一种阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域。其中，阵列基板包括：形成在衬底基板上的功能膜层图形和覆盖功能膜层图形的绝缘层，所述绝缘层表面的段差小于预设阈值。本发明专利技术在阵列基板上设置段差小于预设阈值的绝缘层从而提高阵列基板表面的平整度。在后续涂覆配向膜时，较小的段差可以避免配向膜出现断裂或Rubbing弱区，从而防止导致液晶无法正常偏转，产生不良的显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是指一种阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
在TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜场效应晶体管液晶显示器)行业中，常规的阵列基板制备流程为：栅极→绝缘层→有源层→源漏电极→保护层。在阵列基板设置有TFT的位置要比其他位置要多出了栅极、有源层、源漏电极等功能图形，因此会产生较大的段差。较大的段差会影响后续配向膜的涂覆以及液晶扩散，并且在Rubbing工艺(制作配向膜的摩擦工艺)中很容易形成Rubbing弱区，从而影响显示，使画面产生残影、漏光等不良现象，影响了产品良率。
技术实现思路
本专利技术的目的是减少现有阵列基板上所形成的图层段差。为实现上述目的，一方面，本专利技术的实施例提供一种阵列基板，包括形成在衬底基板上的功能膜层图形和覆盖功能膜层图形的绝缘层，所述绝缘层表面的段差小于预设阈值。进一步地，所述功能膜层图形包括栅金属层图形，所述绝缘层包括覆盖栅金属层图形的栅绝缘层；所述阵列基板还包括：第一牺牲层，所述栅金属层图形嵌入所述第一牺牲层，且所述栅金属层图形的表面与所述第一牺牲层的表面齐平。进一步地，所述功能膜层图形包括源漏金属层图形，所述绝缘层包括覆盖源漏金属层图形的钝化层；所述阵列基板还包括：第二牺牲层，所述阵列基板的有源层嵌入所述第二牺牲层，且所述有源层的表面与所述第二牺牲层的表面位于同一平面上，所述源漏金属层图形形成在该平面上。进一步地，所述第二牺牲层为栅绝缘层，所述有源层嵌入但不贯通所述栅绝缘层。进一步地，所述功能膜层图形包括源漏金属层图形和有源层，所述绝缘层包括覆盖源漏金属层图形和有源层的栅绝缘层；所述阵列基板还包括：第三牺牲层，所述阵列基板的有源层和源漏金属层图形嵌入所述第三牺牲层，且所述有源层的表面与所述第三牺牲层的表面齐平。进一步地，所述功能膜层图形包括栅金属层图形，所述栅金属层图形嵌入但不贯通所述栅绝缘层，且所述栅金属层图形的表面与所述栅绝缘层的表面齐平。进一步地，所述功能膜层图形包括源漏金属层图形，所述绝缘层包括覆盖源漏金属层图形的钝化层；所述阵列基板还包括：第四牺牲层，所述阵列基板的源漏金属层图形嵌入所述第四牺牲层，且所述源漏金属层图形的表面与所述第四牺牲层的表面位于同一平面上，所述栅绝缘层位于所述源漏金属层图形与栅金属层图形之间。进一步地，述功能膜层图形包括形成在所述栅绝缘层上的有源层，所述阵列基板还包括：第五牺牲层，所述阵列基板的有源层嵌入所述第五牺牲层，且所述有源层的表面与所述第五牺牲层的表面齐平，所述有源层与所述源漏金属层接触，并位于所述源漏金属层与所述栅绝缘层之间。进一步地，所述第五牺牲层为所述栅绝缘层，所述源漏金属层图形嵌入但不贯通所述栅绝缘层。另一方面，本专利技术的实施例还提供一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成的功能膜层图形和覆盖功能膜层图形的绝缘层的步骤，所述绝缘层表面的段差小于预设阈值。进一步地，所述绝缘层包括牺牲层，在衬底基板上形成的功能膜层图形和覆盖功能膜层图形的绝缘层的步骤，包括：在衬底基板上形成牺牲层；对所述牺牲层进行刻蚀，使所述牺牲层形成凹槽结构；在所述牺牲层的凹槽结构内形成功能膜层图形，所述功能膜层图形的表面与所述牺牲层的表面齐平。此外，本专利技术实施例还提供一种显示面板，包括本专利技术实施例提供的上述阵列基板。此外，本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述显示面板。本专利技术的上述方案具有如下有益效果：本专利技术在阵列基板上设置段差小于预设阈值的绝缘层从而提高阵列基板表面的平整度。在后续涂覆配向膜时，较小的段差可以避免配向膜出现断裂或Rubbing弱区，从而防止导致液晶无法正常偏转，产生不良的显示效果。附图说明图1为本专利技术的阵列基板的结构示意图；图2至图4分别为本专利技术的阵列基板的几种实现方式的结构示意图；图5A-图5C为本专利技术的阵列基板的制作方法的流程示意图；图6A-图6H本专利技术的阵列基板的制作方法制作图2所示的阵列基板的示意图。具体实施方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。针对现有阵列基板的图层结构具有较大的段差问题，本专利技术提供一种解决方案。一方面，本专利技术提供一种阵列基板，如图1所示，包括：形成在衬底基板11上的功能膜层图形12和覆盖功能膜层图形12的绝缘层13，该绝缘层表面13的段差h小于预设阈值。