【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及根据专利权利要求1所述的电子组件、根据专利权利要求11所述的用于制造电子组件的引线框架、以及根据专利权利要求15所述的用于制造电子组件的方法。
技术介绍
本专利申请要求德国专利申请DE102014110074.3的优先权,该专利申请的公开内容特此通过引用被并入。包括具有嵌入式引线框架的壳体的电子组件根据现有技术是已知的。特别地,已知对应的光电子组件,例如发光二极管组件。在这种电子组件的情况下,嵌入到壳体中的引线框架用于电接触电子组件的电子半导体芯片,并且用于使在电子组件的操作期间在电子半导体芯片中制造的废热耗散。包括多于一个电子半导体芯片的电子组件也是已知的。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种电子组件。该目的是借助于包括权利要求1的特征的电子组件实现的。本专利技术的另一目的在于提供一种用于制造电子组件的引线框架。该目的是借助于包括权利要求11的特征的引线框架实现的。本专利技术的另一目的在于说明一种用于制造电子组件的方法。该目的是借助于包括权利要求15的特征的方法实现的。在从属权利要求中说明了各种改进方案。一种电子组件包括壳体和部分地嵌入到壳体中的引线框架区段。该引线框架区段包括第一象限(quadrant)、第二象限、第三象限和第四象限。所述象限中的每个包括第一引线框架部分和第二引线框架部分。每个第一引线框架部分包括芯片着陆区(landingarea)。所有四个象限的芯片着陆区与引线框架区段的公共中心区域相邻地被布置。有利地,嵌入到该电子组件的壳体中的引线框架区段的四个象限的芯片着陆区因此彼此非常接近地被布置。这使被布置在引线框架区 ...
【技术保护点】
一种电子组件(500),包括壳体(510)和部分地嵌入到所述壳体(510)中的引线框架区段(200),其中所述引线框架区段(200)包括第一象限(210)、第二象限(220)、第三象限(230)和第四象限(240),其中所述象限(210、220、230、240)中的每个包括第一引线框架部分(300)和第二引线框架部分(400),其中每个第一引线框架部分(300)包括芯片着陆区(310),其中所有四个象限(210、220、230、240)的芯片着陆区(310)与所述引线框架区段(200)的公共中心区域(250)相邻地被布置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.17 DE 102014110074.31.一种电子组件(500),包括壳体(510)和部分地嵌入到所述壳体(510)中的引线框架区段(200),其中所述引线框架区段(200)包括第一象限(210)、第二象限(220)、第三象限(230)和第四象限(240),其中所述象限(210、220、230、240)中的每个包括第一引线框架部分(300)和第二引线框架部分(400),其中每个第一引线框架部分(300)包括芯片着陆区(310),其中所有四个象限(210、220、230、240)的芯片着陆区(310)与所述引线框架区段(200)的公共中心区域(250)相邻地被布置。2.根据权利要求1所述的电子组件(500),其中所述四个象限(210、220、230、240)相对于彼此对称地被配置。3.根据权利要求2所述的电子组件(500),其中所述四个象限(210、220、230、240)相对于彼此旋转对称地被配置。4.根据前述权利要求中的任一项所述的电子组件(500),其中所有四个象限(210、220、230、240)的所有引线框架部分(300、400)彼此电隔离。5.根据前述权利要求中的任一项所述的电子组件(500),其中每个第一引线框架部分(300)的芯片着陆区(310)包括第一外边缘(311)和第二外边缘(312),其中所述第一象限(210)的第一引线框架部分(300)的第一外边缘(311)与所述第二象限(220)的第一引线框架部分(300)的第二外边缘(312)平行地并且直接相邻地被布置,其中所述第一象限(210)的第一引线框架部分(300)的第二外边缘(312)与所述第四象限(240)的第一引线框架部分(300)的第一外边缘(311)平行地并且直接相邻地被布置。6.根据前述权利要求中的任一项所述的电子组件(500),其中在所有情况下电子半导体芯片(530)、特别是光电子半导体芯片被布置在每个芯片着陆区(310)上,其中每个电子半导体芯片(530)导电连接到相应的象限(210、220、230、240)的第二引线框架部分(400)。7.根据权利要求5和6所述的电子组件(500),其中所述电子半导体芯片(530)的芯片边缘(533)与所述芯片着陆区(310)的外边缘(311、312)基本上平行地被定向。8.根据权利要求6和7中的任一项所述的电子组件(500),其中保护芯片(540)被布置在象限(210、220、230、240)的芯片着陆区(310)上,所述保护芯片导电连接到所述象限(210、220、230、240)的第二引线框架部分(400)。9.根据前述权利要求中的任一项所述的电...
【专利技术属性】
技术研发人员:D里希特,M齐茨尔施佩格,C齐赖斯,S格鲁贝尔,
申请(专利权)人:奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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