【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,具体地,涉及移位寄存器单元及其驱动方法、移位寄存器、阵列基板以及显示装置。
技术介绍
液晶显示面板由垂直和水平阵列式像素矩阵组成。在显示过程中通过栅极驱动电路输出栅极扫描信号,逐行扫描各像素单元。阵列基板栅极驱动(GatedriveronArray,简称GOA)是一种将移位寄存器集成于阵列基板上的技术。每个GOA单元作为一个移位寄存器单元将扫描信号依次传递给下一个GOA单元,从而逐行开启薄膜晶体管(Thinfilmtransistor,简称TFT)开关,以便完成像素单元的数据信号输入。现有的GOA电路一般都存在电容升压模块,其利用电容存储电压来保证从晶体管输出的栅极电压保持时间在2个时钟脉冲以上,从而实现扫描脉冲输出。但是在TFT阵列基板上实现电容设计往往需要占用较大的空间,不利于液晶面板的窄边框发展趋势。此外,为了充分打开像素TFT,保证像素电极的充电率,扫描信号的高电平Vgh需要达到25V电压以上。同时现有GOA电路的电容升压模块,能够使GOA内部电路的一些关键节点的电压是高电平Vgh的双倍,即达到50V以上。TFT在这么高的电压下工作,特性容易变化(例如产生Vth漂移),从而使GOA单元在面板的长时显示过程中稳定性变差,干扰正常扫描信号的输出。
技术实现思路
本文中描述的实施例提供了一种移位寄存器单元及其驱动方法、移位寄存器、阵列基板以及显示装置,其避免了使用常规移位寄存器单元电路的电容设计,可以解放电容占用的较大TFT阵列基板空间,实现更窄边框设计。另外本专利技术的实施例可以避免电容升压带来的关键TFT栅极电压过大,TFT ...
【技术保护点】
一种移位寄存器单元,包括输入模块、复位模块、降噪模块和输出模块,其中,所述输入模块被配置为根据来自第一输入端的第一输入信号和来自第二输入端的第二输入信号来控制第一节点的电压,根据来自第一电压端的第一电压信号和所述第一节点的电压来控制第二节点的电压;所述复位模块被配置为根据来自复位信号端的复位信号和来自第二电压端的第二电压信号,对所述第一节点的电压和所述第二节点的电压复位;所述降噪模块被配置为根据来自第一时钟信号端的第一时钟信号和所述第二电压信号来保持所述第一节点和所述第二节点的复位电压;所述输出模块被配置为在所述第二节点的电压和所述第一时钟信号的控制下,将来自第二时钟信号端的第二时钟信号或者所述第二电压信号提供给所述输出模块的输出端;其中,所述移位寄存器单元由开关元件组成。
【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器单元,包括输入模块、复位模块、降噪模块和输出模块,其中,所述输入模块被配置为根据来自第一输入端的第一输入信号和来自第二输入端的第二输入信号来控制第一节点的电压,根据来自第一电压端的第一电压信号和所述第一节点的电压来控制第二节点的电压;所述复位模块被配置为根据来自复位信号端的复位信号和来自第二电压端的第二电压信号,对所述第一节点的电压和所述第二节点的电压复位;所述降噪模块被配置为根据来自第一时钟信号端的第一时钟信号和所述第二电压信号来保持所述第一节点和所述第二节点的复位电压;所述输出模块被配置为在所述第二节点的电压和所述第一时钟信号的控制下,将来自第二时钟信号端的第二时钟信号或者所述第二电压信号提供给所述输出模块的输出端;其中,所述移位寄存器单元由开关元件组成。2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其中,所述输入模块包括:第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管,其中,所述第一晶体管的控制极和第一极耦接到所述第一输入端,所述第一晶体管的第二极耦接到所述第一节点;所述第二晶体管的控制极和第一极耦接到所述第二输入端,所述第二晶体管的第二极耦接到所述第一节点;所述第三晶体管的控制极耦接到所述第一节点,所述第三晶体管的第一极耦接到所述第一电压端,所述第三晶体管的第二极耦接到所述第二节点。3.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其中,所述复位模块包括:第四晶体管和第五晶体管,其中,所述第四晶体管的控制极耦接所述复位信号端,所述第四晶体管的第一极耦接所述第一节点,所述第四晶体管的第二极耦接所述第二电压端;所述第五晶体管的控制极耦接所述复位信号端,所述第五晶体管的第一极耦接所述第二节点,所述第五晶体管的第二极耦接所述第二电压端。4.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其中,所述降噪模块包括:第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管和第九晶体管,其中,所述第六晶体管的控制极和第一极耦接到所述第一时钟信号端,所述第六晶体管的第二极耦接到第三节点;所述第七晶体管的控制极耦接到所述第一节点,所述第七晶体管的第一极耦接到所述第三节点,所述第七晶体管的第二极耦接到所述第二电压端;所述第八晶体管的控制极耦接到所述第三节点,所述第八晶体管的第一极耦接到所述第一节点,所述第八晶体管的第二极耦接到所述第二电压端;所述第九晶体管的控制极耦接到所述第三节点,所述第九晶体管的第一极耦接到所述第二节点,所述第九晶体管的第二极耦接到所述第二电压端。5.根据权利要求4所述的移位寄存器单元,其中,所述第六晶体管的沟道宽长比与所述第七晶体管的沟道宽长比的比例小于1/4。6.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其中,所述输出模块包括:第十晶体管和第十一晶体管,其中,所述第十晶体管的控制极耦接到所述第二节点,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈沫,张杨,高吉磊,傅武霞,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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