焊盘布置在半导体基板上以形成至少两行,所述至少一个第二再分布焊盘在所述至少两行第一再分布焊盘之间设置半导体基板上。2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,半导体基板包括:至少一个外围区,跨过半导体基板的中心延伸;至少两个单元区域,通过外围区彼此分离,其中,第一再分布焊盘和第二再分布焊盘布置在外围区上并且与外围区的延伸方向平行。3.如权利要求2所述的半导体装置,其中,电焊盘设置在外围区上。4.如权利要求2所述的半导体装置,所述半导体装置还包括:至少一个辅助焊盘,电连接到所述至少一个第二再分布焊盘。5.如权利要求4所述的半导体装置,其中,所述至少一个辅助焊盘设置在单元区上。6.如权利要求2所述的半导体装置,其中,电焊盘设置在单元区上。7.如权利要求2所述的半导体装置,其中,至少一个电焊盘在单元区上,至少另一个电焊盘在外围区上。8.如权利要求1所述的半导体装置,其中,第一电信号包括输入/输出信号,第二电信号包括电源信号和接地信号中的至少一个。9.如权利要求1所述的半导体装置,其中,半导体基板包括:多个单元区域,在半导体基板的角区域处;十字形外围区,将单元区彼此分离,其中,第一再分布焊盘和第二再分布焊盘布置在外围区上并且在与第一方向平行的方向上。10.如权利要求1所述的半导体装置,其中,半导体基板包括:多个单元区,在半导体基板的角区域处;十字形外围区,将单元区彼此分离,其中,第一再分布焊盘和第二再分布焊盘沿两个正交方向布置在外围区上且形成十字形布置。11.如权利要求1所述的半导体装置,其中,半导体基板包括:至少一个外围区,沿与半导体基板的边平行的方向在半导体基板的与所述边相邻的边缘区域处延伸;至少一个单元区,在半导体基板的剩余区域处,其中,第一再分布焊盘和第二再分布焊盘沿所述至少一个外围区的延伸方向布置在所述至少一个外围区上。12.如权利要求1所述的半导体装置,其中,半导体基板包括:单元区,在半导体基板的中心处;包围形外围区,沿半导体基板的边缘延伸并且包围单元区,其中,第一再分布焊盘和第二再分布焊盘布置在外围区上并且沿着外围区布置且形成封闭形的布置。13.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述多个再分布焊盘还...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴明洵郑显秀金原永张爱妮李灿浩
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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