本实施例的阵列基板通过设置段差小于预设阈值的绝缘层从而提高阵列基板表面的平整度。在后续涂覆配向膜时，较小的段差可以避免配向膜出现断裂或摩擦弱区，从而解决因液晶偏转异常而致使显示画面产生残影、漏光等不良现象。下面结合几个实现方式，对本实施例的阵列基板进行详细介绍。实现方式一如图2所示，在本实现方式一中，功能膜层图形包括栅金属层图形，该栅金属层图形包括栅极和公共电极线，绝缘层包括覆盖栅金属层图形的栅绝缘层。本实现方式的阵列基板还包括：第一牺牲层21，其中栅金属层图形(栅极和公共电极线)嵌入该第一牺牲层21，且其表面与第一牺牲层21的表面齐平。显然基于上述结构，本实现方式一可以有效减少栅金属层图形对整个图层结构所带来的段差。此外，在上述基础之上，本实际应用的功能膜层图形还可以进一步包括源漏金属层图形，该源漏金属层图形主要包括源极S和漏极D。本实施例的绝缘层还进一步包括覆盖源漏金属层图形的钝化层PVX。对应地，阵列基板还包括有：第二牺牲层22和有源层。其中，有源层嵌入第二牺牲层22，且其表面与第二牺牲层22的表面位于同一平面，源漏金属层图形(源极S和漏极D)形成在第二牺牲层22的平面上。从图2所示结构可以看出，本实际应用一的阵列基板最终能使钝化层形成的段差仅为源漏金属层图形(源极S和漏极D)的厚度，相比于现有技术，段差到了有效的减小。此外，作为优选方案，栅绝缘层可复用为第二牺牲层22，即图2所示结构不再需要设置第二牺牲层22，而有源层嵌入但不贯通栅绝缘层，并且有源层的表面与栅绝缘层的表面在同一平面，显然基于该设计，可以减少阵列基板的图层数量，从而简化阵列基板的制作工艺以及结构。实现方式二如图3所示，在本实现方式二中，功能膜层图形包括源漏金属层图形(源极S和漏极D)和有源层。绝缘层包括：覆盖源漏金属层图形和有源层的栅绝缘层；本实现方式二中的阵列基板还包括：第三牺牲层23。其中，有源层和源漏金属层图形(源极S和漏极D)嵌入该第三牺牲层23，且有源层的表面与第三牺牲层的表面齐平。看以看出，实现方式二的结构设计可以完全消除有源层和源漏金属层图形(源极S和漏极D)在阵列基板上所产生的段差。进一步地，在上述基础之上，本实现方式二的功能膜层图形包括栅金属层图形(栅极和公共电极线)以及栅绝缘层，该栅金属层图形嵌入但不贯通栅绝缘层，且栅金属层图形的表面与栅绝缘层的表面齐平。通过图3所示的结构可以看出，本实现方式二的阵列基板在设置有薄膜晶体管区域上几乎没有形成段差。实现方式三在本实现方式三中，功能膜层图形包括：栅金属层图形，如栅极以及公共电极线，绝缘层包括覆盖栅金属层图形的栅绝缘层。进一步地，如图4所示，本实现方式三的阵列基板还包括：第一牺牲层21，栅金属层图形(栅极和公共电极线)嵌入第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括形成在衬底基板上的功能膜层图形和覆盖功能膜层图形的绝缘层，其特征在于，所述绝缘层表面的段差小于预设阈值。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括形成在衬底基板上的功能膜层图形和覆盖功能膜层图形的绝缘层，其特征在于，所述绝缘层表面的段差小于预设阈值。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述功能膜层图形包括栅金属层图形，所述绝缘层包括覆盖栅金属层图形的栅绝缘层；所述阵列基板还包括：第一牺牲层，所述栅金属层图形嵌入所述第一牺牲层，且所述栅金属层图形的表面与所述第一牺牲层的表面齐平。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述功能膜层图形包括源漏金属层图形，所述绝缘层包括覆盖源漏金属层图形的钝化层；所述阵列基板还包括：第二牺牲层，所述阵列基板的有源层嵌入所述第二牺牲层，且所述有源层的表面与所述第二牺牲层的表面位于同一平面上，所述源漏金属层图形形成在该平面上。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二牺牲层为栅绝缘层，所述有源层嵌入但不贯通所述栅绝缘层。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述功能膜层图形包括源漏金属层图形和有源层，所述绝缘层包括覆盖源漏金属层图形和有源层的栅绝缘层；所述阵列基板还包括：第三牺牲层，所述阵列基板的有源层和源漏金属层图形嵌入所述第三牺牲层，且所述有源层的表面与所述第三牺牲层的表面齐平。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述功能膜层图形包括栅金属层图形，所述栅金属层图形嵌入但不贯通所述栅绝缘层，且所述栅金属层图形的表面与所述栅绝缘层的表面齐平。7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述功能膜层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李云泽，杨妮，李少茹，齐智坚，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11