电流互感器二次侧开路保护装置制造方法及图纸

技术编号:14874239 阅读:68 留言:0更新日期:2017-03-23 21:52
本发明专利技术提供的一种电流互感器二次侧开路保护装置,包括第一保护单元、第二保护单元以及检测控制单元;所述第一保护单元和第二保护单元均连接于电流互感器的二次侧线圈的两端且第一保护单元和第二保护单元均与电流互感器二次侧的负载RL形成并联结构,所述检测控制单元的输入端与第一保护单元连接,所述检测控制单元的输出端与第二保护单元的控制端连接;能够在电流互感器二次侧出现开路时及时作出保护执行动作,从而有效避免执行保护延时造成电流互感器或者负载损坏,有效确保电流互感器的使用寿命,而且结构简单,稳定性强,方便维护。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电流互感器保护设备,尤其涉及一种电流互感器二次侧开路保护装置
技术介绍
电流互感器广泛应用于电力系统当中,比如对线路的测量、保护和控制等,根据电流互感器的特性,电流互感器在使用过程中时严禁二次侧开路的,这是由于二次侧开路状态下,电流互感器的一次侧的电流全部用于励磁使得电流互感器的铁芯饱和从而在电流互感器的二次侧感应出高压,从而带来严重的危害。现有技术中电流互感器的二次侧开路保护措施存在如下缺点:一方面现有技术往往采用电流、电压等方式进行判断,然后通过保护电路执行保护,响应速度慢,经常出现当保护设备执行保护时电流互感器或者电流互感器的负载已经损坏,从而造成不可挽回的损失;另一方面,现有技术的保护方式结构复杂,不利于维护,从而造成稳定性差。因此,需要提出一种新的电流互感器二次侧开路保护装置,能够在电流互感器二次侧出现开路时及时作出保护执行动作,从而有效避免执行保护延时造成电流互感器或者负载损坏,有效确保电流互感器的使用寿命,而且结构简单,稳定性强,方便维护。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的目的是提供一种电流互感器二次侧开路保护装置,能够在电流互感器二次侧出现开路时及时作出保护执行动作,从而有效避免执行保护延时造成电流互感器或者负载损坏,有效确保电流互感器的使用寿命,而且结构简单,稳定性强,方便维护。为了实现上述目的,本专利技术提供的一种电流互感器二次侧开路保护装置包括第一保护单元、第二保护单元以及检测控制单元;所述第一保护单元和第二保护单元均连接于电流互感器二次侧线圈的两端,且第一保护单元和第二保护单元均与电流互感器二次侧的负载RL并联,所述检测控制单元的输入端与第一保护单元连接,所述检测控制单元的输出端与第二保护单元的控制端连接。优选方案,所述第一保护单元包括双向瞬态抑制二极管TVS1以及电阻R1;所述双向瞬态抑制二极管TVS1的一端连接于电流互感器二次侧线圈的一端,双向瞬态抑制二极管TVS1的另一端与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端与电流互感器二次侧线圈的另一端连接并接地。优选方案,所述检测控制单元包括电阻R2、电阻R3、电阻R5、电阻R7、电阻R8、电容C1、MOS管Q1以及可控硅SCR2;所述电阻R2的一端连接于双向瞬态抑制二极管TVS1和电阻R1之间的公共连接点,电阻R2的另一端与电阻R3的一端连接,电阻R3的另一端接地;MOS管Q1的栅极和电容C1的一端均与所述电阻R2和电阻R3的公共连接点连接,所述MOS管Q1的漏极与所述电阻R8的一端连接,电阻R8的另一端外接电源VCC,MOS管Q1的源极与所述电阻R5的一端连接,电阻R5的另一端与所述电容C1的另一端和电阻R3的另一端连接且接地;所述可控硅SCR2的阳极连接于电源VCC,可控硅SCR2的阴极与电阻R7的一端连接,电阻R7的另一端接地;可控硅SCR2的控制极连接于MOS管Q1的漏极,可控硅SCR2的阴极作为检测控制单元的输出端与第二保护单元的控制端连接。优选方案,所述第二保护单元包括可控硅SCR1和电阻R6,所述可控硅SCR1的阳极连接于电流互感器二次侧线圈的一端,可控硅SCR1的阴极与电阻R6的一端连接,电阻R6的另一端与电流互感器二次侧线圈的另一端连接并接地,可控硅SCR1的控制极作为第二保护单元的控制端与检测控制单元的输出端连接。所述电阻R6的阻值小于电阻R1的阻值。优选方案,该电流互感器二次侧开路保护装置还包括报警指示单元,所述报警指示单元包括电容C2、发光二极管LED1以及电阻R4;所述发光二极管LED1的正极与可控硅SCR2的阴极、电阻R7的一端和电容C2的一端均连接,发光二极管LED1的负极与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与电阻R7的另一端和电容C2的另一端连接并接地。所述可控硅SCR2的阳极与电源VCC之间设置有开关S1。本专利技术的有益效果:本专利技术的电流互感器二次侧开路保护装置,能够在电流互感器二次侧出现开路时及时作出保护执行动作,从而有效避免执行保护延时造成电流互感器或者负载损坏,有效确保电流互感器的使用寿命,而且结构简单,稳定性强,方便维护。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步描述:图1为本专利技术的电路原理示意图。具体实施方式图1为本专利技术的电路原理图,如图所示,本专利技术提供的一种电流互感器二次侧开路保护装置,包括第一保护单元1、第二保护单元2以及检测控制单元3;所述第一保护单元1和第二保护单元2均连接于电流互感器4的二次侧线圈的两端且第一保护单元1和第二保护单元2均与电流互感器4的二次侧的负载RL形成并联结构,所述检测控制单元3的输入端与第一保护单元1连接,所述检测控制单元3的输出端与第二保护单元2的控制端连接,其中,第一保护单元1动作优先于第二保护单元2,且第二保护单元2执行保护结束滞后于第一保护单元1;通过上述结构,能够在电流互感器4的二次侧出现开路时及时作出保护执行动作,从而有效避免执行保护延时造成电流互感器4或者负载RL损坏,有效确保电流互感器4的使用寿命,而且结构简单,稳定性强,方便维护。本实施例中,所述第一保护单元1包括双向瞬态抑制二极管TVS1以及电阻R1;所述双向瞬态抑制二极管TVS1的一端连接于电流互感器4的二次侧线圈的一端,双向瞬态抑制二极管TVS1的另一端与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端与电流互感器4的二次侧线圈的另一端连接并接地,当电流互感器4的二次侧开路并且感应出高压时,如果电压超过保护阈值时,双向瞬态抑制二极管TVS1击穿,从而形成电流互感器4的二次侧线圈、双向瞬态抑制二极管TVS1、电阻R1以及接地的回路,从而有效防止了电流互感器4的二次侧开路状态的延续,响应速度快。本实施例中,所述检测控制单元3包括电阻R2、电阻R3、电阻R5、电阻R7、电阻R8、电容C1、MOS管Q1以及可控硅SCR2;所述电阻R2的一端连接于双向瞬态抑制二极管TVS1和电阻R1之间的公共连接点,电阻R2的另一端通过电阻R3接地,所述电阻R2和电阻R3的公共连接点通过电容C1接地,所述电阻R2和电阻R3的公共连接点与MOS管Q1的栅极连接,所述MOS管Q1的漏极通过电阻R8接电源VCC,MOS管Q1的源极通过电阻R5接地,所述可控硅SCR2的阳极连接于电源VCC,可控硅SCR2的阴极通过电阻R7接地,可控硅SCR2的控制极连接于MOS管Q1的漏极,可控硅SCR2的阴极作为检测控制单元3的输出端与第二保护单元2的控制端连接;其中,为了便于控制,可控硅SCR2的正极通过开关S1连接于外接电源VCC,开关S1采用常闭型开关,人为断开后又恢复到闭合状态;所述第二保护单元2包括可控硅SCR1和电阻R6,所述可控硅SCR1的阳极连接于电流互感器4的二次侧线圈的一端,可控硅SCR1的阴极通过电阻R6连接于电流互感器4的二次侧线圈的另一端并接地,可控硅SCR1的控制极作为第二保护单元2的控制端与连接于检测控制单元3的输出端,当双向瞬态抑制二极管TVS1击穿后,MOS管Q1的栅极有电压输入并导通,从而电源VCC供给的电流导入到可控硅SCR2的控制器,可控硅SCR2导通,进而可控硅SCR1导通,并且在使用中电阻R6的阻值小于电阻R1,因此,当可控硅SCR1导通后,第一保护单元1和第二保护单元2均进本文档来自技高网...
电流互感器二次侧开路保护装置

