【技术实现步骤摘要】
本专利申请要求于2015年9月17日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0131832号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
示例实施例涉及一种半导体装置,和/或涉及一种具有再分布焊盘的半导体装置。
技术介绍
随着对于高性能高密度半导体装置的不断增长的需求,开发能够实现高的信号传输速度以及减小的图案尺寸的半导体装置或半导体封装件会是有利的。因为再分布技术可使得半导体装置具有减小的尺寸以及改善的电特性,所以该技术可被认为是有效的解决方案。
技术实现思路
专利技术构思的一些示例实施例提供了一种具有减小的尺寸的半导体装置。专利技术构思的一些示例实施例提供了一种具有改善的电特性的半导体装置。专利技术构思的一些示例实施例提供了一种更有效地布置再分布焊盘的半导体装置。在专利技术构思的一些示例实施例中,具有再分布焊盘的半导体装置可包括至少两行输入/输出焊盘以及布置在所述两行输入/输出焊盘之间的电源/接地焊盘。在专利技术构思的一些示例实施例中,在电焊盘和再分布焊盘之间的再分布结构可具有小的长度以允许半导体装置具有改善的电特性。在专利技术构思的一些示例实施例中,焊盘可设置成具有允许在半导体装置的尺寸方面的减小以及允许有效供应电功率的改善的布置。根据专利技术构思的一些示例实施例,一种半导体装置可包括设置在半导体基板上的多个电焊盘以及电连接到电焊盘和外部端子的多个再分布焊盘。所述多个再分布焊盘可包括构成用于第一电信号的传输路径的多个第一再分布焊盘以及构成用于与第一电信号不同的第二电信号的传输路径的至少一个第二再分布焊盘。所述多个第一再分布焊盘可布置 ...
【技术保护点】
一种半导体装置,所述半导体装置包括:多个电焊盘,设置在半导体基板上;多个再分布焊盘,电连接到电焊盘和外部端子,其中,所述多个再分布焊盘包括:多个第一再分布焊盘,形成用于第一电信号的第一传输路径;至少一个第二再分布焊盘,形成用于与第一电信号不同的第二电信号的第二传输路径,所述多个第一再分布焊盘布置在半导体基板上以形成至少两行,所述至少一个第二再分布焊盘在所述至少两行第一再分布焊盘之间设置半导体基板上。
【技术特征摘要】
2015.09.17 KR 10-2015-01318321.一种半导体装置,所述半导体装置包括:多个电焊盘,设置在半导体基板上;多个再分布焊盘,电连接到电焊盘和外部端子,其中,所述多个再分布焊盘包括:多个第一再分布焊盘,形成用于第一电信号的第一传输路径;至少一个第二再分布焊盘,形成用于与第一电信号不同的第二电信号的第二传输路径,所述多个第一再分布焊盘布置在半导体基板上以形成至少两行,所述至少一个第二再分布焊盘在所述至少两行第一再分布焊盘之间设置半导体基板上。2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,半导体基板包括:至少一个外围区,跨过半导体基板的中心延伸;至少两个单元区域,通过外围区彼此分离,其中,第一再分布焊盘和第二再分布焊盘布置在外围区上并且与外围区的延伸方向平行。3.如权利要求2所述的半导体装置,其中,电焊盘设置在外围区上。4.如权利要求2所述的半导体装置,所述半导体装置还包括:至少一个辅助焊盘,电连接到所述至少一个第二再分布焊盘。5.如权利要求4所述的半导体装置,其中,所述至少一个辅助焊盘设置在单元区上。6.如权利要求2所述的半导体装置,其中,电焊盘设置在单元区上。7.如权利要求2所述的半导体装置,其中,至少一个电焊盘在单元区上,至少另一个电焊盘在外围区上。8.如权利要求1所述的半导体装置,其中,第一电信号包括输入/输出信号,第二电信号包括电源信号和接地信号中的至少一个。9.如权利要求1所述的半导体装置,其中,半导体基板包括:多个单元区域,在半导体基板的角区域处;十字形外围区,将单元区彼此分离,其中,第一再分布焊盘和第二再分布焊盘布置在外围区上并且在与第一方向平行的方向上。10.如权利要求1所述的半导体装置,其中,半导体基板包括:多个单元区,在半导体基板的角区域处;十字形外围区,将单元区彼此分离,其中,第一再分布焊盘和第二再分布焊盘沿两个正交方向布置在外围区上且形成十字形布置。11.如权利要求1所述的半导体装置,其中,半导体基板包括:至少一个外围区,沿与半导体基板的边平行的方向在半导体基板的与所述边相邻的边缘区域处延伸;至少一个单元区,在半导体基板的剩余区域处,其中,第一再分布焊盘和第二再分布焊盘沿所述至少一个外围区的延伸方向布置在所述至少一个外围区上。12.如权利要求1所述的半导体装置,其中,半导体基板包括:单元区,在半导体基板的中心处;包围形外围区,沿半导体基板的边缘延伸并且包围单元区,其中,第一再分布焊盘和第二再分布焊盘布置在外围区上并且沿着外围区布置且形成封闭形的布置。13.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述多个再分布焊盘还...
【专利技术属性】
技术研发人员:朴明洵,郑显秀,金原永,张爱妮,李灿浩,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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