【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子组件。电子组件、例如逆变器通常包含电子半导体开关。由半导体开关的开关过程引起地产生不期望的干扰信号,所述干扰信号通过导线连接地和/或以电磁辐射的形式传播。
技术介绍
不可避免的寄生电容对到达给电子组件供电的电网中的干扰信号共同负责,电子组件或与电子组件连接的单元相对于地线或者相对于冷却体具有所述寄生电容,该冷却体在运行时通常处于接地电势。寄生电容可以例如存在于地线和电子组件的内部的电连接线路之间、地线和接头线路之间、地线和负载的部件之间等等,电气负载(例如电动机)利用所述接头线路与电子组件连接。如果存在直流电压中间电路,那么所述中间电路同样为寄生电感作出贡献。图1示出构造为逆变器的电子组件100的电路。电子组件100包含两个半导体开关S1和S2,半导体开关的负载线路串联成一个半桥。所述半桥由电压源900、例如整流电桥供应供电电压。电气负载L通过接头线路906与电子组件100的输出端103(也称为相位输出端Ph)连接,输出端同时是半桥的输出端。电子组件100具有若干组件内部的寄生电容C1-C3、以及若干组件内部的寄生电感L1,L2和LZ。另外的寄生电容C4(接头线路906)和C5(负载)是组件外部的寄生电容。C1是电子组件的输出端寄生电容,C2是用于分配正供电电势DC+的连接线路901的寄生电容,并且C3是用于分配负供电电势DC-的连接线路902的寄生电容。L1是用于分配正供电电势DC+的连接线路901的寄生电感,并且L2是用于分配负供电电势DC-的连接线路902的寄生电感,并且LZ是中间电路电容器的寄生电感。总之,寄生电容对所谓的同 ...
【技术保护点】
一种电子组件,所述电子组件具有:若干第一半导体芯片(1),其中所述若干第一半导体芯片中的每个所述第一半导体芯片具有第一负载接头(11)和第二负载接头(12);导体结构(6),所述导体结构具有第一导体带(61)、第二导体带(62)和第三导体带(63);若干第一抗干扰电容器(3),所述若干第一抗干扰电容器布置在所述导体结构(6)上,并且所述若干第一抗干扰电容器分别具有第一电容器接头(31)和第二电容器接头(32);以及冷却体(200);其中,每个第一半导体芯片(1)的第一负载接头(11)与所述第一导体带(61)导电连接;每个第一半导体芯片(1)的第二负载接头(12)与所述第三导体带(63)导电连接;每个第一抗干扰电容器(3)的第一电容器接头(31)与所述第一导体带(61)导电连接;每个第一抗干扰电容器(3)的第二电容器接头(32)与所述第二导体带(62)导电连接;并且所述冷却体(200)与所述第二导体带(62)导电连接。
【技术特征摘要】
2015.09.10 DE 102015115271.11.一种电子组件,所述电子组件具有:若干第一半导体芯片(1),其中所述若干第一半导体芯片中的每个所述第一半导体芯片具有第一负载接头(11)和第二负载接头(12);导体结构(6),所述导体结构具有第一导体带(61)、第二导体带(62)和第三导体带(63);若干第一抗干扰电容器(3),所述若干第一抗干扰电容器布置在所述导体结构(6)上,并且所述若干第一抗干扰电容器分别具有第一电容器接头(31)和第二电容器接头(32);以及冷却体(200);其中,每个第一半导体芯片(1)的第一负载接头(11)与所述第一导体带(61)导电连接;每个第一半导体芯片(1)的第二负载接头(12)与所述第三导体带(63)导电连接;每个第一抗干扰电容器(3)的第一电容器接头(31)与所述第一导体带(61)导电连接;每个第一抗干扰电容器(3)的第二电容器接头(32)与所述第二导体带(62)导电连接;并且所述冷却体(200)与所述第二导体带(62)导电连接。2.根据权利要求1所述的电子组件,其中所述第一抗干扰电容器(3)被布置在沿第一方向(x)延伸的列(R3)中。3.根据权利要求1或2所述的电子组件,其中所述第一抗干扰电容器(3)的数量大于或等于所述第一半导体芯片(1)的数量。4.根据前述权利要求中任一项所述的电子组件,其中所述第一抗干扰电容器(3)是按照根据IEC60384-1标准的Y类的电容器。5.根据前述权利要求中任一项所述的电子组件,其中所述第一抗干扰电容器(3)构造为SMD电容器。6.根据前述权利要求中任一项所述的电子组件,所述电子组件具有若干第二半导体芯片(2),所述若干第二半导体芯片中的每个第二半导体芯片具有第一负载接头(21)和第二负载接头(22),其中:所述导体结构(6)具有第五导体带(65);每个第二半导体芯片(2)的第一负载接头(21)与所述第三导体带(63)导电连接;并且每个第二半导体芯片(2)的第二负载接头(22)与所述第五导体带(65)导电连接。7.根据权利要求6所述的电子组件,具有若干第二抗干扰电容器(4),所述第二抗干扰电容器被布置在所述导体结构(6)上,并且所述第二抗干扰电容器分别具有第一电容器接头(41)和第二电容器接头(42),其中每个第二抗干扰电容器(4)的第一电容器接头(41)与所述第五导体带(65)导电连接,并且其中每个第二抗干扰电容器(4)的第二电容器接头(42)与所述导体结构(6)的所述第二导体带(62)和/或与第四导体带(64)导电连接。8.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:R·拜雷尔,A·阿伦斯,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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