【技术保护点】
一种电流互感器二次侧开路保护装置,其特征在于:包括第一保护单元、第二保护单元以及检测控制单元;所述第一保护单元和第二保护单元均连接于电流互感器二次侧线圈的两端,且第一保护单元和第二保护单元均与电流互感器二次侧的负载RL并联,所述检测控制单元的输入端与第一保护单元连接,所述检测控制单元的输出端与第二保护单元的控制端连接。

【技术特征摘要】
1.一种电流互感器二次侧开路保护装置,其特征在于:包括第一保护单元、第二保护单元以及检测控制单元;所述第一保护单元和第二保护单元均连接于电流互感器二次侧线圈的两端,且第一保护单元和第二保护单元均与电流互感器二次侧的负载RL并联,所述检测控制单元的输入端与第一保护单元连接,所述检测控制单元的输出端与第二保护单元的控制端连接。2.根据权利要求1所述电流互感器二次侧开路保护装置,其特征在于:所述第一保护单元包括双向瞬态抑制二极管TVS1以及电阻R1;所述双向瞬态抑制二极管TVS1的一端连接于电流互感器二次侧线圈的一端,双向瞬态抑制二极管TVS1的另一端与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端与电流互感器二次侧线圈的另一端连接并接地。3.根据权利要求2所述电流互感器二次侧开路保护装置,其特征在于:所述检测控制单元包括电阻R2、电阻R3、电阻R5、电阻R7、电阻R8、电容C1、MOS管Q1以及可控硅SCR2;所述电阻R2的一端连接于双向瞬态抑制二极管TVS1和电阻R1之间的公共连接点,电阻R2的另一端与电阻R3的一端连接,电阻R3的另一端接地;MOS管Q1的栅极和电容C1的一端均与所述电阻R2和电阻R3的公共连接点连接,所述MOS管Q1的漏极与所述电阻R8的一端连接,电阻R8的另一端外接电源VCC,MOS管Q1的源极与所述电阻R5的一端连接,电阻R5的另一端与所述电容C1的另一端和...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐瑞林陈涛张友强张晓勇钟加勇姚树友黄飞何荷龚秋憬刘祖建余红欣魏甦王洪彬阳川何胜宗李勇王有亮袁胜军唐明
申请(专利权)人:国网重庆市电力公司电力科学研究院国家电网公司重庆赛宝工业技术研究院
类型:发明
国别省市:重庆;50

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