本实用新型专利技术公开了一种通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路。通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路包括第一电阻、第一NMOS管、第一PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第二PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第三PMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第四PMOS管和第十一NMOS管。第一电阻和第一NMOS管构成偏置电流产生电路，通过调节偏置电流的大小来调节放电电流的大小达到调节振荡器的频率。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及振荡器。
技术介绍
振荡器的振荡频率是由电容充电和放电的时间决定的，而充电和放电时间是由电容的充电电流和放电电流的大小决定的，这样就可以通过调节电流的大小来调节振荡频率，为此设计了一种通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路。
技术实现思路
本技术旨在提供一种通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路。一种通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路，包括第一电阻、第一NMOS管、第一PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第二PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第三PMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第四PMOS管和第十一NMOS管：所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第三NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，源极接地；所述第一PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第二NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极接所述第一PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接地；所述第四NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接地，源极接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第五NMOS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第五NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，源极接地；所述第六NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，漏极接所述第五NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极，源极接地；所述第七NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，漏极接地，源极接地；所述第三PMOS管的栅极接所述第七NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第八NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第八NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，源极接地；所述第九NMOS管的栅极接所述第六NMOS管的栅极和所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，漏极接所述第八NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，源极接地；所述第十NMOS管的栅极接所述第八NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极接地，源极接地；所述第四PMOS管的栅极接所述第十NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接电源电压VCC；所述第十一NMOS管的栅极接所述第十NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极作为振荡器的输出端OSCOUT，源极接地。所述第一电阻和所述第一NMOS管构成偏置电流产生电路，产生的电流通过所述第一NMOS管镜像给所述第三NMOS管、所述第六NMOS管和所述第九NMOS管；所述第四NMOS管、所述第七NMOS管和所述第十NMOS管这三个NMOS管接成NMOS管形成的电容，通过栅氧层形成电容；对所述第四NMOS管形成的电容充电电流由所述第一PMOS管导通时漏极流出的电流决定，对所述第四NMOS管形成的电容放电电流由所述第三NMOS管漏极流出的电流和所述第二NMOS管导通时漏极流出的电流共同决定；对所述第七NMOS管形成的电容充电电流由所述第二PMOS管导通时漏极流出的电流决定，对所述第七NMOS管形成的电容放电电流由所述第六NMOS管漏极流出的电流和所述第五NMOS管导通时漏极流出的电流共同决定；对所述第十NMOS管形成的电容充电电流由所述第三PMOS管导通时漏极流出的电流决定，对所述第十NMOS管形成的电容放电电流由所述第九NMOS管漏极流出的电流和所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路，其特征在于：包括第一电阻、第一NMOS管、第一PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第二PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第三PMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第四PMOS管和第十一NMOS管；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第三NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，源极接地；所述第一PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第二NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，漏极接所述第一PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接地；所述第四NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接地，源极接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第五NMOS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第五NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，源极接地；所述第六NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，漏极接所述第五NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极，源极接地；所述第七NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，漏极接地，源极接地；所述第三PMOS管的栅极接所述第七NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第八NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第八NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的漏极，源极接地；所述第九NMOS管的栅极接所述第六NMOS管的栅极和所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，漏极接所述第八NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极，源极接地；所述第十NMOS管的栅极接所述第八NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种通过调节放电电流调节频率环形振荡器电路，其特征在于：包括第一电阻、第一
NMOS管、第一PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第二PMOS管、第五NMOS管、
第六NMOS管、第七NMOS管、第三PMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第四PMOS
管和第十一NMOS管；
所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三
NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极；
所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第三NMOS管的栅
极和所述第六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，源极接地；
所述第一PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第八
NMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极
和所述第九NMOS管的漏极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第
二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；
所述第二NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极和所述第八
NMOS管的漏极和所述第十NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极
和所述第九NMOS管的漏极，漏极接所述第一PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第
二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接地；
所述第三NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第
六NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极，漏极接所述第二NMOS管的漏极和所述第一PMOS管
的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极，源极接
地；
所述第四NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第二
PMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接地，源极接地；
所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第四
NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第五NMOS管的
漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第六
NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；
所述第五NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的漏极和所述第二
NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第二NMOS管的
漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文建，
申请(专利权)人：浙江商业职业技术学院，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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